Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Suche Ersatz für Power Mos-Fet


von Stefan W. (stefan_w47)


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Hallo,

in meinem Wechselrichter Mastervolt Mass Sine 12/250 (von 12V auf 230V)
sind 4 Power Mos-Fet verbaut. Sie sind beschriftet mit:  NF50AB / 75332P
Ich vermute mal das einer davon kaputt ist, denn die Ausgangsspannung 
baut sich immer nur kurz auf und bricht dann wieder weg. Im Zyklus von 
ca. 1-2 Sekunden.

Welches Ersatzteil könnte ich dafür nehmen?  IRF3205 ??

von Arno H. (Gast)


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Die FETs dürften die hier sein:
http://www.fairchildsemi.com/pf/HU/HUF75332P3.html
Dann Datenblätter vergleichen.

Arno

von Stefan W. (stefan_w47)


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OK, vielen Dank für die Info. Verglichen habe ich schon, aber worauf 
kommt es letztendlich besonders an?

HUF75332P3:

Electrical Specifications TC = 25oC, Unless Otherwise Specified
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
OFF STATE SPECIFICATIONS
Drain to Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250μA, VGS = 0V (Figure 11) 
55 - - V
Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS = 50V, VGS = 0V - - 1 μA
VDS = 45V, VGS = 0V, TC = 150oC - - 250 μA
Gate to Source Leakage Current IGSS VGS = ±20V - - ±100 nA
ON STATE SPECIFICATIONS
Gate to Source Threshold Voltage VGS(TH) VGS = VDS, ID = 250μA (Figure 
10) 2 - 4 V
Drain to Source On Resistance rDS(ON) ID = 60A, VGS = 10V (Figure 9) - 
0.016 0.019 Ω
THERMAL SPECIFICATIONS
Thermal Resistance Junction to Case RθJC (Figure 3) - - 1.03 oC/W
Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA TO-247 - - 30 oC/W
TO-220, TO-263 - - 62 oC/W
SWITCHING SPECIFICATIONS (VGS = 10V)
Turn-On Time tON VDD = 30V, ID ≅ 60A,
RL = 0.50Ω, VGS = 10V,
RGS = 6.8Ω
- - 130 ns
Turn-On Delay Time td(ON) - 9 - ns
Rise Time tr - 90 - ns
Turn-Off Delay Time td(OFF) - 50 - ns
Fall Time tf - 45 - ns
Turn-Off Time tOFF - - 125 ns
GATE CHARGE SPECIFICATIONS
Total Gate Charge Qg(TOT) VGS = 0V to 20V VDD = 30V,
ID ≅ 60A,
RL = 0.50Ω
Ig(REF) = 1.0mA
(Figure 13)
- 70 85 nC
Gate Charge at 10V Qg(10) VGS = 0V to 10V - 40 50 nC
Threshold Gate Charge Qg(TH) VGS = 0V to 2V - 2.5 3.0 nC
Gate to Source Gate Charge Qgs - 6 - nC
Reverse Transfer Capacitance Qgd - 15 - nC
Electrical Specifications TC = 25oC, Unless Otherwise Specified
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
Source to Drain Diode Voltage VSD ISD = 60A - - 1.25 V
Reverse Recovery Time trr ISD = 60A, dISD/dt = 100A/μs - - 75 ns
Reverse Recovered Charge QRR ISD = 60A, dISD/dt = 100A/μs - - 140 nC


IRF3205:


Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
 Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 75A.
Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions
V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 
250μA
ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.057 ––– V/°C 
Reference to 25°C, ID = 1mA
RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 8.0 mΩ VGS = 10V, 
ID = 62A
VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA
gfs Forward Transconductance 44 ––– ––– S VDS = 25V, ID = 62A
––– ––– 25
μA
VDS = 55V, VGS = 0V
––– ––– 250 VDS = 44V, VGS = 0V, TJ = 150°C
Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 VGS = 20V
Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100
nA
VGS = -20V
Qg Total Gate Charge ––– ––– 146 ID = 62A
Qgs Gate-to-Source Charge ––– ––– 35 nC VDS = 44V
Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– ––– 54 VGS = 10V, See Fig. 6 and 
13
td(on) Turn-On Delay Time ––– 14 ––– VDD = 28V
tr Rise Time ––– 101 ––– ID = 62A
td(off) Turn-Off Delay Time ––– 50 ––– RG = 4.5Ω
tf Fall Time ––– 65 ––– VGS = 10V, See Fig. 10
Between lead,
––– –––
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
Ciss Input Capacitance ––– 3247 ––– VGS = 0V
Coss Output Capacitance ––– 781 ––– VDS = 25V
Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 211 ––– pF ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5
EAS Single Pulse Avalanche Energy ––– 1050 264   mJ IAS = 62A, L = 138μH
Source-Drain Ratings and Characteristics

IS

ISM

VSD
trr
Qrr
ton

Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time

Min. Typ. Max. Units

Conditions
D
MOSFET symbol
––– ––– 110
showing the
A
G
integral reverse
––– ––– 390
S
p-n junction diode.
––– ––– 1.3
V
TJ = 25°C, IS = 62A, VGS = 0V „
––– 69 104
ns
TJ = 25°C, IF = 62A
––– 143 215
nC
di/dt = 100A/µs „
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)

Also der Durchlasswiderstand ist beim IRF3205 geringer.. hätte dies 
Auswirkungen?

Auf welche Werte sollte ich besonders achten?

von Ben _. (burning_silicon)


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oO

Ich glaube es hat noch nie jemand einfach so die kompletten Datenblätter 
hier in das Forum gedumpt, damit andere seine Arbeit machen... reife 
Leistung!

> Ich vermute mal das einer davon kaputt ist,
Wie wäre es denn mal mit messen anstatt vermuten?

Was ich für wichtig halte ist mindestens gleiche Vds, möglichst hoher Id 
in Verbindung mit möglichst wenig Rds(on) und eine nicht übertrieben 
hohe Qg.

von Stefan W. (stefan_w47)


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man man man,

ich bin zwar dankbar, aber irgendwie stinkt mir dieser Kommentar von 
dir.
Hey überarbeite dich nicht, beim lesen ;-)
Würde ich es abarbeiten können, wie z.B. einen Sandhaufen von einer in 
die andere Ecke schaufeln.. wäre dies schon längst passiert.
Immer dieses Off-Topic reingelabere.... ich zwinge niemanden zu nix!

Bin ich deiner Meinung nach ein fauler Hund weil ich ein technisches 
Problem habe und nicht weiterkomme?
Ich werde mir von niemanden vorschreiben lassen was und wie ich frage 
schon garnicht wenn ich mal wieder auf dem Weg der Erkenntnis bin.


Sorry das war Off-Topic, Schönen Tag noch!

von hinz (Gast)


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Stefan W. schrieb:
> Hallo,
>
> in meinem Wechselrichter Mastervolt Mass Sine 12/250 (von 12V auf 230V)
> sind 4 Power Mos-Fet verbaut. Sie sind beschriftet mit:  NF50AB / 75332P
> Ich vermute mal das einer davon kaputt ist, denn die Ausgangsspannung
> baut sich immer nur kurz auf und bricht dann wieder weg. Im Zyklus von
> ca. 1-2 Sekunden.

Das klingt aber ehr nach einem Fehler auf der Sekundärseite des Trafos.

von Ben _. (burning_silicon)


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> Hey überarbeite dich nicht, beim lesen ;-)
Lesen konnte man das ja eigentlich nicht mehr nennen nachdem Du die 
komplette Formatierung der Datenblätter zerstört hast. Das war mehr ein 
Such&Ratespiel, weswegen mich das auch ein wenig geärgert hat.

Messen solltest Du aber trotzdem noch. Das sind ja die primären FETs und 
die sterben meiner Erfahrung nach eigentlich nicht sang- und klanglos, 
sondern eher mit viel Schall und Rauch. Ich mag nicht so recht glauben, 
daß die defekt sind.

von Stefan W. (stefan_w47)


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Danke nochmals für die Tips.

Ich möchte den Thread hier wegen 'Crossposting' schliessen lassen.

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Stefan W. schrieb:
> Ich möchte den Thread hier wegen 'Crossposting' schliessen lassen.

Ich kann kein anderes Posting von dir finden mit dem gleichen Bezug.

Stefan W. schrieb:
> aber irgendwie stinkt mir dieser Kommentar von
> dir.

Da hast du irgendwie den Foren-Knigge (auch Netiquette genannt)
nicht verstanden.  Ein Forum ist nicht dafür da, dir die komplette
Arbeit abzunehmen.

von Udo S. (urschmitt)


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hinz schrieb:
> Das klingt aber ehr nach einem Fehler auf der Sekundärseite des Trafos.

Ohne jetzt besonders viel Ahnung von Schaltnetzteilen zu haben. Dieses 2 
Sekunden "pumpen" sieht mir irgendwie auch nicht aus als ob die 
Leistungsmosfets defekt wären, sondern eher als gäbs irgendwo einen 
Kurzschluss so daß die Überstromabschaltung zyklisch eingreift.

@Stefan. Hier gibts Hilfe zur Selbsthilfe, und hier sind hauprsächlich 
Ings und Techniker unterwegs und keine Psychoanalytiker, insofern ist 
der Ton ehrlich und auch mal etwas rauh.
Aber wenn ich mir anschaue daß du doch wenig Erfahrung hast dann wäre 
mein Rat das Schaltnetzteil mal jemandem zu geben der sich mit sowas 
auskennt.

von Axel R. (Gast)


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Mach mal auf und ein gut ausgeleuchtetes, scharfes Bild davon. (ca. 1MB)

Auf der 12V Seite müssen dicke Elkos zu sehen sein, dann die MOSFETs, 
dann der Ferritttttrafo und dann auf der 230V Seite nochmal 4 
Transistoren für die Modulation der 50Hz, wenn es ein 
Sinuswechselrichter sein sollte (die Homepage des Herstellers sagt das 
jedenfalls).

nebenbei: ein Link zum jeweiligen Datenblatt ist idR. hilfreicher als 
Schriftwusel ;)
Es kommt ja auch niemand auf die Idee, den Quelltext der 
Masterworld-Homepage hier im Post abzudrucken ( ich wollte sowas erst 
machen, habs aber bleiben lassen ) Also warum dann die pdf als 
"sourcecode" einstellen?

Axelr.
@Jörg
bei Transistor.net ist der Doppelpost zu finden, hier nicht. Ist aber 
noch nicht gelöst.

von Harald W. (wilhelms)


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Stefan W. schrieb:
> Danke nochmals für die Tips.
>
> Ich möchte den Thread hier wegen 'Crossposting' schliessen lassen.

Ein solches Crossposting ist zwar nicht "verboten", die Nettiquette
gebietet es aber, entsprechende Links zu zeigen. Da Du nun schon
an drei Stellen um Schliessung gebeten hast; an wieviel Stellen
hast Du eigentlich noch gefragt?
Gruss
Harald

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