Hallo Leute, Vielleicht kann man jemand eine Empfehlung geben. Ich bin auf der Suche nach einem Transistor welcher bei einer Vgs von 0,8-3,3V zuverlässig durchschalten muss. Leider habe ich bisher keinen geeigneten finden können. Er sollte außerdem ein sehr schnelles Schalten (Fast Switching) unterstützen. Danke
Und was soll er sinnvoll schalten können? Und was verstehst du unter schnell?
Und in welchem Strom- und Spannungsbereich? Oder anders: was ist die Last? Was soll geschaltet werden?
Torben schrieb: > Wünschenswert wäre ein Schaltvermögen im ns Bereich. 100ns liegt auch im ns Bereich ;-) jaja, die liebe Netiquette.
Nein erfüllt leider nicht die Kriterien (0.8-3.3V). Im Datenblatt steht max. 1.45V Vgs. Um Missverständnisse auszuräumen ich meine nicht, dass er bei 0.8V oder 1.0V oder 2.0V oder 3.3V schalten muss, sondern er muss bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen. Der Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND. Ich habe bisher die 2N7000 sowie BS170 Serie ausfinding machen können. Habe jedoch keine Erfahrung ob diese auch mit 3.3V Vgs zurechtkommen oder das Zeitliche segnen.
Torben schrieb: > Leider habe ich bisher keinen geeigneten finden > können. Solange du uns nicht sagst was genau bei welcher Spannung und welchem Strom wie schnell konkret geschaltet werden können soll können wir gewiss auch keinen geeigneten finden.
Torben schrieb: > Ich habe bisher die 2N7000 sowie BS170 Serie ausfinding machen können. wie bist du auf die gekommen? Laut Datenblatt muss da bei 3V Ugs grad mal 1mA fließen können, bei 2.99V dürfen die schon komplett aus sein. Tipp: bei den "Min - Typ - Max" - Tabellenwerten immer den für deine Anwendung ungünstigsten betrachten.
Lothar M. schrieb: > Oder anders: was ist die Last? Was soll geschaltet werden? Unter +20VDC und 500mA was so ziemlich jeder kann. Wichtig ist nur er muss mit einer sich wechselnden VGS zwischen 0.8V und 3.3V schalten können. Ausgangsseite ist erst einmal nicht relevant.
Torben schrieb: > Unter +20VDC und 500mA was so ziemlich jeder kann. Wichtig ist nur er > muss mit einer sich wechselnden VGS zwischen 0.8V und 3.3V schalten > können. BC337
Torben schrieb: > Ich bin auf der Suche > nach einem Transistor welcher bei einer Vgs von 0,8-3,3V > zuverlässig durchschalten muss. LL-MOSFET die für 3.3V spezifiziert sind, findest du massenhaft. 2.5V auch noch, aber schon weniger. Noch geringere Spannung sind echte Exoten. Für 0.8V findest du sicher nichts. Allerdings brauchen Silizium-Bipolartransistoren nur ca. 0.7V an der Basis. Mit 0.8V bleiben da noch ein paar Millivolt für den erforderlichen Basiswiderstand. > Er sollte außerdem ein sehr schnelles Schalten (Fast Switching) > unterstützen. Das ist keine Spezifikation. Und ganz viel Strom und sehr hohe Spannung auch nicht. Da mußt du schon konkreter werden.
Axel S. schrieb: > Für 0.8V findest du sicher nichts. So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V.
< https://www.mouser.de/ProductDetail/ROHM-Semiconductor/RUM001L02T2CL?qs=QcFhgjUTvvq561FHtbVAHA%3D%3D > 0 auf Lager, wie sich das heute gehört. Gerhard
Torben schrieb: > Axel S. schrieb: >> Für 0.8V findest du sicher nichts. > > So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder > IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V. Du hast also nicht die geringste Ahnung von MOSFETs, weißt aber ganz genau, dass du so einen brauchst.
Torben schrieb: > sondern er muss bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung > gehen Man wünscht sich nicht die Bauteile für eine schlecht konstruierte Schaltung zusammen, sondern baut die Schaltung aus den vorgegebenen Teilen, Elektronik ist wie Lego, sollte jedes Kleinkind schon verinnerlicht haben. Ein MOSFET der bei 0.8V durchschaltet gibt es natürlich, RYC002N05/RYE002N05, sogar einen der bei 0V durchschaltet, ALD212900, aber die erlauben nur wenig Strom und sperren natürlich nicht so gut.
Torben schrieb: > So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder > IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V. Torben schrieb: > Ich bin auf der Suche > nach einem Transistor welcher bei einer Vgs von 0,8-3,3V zuverlässig > durchschalten muss. Zwischen "zuverlässig durchschalten" und der Threshold-Spannung V(GS)th liegt ein himmelweiter Unterschied. Weshalb eigentlich von 0.8V bis 3,3V? Was ist das für eine Quelle?
Torben schrieb: > Nein erfüllt leider nicht die Kriterien (0.8-3.3V). Im Datenblatt steht > max. 1.45V Vgs. Um Missverständnisse auszuräumen ich meine nicht, dass > er bei 0.8V oder 1.0V oder 2.0V oder 3.3V schalten muss, sondern er muss > bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen. Na dann mal viel Spaß bei der Suche. > Der > Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND. ??? > Ich habe bisher die > 2N7000 sowie BS170 Serie ausfinding machen können. Habe jedoch keine > Erfahrung ob diese auch mit 3.3V Vgs zurechtkommen oder das Zeitliche > segnen. Jaja.
Torben schrieb: > Unter +20VDC und 500mA was so ziemlich jeder kann. Wichtig ist nur er > muss mit einer sich wechselnden VGS zwischen 0.8V und 3.3V schalten > können. Ausgangsseite ist erst einmal nicht relevant. Du bist ein Troll.
Torben schrieb: > So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder > IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V. Oje, du hast ja Null Durchblick. Ein VN3205N3-G Gate Threshold Voltage VGS(th) 0.8 — 2.4 SPERRT wenn du ein widerspenstiges Exemplar erwischt unterhalb von 2.4V, denn VGS(th) ist die Spannung unter der er sperrt, dann kommt erst mal der lineare Beteich bis zur etwa doppelten Spannung, richtig leiten kann der erst ab 0.45 Ω VGS = 4.5V
Torben schrieb: > schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V. "Schalten" hat mit "Threshold" gar nichts zu tun. Für die Praxis sollte man sich merken: die Threshold-Spannung ist die, unter der ein Mosfet ziemlich sicher sperrt. Also einfach mental "Threshold = sperren" im Kopf ablegen und eben nicht wie so gern angenommen "Threshold = leiten", dann verzettelt man sich nicht so leicht...
Torben schrieb: > IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V Haha. Wenn ich mal das Datenblatt zitieren darf:
1 | min typ max |
2 | Gate Threshold Voltage 0.5V 0.8V 1.1V |
besonders interessant ist, wie sie das messen:
1 | U_ds = U_gs, I_d = 50µA |
Der MOSFET leitet also gerade mal 50µA. Und braucht dafür im schlechtesten Fall trotzdem 1.1V. Der typische Wert gibt den Mittelwert über das ganze Spektrum an. Du kannst also davon ausgehen, daß 50% bei 0.8V die 50µA schaffen. Die andere Hälfte nicht. Wenn du also 50µA schalten willst, bei einem Spannungverlust von 0.8V und es ok ist, wenn die Hälfte deiner Geräte nicht funktioniert ... ja, dann ist dieser MOSFET genau richtig.
Alles sinnlos, der OP ist ein Troll oder Träumer. Selbst wenn er kein Troll ist, ist das Problem mit SICHERHEIT anders lösbar als mit seinen merkwürdigen Anforderungen an einen MOSFET.
Torben schrieb: > Habe jedoch keine Erfahrung ob diese auch mit 3.3V Vgs zurechtkommen > oder das Zeitliche segnen. Ein einfacher Blick ins Datenblatt verrät, wie der Hersteller dazu steht ;-)
H. H. schrieb: > Torben schrieb: >> Axel S. schrieb: >>> Für 0.8V findest du sicher nichts. >> >> So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder >> IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V. > > Du hast also nicht die geringste Ahnung von MOSFETs, weißt aber ganz > genau, dass du so einen brauchst. Lieber Torben, ist keine Veräppelung. So stellt sich uns leider die Sachlage dar. Weil Du nicht weißt was die Bezeichnungen bedeuten ist Dir eben unmöglich verständlich zu erklären was genau Du bräuchtest (vermutlich gibt es das so aber gar nicht...): Torben schrieb: > Unter +20VDC und 500mA was so ziemlich jeder kann. Wichtig ist nur er > muss mit einer sich wechselnden VGS zwischen 0.8V und 3.3V schalten > können. Ausgangsseite ist erst einmal nicht relevant. Irrsinnig (Ansteuerspannung normalerweise fest, äußerst seltene Ausnahmefälle - U_min niedriger als selbst bei "Low Logic Level" Mosfets... wie Axel sagte ist da bei V_GS = 1,8V SCHLUSS) - und auch noch unvollständig dazu. Beschreibe die Spannungsquelle, beschreibe wie hochfrequent und steilflankig PRÄZISE Du vor hast, zu schalten, was ist "die Last" (eine Speicherdrossel, ein Trafo, ... welche(r) genau, wozu)??? Dann könnte man endlich wissen, was WIRKLICH "gebraucht" würde - oder aber (der wahrscheinlichere Fall) wissen, welchen falschen Ansatz Du gewählt hast ... unwissend, "wie sowas gemacht wird". Also kurz: Einfach ALLES sagen, NICHTS auslassen.
Gerhard H. schrieb: > 0 auf Lager, wie sich das heute gehört. Hätten doch die Gestalter der blühenden Landschaften unser Werk für Mikroelektronik Erfurt nicht platt gemacht.
Und die waren Marktführer für WAS? Ach ja, ich erinnere mich, bekannt aus der Rundfunk- und Fernsehwerbung, aka Aktuelle Kamera: Das dynamische 1 MBit-RAM mit nur einer Generation Verspätung, das hernach schlochortsch den ganzen Weltmarkt aufrollte... Ach jach, ich hatte mal das Angebot, einen ziemlich fetten Parsytek-Transputer-Cluster nach OstBerlin zu verschieben. Wenn ich gewusst hätte, dass in 4 Wochen Wendezeit ist, dann hätte ich mich das doch glatt getraut!
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Torben schrieb: > So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder > IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V. Manche wollen es nie begreifen. V_GS(th) gibt die Spannung für einen Strom I_D weit unterhalb von 1mA an, beim IRLHM630TRPBF z.B. für 50µA. Bei einem MOSFET der für 21A spezifiziert ist, kann man das nun wirklich noch nicht als "schalten" bezeichnen. Lerne die Datenblätter zu lesen und guck dir die Ausgangskennlinie an.
Gerhard H. schrieb: > Ach jach, ich hatte mal das Angebot, einen ziemlich fetten > Parsytek-Transputer-Cluster nach OstBerlin zu verschieben. > Wenn ich gewusst hätte, dass in 4 Wochen Wendezeit ist, dann > hätte ich mich das doch glatt getraut! Auch 4 Wochen können lange sein. Da ist wahnsinnig werden, verdursten, verhungern, Kopfschuss alles drin. Soweit ich weiß, gab es kaum kräftige MOSFET in der Zone. PS: Ach Moment, du wärst ja sicherlich im Westen Hops genommen worden und der besteht momentan noch...
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Früher, als ich noch nicht so phlegmatisch war, da habe ich mir von so einem Bauelementelchen in aller Ruhe SELBST mit Hilfe mehrere Multimeter und einstellbarer Spannungsquellen die Kennlinie aufgenommen. Damit sieht man viel einprägsamer als nur im Datenblatt, was wie passiert. Auch, wann der Transistor RICHTIG "aufmacht".
Angehängte Dateien:
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VGS_Temp.png
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max_temp.png
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Dieter schrieb: > Schau Dir das Datenblatt an: > DMOS TN0104 Hmm... wenn man da eine große Kiste von kauft und sich die "guten" rausselektiert, und dann den FET auf 150°C vorheizt, könnte das halbwegs was werden...
Dieter schrieb: > @Torben > Schau Dir das Datenblatt an: > DMOS TN0104 1.6V maximum low threshold, hast du selbst nicht reingeschaut ? 3V als minimal genannte Durchschaltspanning.
Angehängte Dateien:
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ALD.png
31 KB
Dieter schrieb: > Schau Dir das Datenblatt an: > ALD212902 Kommt der Sache näher, kann aber keine 20V Vds und keine 500 mA Ids. Und "schaltet" bei 0,8V am Gate (Kurve "Vgs(th)+0.5V") grade mal so 10mA. Aber immerhin, deutlich mehr als die bisherigen :)
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Wenn er den treibenden Ausgang genauer spezifizieren würde, könnte man sicherlich was hinbiegen. Also seid einfach solange still.
Εrnst B. schrieb: > Dieter schrieb: >> Schau Dir das Datenblatt an: >> ALD212902 > > Kommt der Sache näher Ist aber ganz weit entfernt von: Torben schrieb: > sondern er muss bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen.
Abdul K. schrieb: > Also seid einfach solange still. Ja, die Beratungsresistenten sind leider nicht so gesprächig. Sie wollen nur das vom Forum bestätigt bekommen was sie selbst für richtig halten.
Der Zahn der Zeit (🦷⏳) schrieb: > Ist aber ganz weit entfernt Aber immerhin, der Dieter ist mit jedem Vorschlag eine Größenordnung näher ans Ziel gerückt. Noch so zwei oder drei Vorschläge von ihm, und Torben hat sein Wunschgerät :)
Falk B. schrieb: > ist das Problem mit SICHERHEIT anders lösbar als mit seinen > merkwürdigen Anforderungen an einen MOSFET. Natürlich. Aber man redet eben nicht gerne über die Trivialschaltung, die man meint nur mit einem super Exoten aus dem MIT Labor bewerkstelligen zu können. Weil das ist ja super Geheim, weil man 'the next big thing' am Wickel hat das sonst ja alle nachbauen wollen.
Max M. schrieb: > Weil das ist ja super Geheim, weil man 'the next big thing' am Wickel > hat das sonst ja alle nachbauen wollen. Na ja, eher wohl, weil sich dann Massen von Wissenden einstellen, die, (mangels eine Lösung) anstatt auf die Frage zu antworten, die gesamte Aufgabenstellung in Zweifel ziehen. Also "Ganz anders machen" "geht auch mit einem Arduino", "kann man fertig kaufen"... Ich sammele gerne weiter Ideen, mit welchen Strategien man seinen eigenen Intelligenzgrad größer als den des Fragestellers darstellen kann 😉
Der Zahn der Zeit (🦷⏳) schrieb: > Ich sammele gerne weiter Ideen, mit welchen Strategien man seinen > eigenen Intelligenzgrad größer als den des Fragestellers darstellen kann > 😉 Halluzinogene!
Εrnst B. schrieb: > Aber immerhin, der Dieter ist mit jedem Vorschlag eine Größenordnung > näher ans Ziel gerückt. Stimmt. Schafft nur leider die 20V nicht. Ansonsten würden 200 von denen parallel das schon schaffen. Und haben alle zusammen dann nur schlappe 0.5 Ohm Ri bei 0,,8V Vgs.
Stephan schrieb: > Schafft nur leider die ... Es ist nicht alles moeglich, sollte der TO erschliessen koennen aus den Beispielen.
mitlesa schrieb: > Abdul K. schrieb: >> Also seid einfach solange still. > > Ja, die Beratungsresistenten sind leider nicht so gesprächig. > Sie wollen nur das vom Forum bestätigt bekommen was sie selbst > für richtig halten. Oder er will wirklich sein vermeintliches "Superkonzept mit durchschlagender Erfolgserwartung" geheim halten. Oder... er ist leider so sensibel, daß ihn die Realität schon zum Schweigen gebracht hat (/sein Projekt in der Tonne liegt, und er keine Lust mehr hat, über Vergangenes zu reden). Alles möglich.
Aber ihr müsst schon zugeben, dass es ab und zu neue Wunderbauteile gibt, von denen man früher nur träumen konnte. Mich haben z.B. Gleichrichter und bidirektionale Pegelwandler für I²C ohne die üblichen 0,7V Verlust überrascht. Und dass man inzwischen WLAN ohne Spulen machen kann, ist doch auch schon ein kleines Wunder, oder? Solche Produkte machen das Hobby für mich jedenfalls super spannend.
WLAN ohne Spulen? Du meinst einen Transceiverchip? Deswegen sind die ja auch so relativ schlecht. Ich fand die 80er interessanter. Vielleicht liegts aber auch an meinem fortgeschrittenen Alter. Da gab's Sprünge von 4 auf 6MHz bei den Prozessoren. Mit GHz wird das nix. Wo sich noch wirklich was tut, sind SoCs und Preisen.
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Abdul K. schrieb: > WLAN ohne Spulen Ich meine ESP8266 und ESP32. Da sind die Spulen bereits im IC drin, so etwas gab es früher noch nicht.
Geschwindigkeits-Phlegmatiker schrieb: > Früher, als ich noch nicht so phlegmatisch war, da habe ich mir > von so > einem Bauelementelchen in aller Ruhe SELBST mit Hilfe mehrere Multimeter > und einstellbarer Spannungsquellen die Kennlinie aufgenommen. Damit > sieht man > viel einprägsamer als nur im Datenblatt, was wie passiert. Auch, wann > der Transistor RICHTIG "aufmacht". Heute nimmt man LTspice.😎 mfg Klaus
Torben schrieb: > Um Missverständnisse auszuräumen ich meine nicht, dass > er bei 0.8V oder 1.0V oder 2.0V oder 3.3V schalten muss, sondern er muss > bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen. Dann nimm doch einfach passende Logikbausteine. Wo ist das Problem? mfg klaus
Klaus R. schrieb: > Heute nimmt man LTspice. Du hast anscheinend nicht so ganz verstanden, was LTSpice tut. Auch da muss jemand die Kennlinie messen und daraus die Parameter extrahieren, um das passende Modell zu generieren. Exemplarstreuungen berücksichtigt das Modell immer noch nicht, wenn man diese Prozedur nicht für jedes Exemplar einzeln durchzieht.
Wolfgang schrieb: > Klaus R. schrieb: >> Heute nimmt man LTspice. > > Du hast anscheinend nicht so ganz verstanden, was LTSpice tut. Auch da > muss jemand die Kennlinie messen und daraus die Parameter extrahieren, > um das passende Modell zu generieren. Doch -er hat es ABSOLUT richtig verstanden: Jeden Tag kann man hier von Leuten lesen, die ihre Simulationsdateien über Stunden und Tage an die Wirklichkeit anpassen, statt die Schaltungen real aufzubauen und dort die Resultate zu betrachten.
Klaus R. schrieb: > Heute nimmt man LTspice.😎 Für LTSpice kannst Du Dir genau ein Bauteil zimmern, das genau dieses Verhalten in der Simulation zeigt. Da der TO noch nichts von einer realen Schaltung genannt hat, wäre damit seine Frage gelöst, solange er die folgende Gegenfrage nicht beantwortet hat: Fehlt Dir bloß das Wissen, wie das in LTSpice geht oder ginge es wenn Dir hier jemand das fertige LTSpice-Modell eines solchen Bauteiles hier zum Download einstellt?
Ich vermute mal die Anforderung 0,8V gibts gar nicht, weil der TE auch hier das Datenblatt nicht richtig gelesen / verstanden hat. Wie auch bei Vgsth. 0.8V sind verdächtigerweise die max. Eingangsspannung bei Ttl low.
Stefan ⛄ F. schrieb: > Da sind die Spulen bereits im IC drin, Naja, 'ohne Spulen' und 'Spulen bereits im IC' ist schon ein enormer Unterschied ;-)
Max M. schrieb: > Naja, 'ohne Spulen' und 'Spulen bereits im IC' ist schon ein enormer > Unterschied ;-) Eben, genau diesen Fortschritt finde ich sehr spannend.
Dieter schrieb: > Klaus R. schrieb: >> Heute nimmt man LTspice.😎 > > Für LTSpice kannst Du Dir genau ein Bauteil zimmern, das genau dieses > Verhalten in der Simulation zeigt. In der Praxis versucht man zunächst für seine Anforderungen mit Hilfe von LTspice eine Schaltung zu entwerfen. Wenn es funktioniert wird man in der Regel kein Bauteil finden das diese Schaltung ersetzen könnte. Torben schrieb: > Um Missverständnisse auszuräumen ich meine nicht, dass > er bei 0.8V oder 1.0V oder 2.0V oder 3.3V schalten muss, sondern er muss > bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen. Der > Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND. Die Anforderungen von Torben sind für mich nicht recht verständlich. Bei bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V soll irgend etwas in die Sättigung gehen. Man braucht also vier unabhängige Stufen die jeder eine eigene Schaltspannung hat. Das ließe sich machen. Sinnvollerweise nicht mit einem diskreten Transistor oder FET, da die Toleranzen der Schaltpunkte doch zu hoch wären. Also muß es jeweils ein IC sein. Geeignet wären Schmitt Trigger. Mittels Trimmer kann die Schaltschwelle genau eingestellt werden. Das betrifft jetzt aber nur das Einschalten. Was ist wenn die Eingangsspannung wieder sinkt? Schmitt Trigger haben eine Hysterese. Jeder logische Baustein hat eine Hysterese und definierte Bereiche in denen die Spannung 0 oder 1 darstellt. Im Zwischenbereich ist der Schaltzustand nicht definiert. Das zuvor geschilderte ist nichts Neues, sondern seit Jahrzenten bekannte und angewandte Schaltungstechnik.
1 | > bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen. Der |
2 | > Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND. |
Torben, was meinst Du damit?
1 | Der Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND. |
Da setzt es bei meiner Logik aus.😕 mfg Klaus
Klaus R. schrieb: > Wenn es funktioniert wird man in der Regel > kein Bauteil finden das diese Schaltung ersetzen könnte. Das hast du sicher nicht so gemeint, wie es bei mir ankommt. Kannst du dieses Satz präzisieren? Klaus R. schrieb: >> bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen. > Torben, was meinst Du damit? Verstehe ich so, dass er einen Transisotr sucht, der für all diese Steuerspannungen als Schalter geeignet ist. Vermutlich ist ihm nicht klar, dass ein Transistor für 800mV ebenso gut für höhere Spannungen geeignet ist. Nach oben hin kritisch wird es ja in der Regel erst oberhalb von 10V.
Stefan ⛄ F. schrieb: > Max M. schrieb: >> Naja, 'ohne Spulen' und 'Spulen bereits im IC' ist schon ein enormer >> Unterschied ;-) > > Eben, genau diesen Fortschritt finde ich sehr spannend. Ganz normale Miniaturisierung. Die Induktivität wird eben gleich mit auf das Chip Die geätzt. Chip Caps, Chip Rs gibt es ja auch schon lange. Der Chip wird teurer, weil größer, aber ext. Bauteile gibt es auch nicht umsonst und die brauchen PCB Fläche und müssen eingekauft, gelagert und bestückt werden. Also ein einfaches Rechenexempel ob sich Chip interne passive Bauteile rechnen. Chips sind je nach Strukturbreite relativ billig in Massenstückzahlen zu bauen. Mikromechanik = MEMS Mikrophone, Inclinometer, Accelermeter, Gyroskope die Verstärker und AD Wandler gleich integrieren.
Stefan ⛄ F. schrieb: > Klaus R. schrieb: >> Wenn es funktioniert wird man in der Regel >> kein Bauteil finden das diese Schaltung ersetzen könnte. > > Das hast du sicher nicht so gemeint, wie es bei mir ankommt. Kannst du > dieses Satz präzisieren? Eigentlich wollte ich darauf hinweisen das es nicht einen Transistor gibt der die Anforderungen der vier Schaltschwellen umsetzen kann. Wenn, dann ist eine umfangreichere Schaltung erforderlich. Also es wäre besser ein IC einzusetzen und das für jede der Schaltspannungen. Mit einem diskreten Transistor wird es schwer zwischen 0,8 V und 1,0 V vernüftig zu differenzieren. Ausserdem fehlen so und so die Angaben zur den erforderlichen Toleranzen und letztlich der Hysterese. Der aus meiner Sicht mögliche Ansatz wäre vier Schmitt Trigger, mit Trimmer justiert, zu verwenden. Aber dann ist noch der Hinweis des TO auf OR und AND. Das passt irgendwie nicht. Aber vielleicht will der TO etwas ganz anderes. mdf Klaus
Klaus R. schrieb: > Aber vielleicht will der TO etwas ganz anderes. Scheint so. Schade dass er sich nicht mehr meldet. Ich finde das respektlos, wenn Leute hier um Hilfe bitten und dann einfach verschwinden ohne Bescheid zu geben, während die Helfer weiterhin ihre Zeit nutzlos vergeuden. Irgendwann hilft hier niemand mehr ernsthaft.
Nennt sich Outsourcing. Manche spezialisieren sich da schon im Kindergarten drauf.
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