Hallo zusammen! Ich bräuchte mal ein wenig Unterstützung. Ich möchte gerne eine externe Last schalten, aber habe ein wenig Probleme (mangels Erfahrung) bei der Dimensionierung des ganzen. Die zu schaltende Spannung beträgt 30V, die Steuerspannung ist 3,3V von einem Mikrocontroller. Problematisch bei der Sache ist, dass die schaltende Elektronik selber nahezu keinen Strom verbauchen darf. Ich habe mir als Maximum selber jetzt erstmal 100µA gesetzt. Im Anhang habe ich zwei Varianten angehängt, welche ich mir vorgestellt habe. Variante A arbeitet mit einem P-Kanal MOSFET als Schalter für die Versorgungsspannung und einem N-Kanal MOSFET als Steuerschalter. Da die meisten MOSFETs nur maximal 20V Differenz am Gate vertragen habe ich den Spannungsteiler eingebaut. Variante B arbeitet mit einem PNP-Darlington-Transistor als Schalter für die 30V und einem NPN als Steuerschalter. Den Darlington habe ich gewählt, damit bei dem geringen Steuerstrom am Ausgang noch einigermaßen was raus kommt. 100mA sollte der Ausgang schon bringen. Jetzt habe ich das ganze unter anderem auch mal mit TI TINA simuliert und stelle fest, dass auch bei ausgeschaltetem Transistor Ströme fließen, was wahrscheinlich die Leckströme sind. In der Simulation habe ich erstmal irgendwelche Transistoren genommen, da gibt es bestimmt auch Unterschiede, aber die Problematik bleibt generell ja erhalten, nur eben mehr oder weniger. Jedenfalls reicht dieser Strom bei Schaltung A auf Grund der hohen Widerstände bereits aus, dass VGS groß genug ist um den FET aufzusteuern. Sind beide Varianten Murks, oder gibt es irgendwelche Tricks, wie so etwas intelligenter gemacht wird? Ich habe auch bereits fertige High-Side Schalter von z.B. Infineon gefunden, aber die verbrauchen alle rund 1mA. Ich wäre euch sehr dankbar über ein wenig Hilfestellung. Flo
Sorry, in meiner Titelzeile fehlt ein e bei Steuerstrom.
Moin, beides funktioniert prinzipell. Bei B fehlt ein Emitter-Basiswiderstand, der den PNP-Transistor sicher sperrt, wenn der NPN nicht leitet. Den PNP kannst du auch gegen einen Mosfet austauschen; dann aber auf die maximale Gate-Source Spannung achten.
Flo schrieb: > Ich habe auch bereits fertige High-Side Schalter von z.B. Infineon > gefunden, aber die verbrauchen alle rund 1mA. Den ziehen die aber aus der zu schaltenden Spannung. Die kann man einfach mit einem Taster/Schalter nach GND einschalten, ganz ohne extra Steuerstrom. Ich verwende die gerne, um mit kleinen Schaltern große Ströme zu schalten, ohne zusätzliche Versorgung. Änliche Teile gibts auch von LT. MfG Klaus
Hi Klaus und hi Aufarbeit! Da sieht man wieder, dass ich eine nicht unwichtige Randinfo vergessen habe: Meine Schaltung soll ein schleifengespeister Sensor werden, also 4-20mA mit einem Schaltpunkt. Da der Strom von den High-Side-Schaltern nach GND abfließt, trägt er zum Schleifenstrom bei und kann leider nicht vernachlässigt werden. Flo
@ Flo (Gast) >Da sieht man wieder, dass ich eine nicht unwichtige Randinfo vergessen >habe: Meine Schaltung soll ein schleifengespeister Sensor werden, also >4-20mA mit einem Schaltpunkt. Da der Strom von den High-Side-Schaltern >nach GND abfließt, trägt er zum Schleifenstrom bei und kann leider nicht >vernachlässigt werden. Das glaube ich nicht so ganz. Wo fließt denn der Laststrom hin? Mach mal eine Skizze, wie das alles verschaltet werden soll. Denn die 30V sind sicher NICHT deine 4-20mA Schleife sondern ein 2. Netzteil. Richtig? Und dann fließt sowohl der Steuerstrom als auch der Laststrom eben dorthin zurück. Zu deiner MOSFET-Schaltung. Theoretisch ja, praktisch nein. Denn wenn man einen MOSFET soo hochohmig ansteuert, schaltet der sehr langsam, was ggf zu großer Erwärmung führen kann, je nach Laststrom und Frequenz und wird auch nur schwach offen gehalten, Störungen haben da bisweilen leichts Spiel. Man braucht etwas mit eher niedrigem Ausgangswiderstand. Bis 18V kann man einen HEF4104 als Pegelwandler nutzen, der ist rein aus CMOS aufgebaut und braucht statisch praktisch Null Strom (1uA und weniger) Bei 30V muss man suchen. Vielleicht findet man was passendes. Wenn nicht, muss man wenigstens einen diskreten Treiber dahinter schalten. 1xNPN + Diode reicht. Etwa so. Siehe Anhang. Dadurch ist die Ansteuerung des MOSFET schonmal um Faktor 100 niederohmiger, bei gleichem Stromverbrauch! Man könnte sicher was auf reiner CMOS-Basis bauen, das statisch keinen Strom braucht, so wie es die 4000er Serie macht. Dazu muss man aber mal länger nachdenken und suchen.
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