Hallo alle zusammen, ich machs kurz: Ich hab an einem Transistor nach folgendem Schaltbild einen Elektromagneten hängen. Transistor: http://www.voelkner.de/products/23239/Transistor-Tip-120-Stm.html Elektromagnet: http://www.voelkner.de/products/154581/Zylindermagnet-Its-Lz-2560-D-24vdc.html Schaltbild: http://www.arduino.cc/playground/uploads/Learning/solenoid_driver.pdf Problem dabei ist, dass der Transisor bei Betrieb brutal heiß wird, sodass man sich daran die Finger verbrennen kann. Was habe ich falsch gemacht? Von den Daten müsste doch alles stimmen!? Wie kann ich überprüfen, ob die Diode richtig eingebaut ist? Danke für Eure Hilfe!
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Verschoben durch Admin
Lars Rentscheid schrieb: > Wie kann ich überprüfen, ob die Diode richtig eingebaut ist? Hast du ein Multimeter? Wenn die Diode falsch gepolt ist bekommt der arme Transistor den max. Strom ab den die Quelle liefern kann. :-(
Da steht doch auch dass der Transistor höchstwahrscheinlich ein Heatsink braucht.
Lars Rentscheid schrieb: > Wie kann ich überprüfen, ob die Diode richtig eingebaut ist? An der Diode gibt es üblicherweise eine Kennzeichnung, welche Seite die Kathode ist. Die muss an Plus. Ansonsten: Klemme den Magneten ab. Schalte ein, und wenn der Transistor noch immer heiß wird, dann ist die Diode verkehrt herum eingebaut oder schon durchlegiert.
Datenblatt: Uce satt mal dem da fließenden Strom ergibt die Verlustleistung. Tip: nimm einen Fet...
Wär die Diode falsch herum, würde der Magnet nicht anziehen. Wie hoch ist der Strom bei angezogenem E-Magnet? daraus kannst Du die verlustleistung am Transistor bestimmen. Da der Transistor eine Ptot Leistung von 65W abkann, ist eine erwärmung durchaus Normal. Wie schon geschrieben wurde, Heatsink einbauen! gruß chrizz
Zur Verringerung des Haltestromes des Magneten würde ich ein RC-Glied in Serie zur Spule schalten MfG
Super Tipps! Vielen Dank! > Da steht doch auch dass der Transistor höchstwahrscheinlich ein Heatsink braucht. Ja, ist aber wegen Platzmangel höchstens als Notlösung gedacht. > An der Diode gibt es üblicherweise eine Kennzeichnung, welche Seite die Kathode ist. Die muss an Plus. Gut, die Diode war richtig verbaut. > Wär die Diode falsch herum, würde der Magnet nicht anziehen. Die Nennleistung des Magneten beträgt 10W bei 6V. Uce (satt) = 4V Was ca. 7W Verlustleistung bedeutet. Hab ich etwa den falschen Transistor gekauft? > Tip: nimm einen Fet... Ich steuere dass Teil mit einem Arduino UNO über die analogen Pins, die ich jedoch digital nutze(0..5V). Danke für weitere Transistor Tipps!
> Ja, ist aber wegen Platzmangel höchstens als Notlösung gedacht. Was ist denn das für eine Aussage ? Räder hat mein Auto auch, die sind aber nur als Notlösung gedacht, normalerweise rutsche ich ? > Uce (satt) = 4V Hoffentlich nicht. Der TIP112 ist zwar ein Darlington, aber selbst der hat bei unter 2A unter 1V UCEsat, also weniger als 2 Watt an Verlust, wenn er ordentlich angesteuert wird. Und das heisst (5V-1.8V)/2k2 = 1mA Basistrom sind doch zu wenig, nimm 220 Ohm als Basisvorwiderstand, denn 12mA werden laut Datenblatt vorgeschlagen. Dann geht's zwar auch nicht ohne Kühlkörper, aber es reicht, den TO220 an ein Belch zu schrauben.
> Räder hat mein Auto auch, die sind aber nur als Notlösung gedacht, > normalerweise rutsche ich ? haha, ich dachte halt, es würde vielleicht platzintensiver gehen. > Und das heisst (5V-1.8V)/2k2 = 1mA Basistrom sind doch zu wenig, > nimm 220 Ohm als Basisvorwiderstand, denn 12mA werden laut > Datenblatt vorgeschlagen. Ok, alles klar. Ich weiß zwar nicht ganz wieso ich mehr Strom brauche, aber ich hol die Dinger einfach. ;) > > Uce (satt) = 4V > Hoffentlich nicht. Der TIP112 ist zwar ein Darlington, aber selbst > der hat bei unter 2A unter 1V UCEsat, also weniger als 2 Watt an > Verlust, wenn er ordentlich angesteuert wird. http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/stmicroelectronics/4128.pdf Keine Ahnung...Bei mir hat das so da drin gestanden. Gibt es keine Möglichkeit, andere Transistoren einzusetzten. Oder sind die hier nicht das Problem?
Lars Rentscheid schrieb: > Gibt es keine Möglichkeit, andere Transistoren einzusetzten. Oder sind > die hier nicht das Problem? Wie schon jochen schrieb, nimm besser einen FET z.B. den IRLZ34N http://www.voelkner.de/products/26281/Transistor-Hexfet-Irlz34n-To-220-Ir.html
>Die Nennleistung des Magneten beträgt 10W bei 6V.
Wirklich? Der Völkner-Link sagt aber 10W und 24V. Macht als reichlich
0,4A.
Da hat der Transi gerade mal 0,75V Sättigungsspannung (typ), bei einem
250-fach kleineren Basisstrom. Macht 0,3W - sollte also nur eine mäßige
Erwärmung erzeugen (was heist denn bei Dir "brutal heiß" ? ).Mit einem
Rb=1k biste da eigentlich schon auf der sicheren Seite (mit 2,2k dagegen
nicht).
Ansonsten - Strom und Spannung messen an C (und evtl. B) sollte das
Rätselraten beenden.
> Wirklich? Der Völkner-Link sagt aber 10W und 24V. Hast recht. Ich habe den falschen Link angegeben. Ich meinte den mit 6V: http://www.voelkner.de/products/37130/Zylindermagnet-Its-Lz-2560.html > (was heist denn bei Dir "brutal heiß" ? ) So, dass man ihn nicht länger als 3 Sekunden anfassen kann > Mit einem > Rb=1k biste da eigentlich schon auf der sicheren Seite (mit 2,2k dagegen > nicht). Was hat es eigenltich für eine Auswirkung, wenn man den Basisstrom erhöht bzw. einen geringeren Widerstand nimmt? (Ih werde mir wahrscheinlich die vorgeschlagenen FEts sowie die Widerstände (1kOhm) kaufen)
@ Lars Rentscheid (Gast) >> (was heist denn bei Dir "brutal heiß" ? ) >So, dass man ihn nicht länger als 3 Sekunden anfassen kann ;-) Also ca. 50-60°C. Das ist kalt für einen Transistor. "Brutal heiß" ist für den 150°C++ >Was hat es eigenltich für eine Auswirkung, wenn man den Basisstrom >erhöht bzw. einen geringeren Widerstand nimmt? Der Transistor schaltet sicher durch und hat damit minimale Verluste, sprich Wärmeentwicklung. MFG Falk
Lars Rentscheid schrieb: >> (was heist denn bei Dir "brutal heiß" ? ) > So, dass man ihn nicht länger als 3 Sekunden anfassen kann Brandblase bei 1 Sekunde anfassen = grenzwertig heiß Brandblase bei 3 Sekunden anfassen = gut ausgelastet Keine Brandblase nach 3 Sekunden = normal
>Keine Brandblase nach 3 Sekunden = überdimensioniert
Kannst ja noch was vom Transistorgehäuse abfeilen ... ;-)
Aber wie die anderen schon sagten - 3 Sekunden ohne Brandblasen ist für
einen T noch gemütlich warm. Wenn Du es nur noch 0,3 Sekunden schaffst,
wird es evtl. langsam kritisch für den T.
U.R. Schmitt schrieb: > Brandblase bei 1 Sekunde anfassen = grenzwertig heiß > Brandblase bei 3 Sekunden anfassen = gut ausgelastet > Keine Brandblase nach 3 Sekunden = normal Und max. lauwarm ist der Schalttransistor richtig dimensioniert. Dann bleibt Reserve, wenn getaktet wird. Wenn der bei statischem ON schon heizt, wird er dynamisch zum Glühwürmchen. Aber wie Falk bereits schrieb, scheint zu wenig Basisstrom zu fließen und das Ding steuert nicht voll durch. Tipp: http://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Transistor_Grundschaltungen
>Aber wie Falk bereits schrieb, scheint zu wenig Basisstrom zu fließen >und das Ding steuert nicht voll durch. Also bei typ. rund 0,8V@1,25A (für rund 5V verbleibend an Spule) hat man so um die 1W Verlustleistung im T. Viel weniger wird es auch mit mehr Basisstrom nicht werden, weil es ja ein Darlington ist (rel. hohe Ucesat)
Lars Rentscheid schrieb: > (Ih werde mir wahrscheinlich die vorgeschlagenen FEts sowie die > Widerstände > (1kOhm) kaufen) Beschaltung beim FET mit z.B. 100K G-S. Wie in Abbildung http://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern#Schaltstufe_f.C3.BCr_kleine_Lasten
Echt vielen Dank für die super Tipps!
> Beschaltung beim FET mit z.B. 100K G-S.
Sorry, dass ich immer noch nicht aufhöre. ;)
Dieser FET scheint ja wirklich optimal zu sein.
Allerdings bin ich immern noch am Grübeln warum ich als Basiswiderstand
100 kOhm brauche...
Sind es wirklich 100kOhm?
Heureka... Ich denk, ich habs: FETs brauchen ja im Vergleich zu Bipolartransistoren kaum einen Strom um zu schalten--> Das heißt man nimmt einfach "brutal" ;) großen, sodass geährleistet ist, dass der Transistor während einem Reset auch sicher sperrt. ...meine Einkaufsliste: -IRLZ34N -100 kOhm Widerstand -1000 Ohm Widerstand Vielen Dank für die Hilfe!
Was du als "Basiswiderstand" bezeichnest, ist ein Pull-Down-Widerstand, der dafür sorgt, dass der FET im unbeschalteten Zustand (z.B. bei Reset des Controllers) sicher sperrt.
Lars Rentscheid schrieb: > sodass > geährleistet ist, dass der Transistor während einem Reset auch sicher > sperrt. So ist es. Warum noch 1k dazu? Falls Du den als Widerstand zwischen Controller und Gate setzen willst, dann nimm eher 10 bis 100 Ohm.
@ Lars Rentscheid (Gast) >Heureka... >Ich denk, ich habs: Wenn das mal kein Irrtum ist. >FETs brauchen ja im Vergleich zu Bipolartransistoren kaum einen Strom um >zu schalten--> Soweit so gut. > Das heißt man nimmt einfach "brutal" ;) großen, sodass >geährleistet ist, dass der Transistor während einem Reset auch sicher >sperrt. Nö. Auch der dickste MOSFET wird mit einem Gate, das in der Luft hängt, viel Unsinn machen. Hier MUSS ein Pull-Down Widerstand das Gate auf Masse (= Source) ziehen. Das ist KEIN Basiswiderstand, auch kein Gatevorwiderstand (um den sich schon genug Gerüchte ranken 8-0 ) >-IRLZ34N >-100 kOhm Widerstand OK. >-1000 Ohm Widerstand Kannst du dir sparen. MFG Falk
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