Hallo Leute, Ich habe eine Frage zu dem BS170. Kann ich den auch mit 5V ansteuern? im Datenblatt steht ein maximum Rating vom "Gate Threshold Voltage" von 3.3V. Heisst das, dass er maximal 3.3V am Gate sehen darf? Hier das DB: https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/BS170-FSC.PDF Dankeschön im Vorhinein.
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Hallo, mit 5V ist er noch nicht ganz aufgesteuert. Für Ströme deutlich unter 400mA kann es aber trotzdem als eingeschaltet anzusehen sein. MfG
Mosfetter schrieb: > Kann ich den auch mit 5V ansteuern? Ja, bis max. ±20V (steht unter Maximum Ratings) > im Datenblatt steht ein maximum Rating vom "Gate Threshold Voltage" von > 3.3V. > Heisst das, dass er maximal 3.3V am Gate sehen darf? Nein, es steht, nicht unter Maximum Ratings, sondern unter den Betriebsbedingungen, dass er bei 3V garantiert 1mA fließen lässt. Aber der BS170 ist garantiert erst ordentlich eingeschaltet, wenn UGS 10V beträgt. Bei 5V müssen nicht mehr als ein paar mA fließen. Seriös wird man den nie für die Ansteuerung mit 5V nehmen.
Bezüglich Gate sind zwei Parameter sehr wichtig: Die absolut maximale Spannung am Gate : VGSSGate-Source Voltage ±20V Die Spannung am Gate , bei der der FET zu leiten beginnt : VGS(th)Gate Threshold VoltageVDS = VGS, ID = 1mA : min 0,8V typ 2,1V max 3V
Ich will 200mA schalten. Der Mosfet soll von einem µC mit 5V angesteuert. Reicht da der BS170 aus, oder eher nicht?
Oder ist ein 2N7000 besser geeignet? https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/2N7000-UTC.PDF
Bei 5V Ansteuerung können typisch bis zu 0,8A fließen. 200mA sollten kein Problem sein. Siehe auch Fig.1
Mosfetter schrieb: > Ich habe eine Frage zu dem BS170. > Kann ich den auch mit 5V ansteuern? > > im Datenblatt steht ein maximum Rating vom "Gate Threshold Voltage" von > 3.3V. > Heisst das, dass er maximal 3.3V am Gate sehen darf? Nö. Das heißt, das er maximal 3,3V braucht, um MINIMAL aufzusteuern. https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage Zum sicheren, GARANTIERTEN Durchschalten braucht er 10V. 5V gehen so lala, wenn man nicht zuviel Strom schalten will. 100mA sollten OK sein, ggf. auch 200mA. Viel mehr geht so oder so nicht, denn bei bis zu 5 Ohm R_DS_ON sind schon P = I^2 * R = 0,2A^2 * 5 = 200mW. Real sind es um die 50mW, denn die max. Spezifikationen sind hier SEHR konservativ.
Mosfetter schrieb: > Ich will 200mA schalten. > Der Mosfet soll von einem µC mit 5V angesteuert. > > Reicht da der BS170 aus, oder eher nicht? Ja.
Der Wert für den On Widerstand ist für 10 V garantiert, aber 5 V reichen schon aus um den FET einzuschalten. Man hat halt einen etwas höheren On-Widerstand (ggf. +50% oder so) rechnen. 5 V sind aber schon deutlich höher als die Schwellspannung von maximal 3 V. 2 V über der Schwelle reichen in der Regel gut aus. Mit alten TTL chips, die mit 5 V Versorgung dann ggf. nur 3 V ausgeben wird es aber etwa zu eng - das kann noch gehen, muss aber nicht.
Gerald K. schrieb: > Die Spannung am Gate , bei der der FET zu leiten beginnt : > > VGS(th)Gate Threshold VoltageVDS = VGS, ID = 1mA : min 0,8V typ 2,1V max > 3V Nochamal zum Wiederholen (weil die Frage immer wieder kommt) Bei der VGS(th)Gate Threshold Voltage beginnt der Fet ein wenig zu leiten (Bedingungen stehen im Datenblatt) Die Gatespannung bei der der Fet garantiert leitend ist sieht man unter den Rds(on) Angaben: da steht der garantierte Widerstand bei der Gatespannung. Alles dazwischen ist beten, kann gehen aber auch nicht. Und hat höhere Verlustleistung da Rds(on) höher ist. PS: noch ein Lob an den TO, dass er das Datenblatt gleich verlinkt hat.
Mosfetter schrieb: > Reicht da der BS170 aus, oder eher nicht? > Oder ist ein 2N7000 besser geeignet? Die sind beide nicht ideal; die sind ganz ähnlich. Leiten tun beide auch bei 5V, aber mit deutlichem Drop über D-S, außer du erwischt ein besonders gutes Exemplar. Es gibt viel bessere, aber kaum im TO-92, eher im SOT-23-Gehäuse. Aber auch die lassen sich z.B. auf einer Lochrasterplatine gut unterbringen. Oder ggf. einen BC337-40 verwenden.
Gerald K. schrieb: > Bei 5V Ansteuerung können typisch bis zu 0,8A fließen. > 200mA sollten kein Problem sein. Siehe auch Fig.1 Das sind typische Werte, keine garantierten! Außerdem liegen in der Messung 10V an Drain-Source an! Schon mal die Verlustleistung berechnet? Schau dir lieber die Ausgangskennlinie an, siehe Anhang. Bei U_GS = 5V und Id=250mA fallen ca. 0,4V ab, macht P=100mW. Wenn man aber mal konservativ die 4V Linie nimmt (Toleranz der Transferkennlinie) sind es bei ca. 0,65V, P=162mW. Also ansteuern mit 5V, ablesen und berechnen mit 4V Kennline!
OK. Wenn ich das so sehe, ist dann der 2N7000 besser geeignet, wegen kleinerem RDSon bei 5V? https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/2N7000-UTC.PDF
Mosfetter schrieb: > Da müssten dann bei 5V ca. 800mA fliessen. Andersrum: Bei deinen 200mA gehen bei beiden Typen typisch grob 300mV drauf. Wenn du mit bis zu 500mV (Toleranz) leben kannst, sind sie einsetzbar.
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Bearbeitet durch User
Mosfetter schrieb: > Da müssten dann bei 5V ca. 800mA fliessen. Aber er schaltet dabei nicht durch: siehe untere Achse "Drain-Source-Voltage". Außerdem sind das nur typische Werte. Sie können exemplarabhängig weit streuen.
Mosfetter schrieb: > Da müssten dann bei 5V ca. 800mA fliessen. Du musst das Diagramm auch richtig lesen und verstehen! UGS ist der Parameter der Kurvenschaar, die Abszisse ist die Drain-Source-Spannung! Bei UGS=5V und IDS=800mA fallen an der D-S-Strecke 5V ab; heißt auch, der heizt mit 4W - nur nicht lange ...
Wenns unbedingt TO-92 sein muss: Microchip/Supertex hat da noch einiges. Beispiel: TN0604
Mosfetter schrieb: > Da müssten dann bei 5V ca. 800mA fliessen. Nur bei einem 'typischen' Exemplar, und schon mit 5V Verlust zwischen D und S. Sein Exemplar kann die Kurve aber auch bei 3.3V oder erst bei 7.5V am Gate erreichen. Keine Ahnung warum Leute keine Datenblätter interpretieren können.
MaWin schrieb: > Keine Ahnung warum Leute keine Datenblätter interpretieren können. Jeder fängt klein an.
(prx) A. K. schrieb: > Jeder fängt klein an. Nicht umsonst war das Aufnehmen von Messkurven fixer Bestandteil von Laborübungen. So bekommt man ein Gefühl für Messwerte und Messkurven. Man lernt auch das man mit Strom und Spannung an die Grenzen kommen kann und sich am Messojekt dann die Finger verbrennt. Der Kreativität sind keine Grenzen gesetzt.
Beitrag #6541922 wurde von einem Moderator gelöscht.
Man muss dafür ein Gefühl ausbilden wie man am besten seine Arbeit durchführt. Ob Backen, Schneidern, Frisieren oder ein Fahrzeug lenken. Ohne Praxis gehts nicht.
Mosfetter schrieb: > OK. Dann wird es ein BS170. Du liest wohl auch nur das, was Du lesen willst, oder?
Mosfetter schrieb: > OK. Dann wird es ein BS170. > Dankeschön an alle. > Wieder was dazugelernt. Was hast Du denn dazu gelernt? Das der BS170 nur vielleicht geeignet ist?
Mosfetter schrieb: > Ich will 200mA schalten. Harald W. schrieb: > Was hast Du denn dazu gelernt? Sicherlich garnichts. > Das der BS170 nur vielleicht geeignet ist? Weder der BS170 noch der 2N7000 taugen als Schalter für dreistellige mA. Für den BS170 sehe ich für 10V(GS) typ.1,8 / max.5 Ohm - das gibt bei 200mA mindestens 360mV Spannungsabfall. Was der bei 5V(GS) macht .. Lottospiel. Der 2N7000 nennt nur Maximalwerte, mit 6 Ohm bei 4,5V(GS) macht der auch keinen Spaß, das bekomme ich ja schon fast mit einem alten Darlington hin. Ich weiß nicht, was Mosfetter kann und will, es gibt massenhaft geeignetere Bauteile. Das könnte auch gerne ein BC_irgendwas NPN werden!
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Karlo K. schrieb: > Warum entleisen solche hilfreiche Beiträge immer :-( Weil die Fragesteller und einige Antwort-Lieferanten alles an ihren Erwartungen messen. Nur kennt die Erwartungen keiner, wenn sie nicht explizit kommuniziert werden. Und ein Mindestmaß an Eigeninitiative (anstatt zu raten oder rumzuprobieren), besonders was Informationsbeschaffung angeht, ist geboten und nicht „erwartet“. Eine Parametersuche bekommt jeder hin, z.B. bei mouser.com - oder halt zu Fuß mit passenden Suchbegriffen z.B. bei reichelt.de. Warum soll ich als Unterstützer das übernehmen und damit die Lernkurve begrenzen?
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