MOSFET-Übersicht

Im Forum wird immer wieder gefragt, welchen Mosfet-Transistor man für ein Projekt einsetzen sollte. Und wo man die herbekommt. Deshalb soll hier eine Übersicht mit gängigen Mosfet-Transistoren und Bezugsquellen entstehen. Bezugsquellen sollten nach Möglichkeit solche sein, die auch für den privaten Bastler in Frage kommen.

Der Thread zum Thema: http://www.mikrocontroller.net/topic/41588

Siehe auch: Transistor-Übersicht - Dioden-Übersicht - Standardbauelemente

P-Kanal MOSFET

Alles selbstsperrend, sog. Anreicherungstypen. Bemerkung: sogenannte Verarmungstypen oder selbst leitende Mosfets sind in der P-Kanal Ausführung nicht für den Konsumermarkt erhältlich. Diese sind nur in integrierten Schaltungen zu finden.

Name	Gehäuse	Her steller	[math]\displaystyle{ U_{GS(th)} }[/math] /V	[math]\displaystyle{ U_{DS} }[/math] /V	[math]\displaystyle{ I_D }[/math] /A	[math]\displaystyle{ P }[/math] /W	[math]\displaystyle{ R_{DS,on} }[/math] [math]\displaystyle{ m\Omega }[/math]	Bemerkung	Lieferant	Preis /€
IRLML2244	SOT-23	IRF	1,1	20	4,3	1,3	54	-	TME,Rei,Con,Far,Mou	0,10
BS250	TO-92, SOT-23	Siliconix	4,0	60	0,12	0,35	10000	-	Rei,Bü	0,32
BSH205	SOT-23	Phi	1,0	12	0,75	0,4	500	Qg = 3,8nC	csd (a.A.)	0,30
SI2301	SOT-23	Vishay	1,5	20	2,0	0,7	150	Qg =4,5nC	farnell	0,30
IRLML6402PBF	SOT-23	IRF	1,2	20	3,7	1,3	65	2,5V LL	Rei,csd,Bü	0,15
IRLML6302PBF	SOT-23	IRF	1,5	20	0,75	0,54	600		Rei,csd,Bü	0,18
BSS83P	SOT-23	Inf	2,0	60	0,33	0,36	2000	nicht mit BSS83 (ohne P) verwechseln	Rei	0,11
BSS84	SOT-23	Fairchild,NXP	2,0	50	0,13	0,35	10000	-	Fa	0,28
BSS110	TO-97, SOT-23	Phi	3,0	50	0,17	0,35	10000	-	-	-
PMV65XP	SOT-23	Phi	1,4	20	3,9	?	76	grosser ID für Bauform	Spo, RS	0,10
IRF4905S	D2Pack	IRF	4,0	55	64	3,8	20	-	Rei, Con	1,10
IRF4905	TO-220AB	IRF	4,0	55	74	200	20	-	Rei	0,93
IRF5210	TO-220AB	IRF	10,0	100	40	200	60	-	Rei	1,15
IRF5210S	D2Pack	IRF	10,0	100	40	?	60	-	Rei	1,25
IRF7205	SO-8	IRF	3,0	30	4,6	2,5	70	?	Rei	0,34
FDC604P	SuperSOT-6	Fairchild	1,5	20	5,5	0,8-1,6	33	-	csd (a.A.)	0,70
NDS0610	SOT-23	Fairchild	1,8	60	0,12	0,36	10000	-	csd	0,07
IRF5305	TO-220AB	IRF	4,0	55	31	110	60	-	Rei, CBo	1,00
NDS352P	SOT-23	Fairchild	4,5	20	0,85	0,5	500	-	Con	0,76
BSP171	SOT-223	Siemens	1,4	60	1,7	1,8	350	-	-	-
IRFD9014	HEXDIP, DIP4	IRF	2,0	60	1,1	1,3	500	-	Con	0,65
IRFD9024	HEXDIP, DIP4	IRF	2,0	60	1,6	1,3	280	-	Con,Rei	0,50
IRF7416	SO-8	IRF	1,0	30	10	2,5	20	-	Rei,Con	0,43
SUP75P03-007	TO-220AB	Vishay	3,0	30	75	187	7	-		2,30
IRF7220	SO-8	IRF	0,6	14	11	2,5	8,2	2,5V LL, Qg=84nC	Con, Rei	0,58
IRF7410	SO-8	IRF	0,4...0,9	12	16	2,5	7	1,8V LL, Qg=91nC	Dis, Rei	0,85
AOC2413	MCSP	Alpha&Omega	0,42	8	3,5	0,55	28	1,2V LL, Qg=19nC	Digikey
AOD403	D-Pak	Alpha&Omega	1,5..3,5	30	70/12	90	8@10V	Evtl.Alt.zu IRF4905/S	Rei,[1]	0,62

(Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar; a.A. = Auf Anfrage, LL Logic Level, LIN Linearbetrieb möglich)

N-Kanal MOSFET

Alles selbstsperrend, also Anreicherungstypen. Statt MOS-Verarmungstypen auf sFET/jFET(s.u.) zurückgreifen!

Name	Gehäuse	Her steller	[math]\displaystyle{ U_{GS(th)} }[/math] /V	[math]\displaystyle{ U_{DS} }[/math] /V	[math]\displaystyle{ I_D }[/math] /A	[math]\displaystyle{ P }[/math] /W	[math]\displaystyle{ R_{DS,on} }[/math] [math]\displaystyle{ m\Omega }[/math]	Bemerkung	Lieferant	Preis /€
IRLML6244	SOT-23	IRF	0,5-1,1	20	6,3	1,3	21		Rei	0,13
SI2302DS	SOT-23	Vishay	0,65-4,5	20	6	1,25	70	2,5V LL, sehr billig	Ali	0,01
IRFP4310Z	TO-247AC	irf	2-4	100	120	280	4,8		Rei	1,80
IRFP450	TO-247	irf	2,0-4,0	500	14	190	400		Rei	1,20
IRF530	TO-220	irf	2,9	100	16	94	160	LIN	Rei	0,44
IRL3103	TO-220AB	irf	1,0	30	64	94	12	4,5V LL, Qg=33nC (!)	Seg	0,95
IRF730A	TO-220AB	irf	2,0-4,5	400	5,5	74	1000	Qg=22nC (!)	Rei	0,54
IRFP064	TO-247AC	irf	2,0	60	70	300	9	Qg=190 nC	Rei	1,65
IRF3205	TO-220AB	irf	2,0	55	110	200	8		Rei	0,69
IRL3803	TO-220AB	irf	1,0	30	140	200	6	4,5V LL, Qg=140nC	Rei	0,96
IRF540	TO-220AB	irf	3	100	28	150	77	LIN	Rei,Kes	0,52
IRF7401	SO-8	irf	2,7	20	8,7	2,0	22	2,7V LL	Rei, CBo	0,45
IRF7403	SO-8	irf	4,85	30	8,5	2,5	22	4,5V LL	Rei	0,42
IRF7413	SO-8	irf	3,0	30	13,0	2,5	11	4,5V LL	Rei,Kes	0,41
BUZ11	TO-220	ST	4,0	50	33,0	90,0	30	LIN, SOA-Grenzen herstellerabhängig!	Rei	0,50
BSS83	SOT143	NXP	2,0	10	0,05	0,23	45000	nicht mit BSS83P verwechseln, Substratanschluss herausgeführt	RS,TME	0,10
BS170	TO-92	gs	2,0	60	0,3	0,83	5000	LIN	Rei	0,13
BSN20	SOT-23	gs	1,8	50	0,18	0,35	6000	4,5V LL, LIN	Rei	0,092
BSS138	SOT-23	div	0,8-1,6	50	0,22	0,36	2000	5V LL, LIN	Rei	0,06
BSS123	SOT-23	div	0,8-1,6	100	0,17	0,36	10000 @ 4,5V,	4,5V LL, LIN	Rei	0,06
IRFP2907	TO-247AC	irf	4,0	75	209	470	4,5		Rei	2,70
2N7000	TO-92	ON	3,0	60	0,2	0,35	5000	4,5V LL, LIN	Rei,Kes	0,13
BS107	TO-92	ON, Phi	3,0	200	0,25	0,35	6400/14000	2,6V LL; LIN	Rei	0,18
BS108	TO-92	ON, Phi	2,0	200	0,25	0,35	8000	2V LL; LIN	Rei	0,14
BUK100	TO-220	Phi	3,0	50	13,5	40	125	Überlast + ESD-Schutz	Rei	1,40
IRL3705N	TO-220AB	irf	2,0	55	89	170	10	4V LL, Qg=98nC	Rei	1,20
BUZ72A	TO-220	Infineon	4,0	100	9,0	40	250	5V LL, LIN	Rei	0,45
IRLZ34N	TO-220	irf	2,5	55	30	68	35	4V LL, LIN	Rei,Far,Con,CBo	0,39
IRLZ44N	TO-220	irf	2	55	47	110	22	4V LL, LIN	CBo	0,49
IRLML2502	SOT-23	irf	1,2	20	4,2	1	45	2,5V LL	csd Rei (neu)	0,17
IRF1404	TO-220AB	irf	4,0	40	202	333	4	-	Rei	1,10
IRL1004	TO-220	irf	2,7	40	130	200	6,5	-	Rei	1,25
IRL530	TO220, D2Pack	irf	2	100	15,0	88	160		Rei	0,57
IRF830	TO220AB	irf	2,0-4,5	500	5,0	74	1400	LIN	Rei,Kes	0,57
IRF840	TO220AB	irf	2,0-4,0	500	8,0	125	850		Rei	0,57
FDC645N	SuperSOT-6	Fairchild	1,5	30	5,5	0,8/1,6	30	-	csd (a.A.), Far	0,7
BSP297	SOT-223	Siemens/Infineon	0,8-2,4	200	0,65	1,8	6000	200V [math]\displaystyle{ U_{DS} }[/math], SMD und 4,5VLL, LIN (seltene Kombinaton)	Far, Schu, RS	0,56
IRF7455	SO-8	irf	4,5	30	15	2,5	7,5		Kes	1,04
SI4442DY	SO-8	vis	2,5	30	22	2,5	5/4,5V		Kes	1,64
IRLU2905	TO251, DPack	irf	2,0	55	42	110	27	4V LL	Rei,Far,CBo	0,54
IRFD014	HEXDIP/DIP4	irf	2,0-4,0	60	1,7	1,3	200		Con,Rei	0,52
IRFD024	HEXDIP/DIP4	irf	2,0-4,0	60	2,5	1,3	100		Con,Rei	0,54
IRLD024	HEXDIP/DIP4	irf	1,0-2,0	60	2,5	1,3	100	4V LL	Con,Rei	0,47
IRLU3717	I-Pak	irf	2,0	20	120	1,5/89	4	4,5V LL, Qg=21nC,	Con,Rei	1,15
IRFP3703	TO-247AC	irf	4,0	30	210	230	2,8		Con	5,08
IRF3710	TO-220AB	irf	4	100	57	200	23		Rei,Con	0,83
IRLR7843	D-Pack	irf	2,3	30	164	140	3,3	4,5V LL, Qg: 34nC		0,70
IRF1010N	TO-220AB	irf	4	55	85	180	11		Rei,Far	1,99
IRF1010Z	TO-220AB	irf	4	55	75	140	7,5		Rei,Con, Far	1,99
IRLIZ44N	TO-220-Fullpak	irf	1,0 - 2,0	55	30	45	25	4V LL	Rei,Con	0,80
IRLU024N	TO-251AA	irf	1,0 - 2,0	55	17	45	80	4V LL, Qg=15 nC (!)	Rei,Con	0,40
IRFZ48N	TO-220AB	irf	3	55	64	130	14		Rei,Con	0,60
IRL2505	TO-220AB	irf	2,5	55	104		8	4V LL	Far	3,99
IRF7607	Micro8	irf	1,2	20	6,5	1,8	30	2,5V LL	Con	1,89
IRF3708	TO-220AB	irf	0,6 - 2	30	62	87	8	2,8V LL	Rei,Con,CBo	0,69
GF2304	SOT-23	gs	1,0	30	2,5	1,25	135	Qg=3,7nC	Pol	0,05
IRLR8743	I-Pak, D2Pack	IRF	1,9	30	50	68	3,1	4,5V LL, Qg=39nC	Rei Con	1,15
AOC2414	MCSP	Alpha&Omega	0,52	8	4,5	0,55	19	1,2V LL, Qg=21,5nC	Digikey
BSS131	SOT-23	Infineon	0,8-1,8	240	0,4	0,36	14

(Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar; a.A. Auf Anfrage, LL Logic Level, LIN Linearbetrieb möglich)

N-Kanal J-FET

Name	Gehäuse	Her steller	[math]\displaystyle{ U_{GS(co)} }[/math] /V	[math]\displaystyle{ U_{DS} }[/math] /V	[math]\displaystyle{ I_{D(max)} }[/math] /mA	Lieferant	Preis /€
BF245A	TO-92	obsolet	-2,2	30	6,5		0,15 €
BF245B	TO-92	obsolet	-3,8	30	15		0,15 €
BF245C	TO-92	obsolet	-7,5	30	25		0,15 €
BF246A	TO-92	obsolet	-4	25	80		0,15 €
BF246B	TO-92	obsolet	-7	25	140		0,17 €
BF246C	TO-92	obsolet	-12	25	250	?	?
BF511	SOT-23	diverse	-1,5	20	7	Rei	0,36 €
BFR30	SOT-23	diverse	-4	25	10	Kes	0,29 €
BFR31	SOT-23	diverse	-2	25	5	Kes	0,29 €
MMBF4416	SOT-23	Fairchild	-5,5	15	5	Con	0,52 €

(Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar)

FET-Paare

Bezeichnung	Package	Hersteller	U_GS/V	U_DS/V	I_D/A	P/W	R_DSon/mΩ	Bemerkung	Lieferant	Einzelpreis
IRF7389	SO-8	IRF	3,0	30	7,3/-5,3	2,0	29/58	P+N	Rei	0,56 €
IRF7501	micro8	IRF	2,7	20	2,4	?	135 @4,5V_GS	2*N	Kessler, Con	1,64 €
IRF7506	micro8	IRF	4,5	30	1,7	?	270 @10V_GS	2*P	Kessler, Con	0,56 €
IRF7103	SO-8	IRF	4,5	50	2,3	2	130 @10V_GS	2*N	Rei, Con	0,32 €
IRF7104	SO-8	IRF	4,5	20	2,3	2	250 @10V_GS	2*P	Rei	0,32 €
IRF7316	SO-8	IRF	4,5	30	4,9	?	58 @10V_GS	2*P	Rei	0,49 €
IRF7313	SO-8	IRF	4,5	30	6,5	?	46 @4.5V_GS	2*N	Kessler, Con	0,66 €
FDD8424H	Dual DPAK4L	Fairchild		40	9/-6,5	3	24/54 @10V_GS 30/70 @4,5V_GS	P+N	Digi-Key	0,73 €
SUD50NP04-94	TO252-4L DPAK4L	Vishay	2	40	8	8?	41/53 @10V_GS 45/72 @4,5V_GS	P+N	Farnell	0,56 €
IRF7309	SO-8	IRF	4,5 -4,5	30 -30	4 -3	1,4	50/100 @10V_GS 80/160 @4,5V_GS	P+N	Rei	0,38 €
IRF7307	SO-8	IRF	2 -2,5	20 -20	5,2 -4,3	2	50/90 @4,5V_GS 70/140 @2,7V_GS	P+N	Rei	0,47 €
IRF7343	SO-8	IRF	3 -3,5	55 -55	4,7 -3,4	2	43/95 @10V_GS 56/150 @4,5V_GS	P+N	Rei	0,47 €
IRF7319	SO-8	IRF	3 -3,5	30 -30	6,5 -4,9	2	23/42 @10V_GS 32/76 @4,5V_GS	P+N	Rei	0,50 €
IRF7314	SO-8	IRF	-2,0	-20	-5,3	2,0	49 @-4,5V_GS 82 @-2,7V_GS	2*P	Rei	0,45 €
IRF7314	SO-8	IRF	-2,0	-20	-5,3	2,0	49 @-4,5V_GS 82 @-2,7V_GS	2*P	Rei	0,45 €
IRF7304	SO-8	IRF	-2,5	-20	-4,3	2,0	90 @-4,5V_GS 140 @-2,7V_GS	2*P	Rei	0,46 €
IRF7306	SO-8	IRF	-4,5	-30	-3,6	2,0	100 @-10V_GS 160 @-4,5V_GS	2*P	Rei	0,47 €
IRF7342	SO-8	IRF	-3,5	-55	-3,4	2,0	95 @-10V_GS 150 @-4,5V_GS	2*P	Rei	0,50 €
IRF7328	SO-8	IRF	-3,5	-30	-8,0	2,0	17 @-10V_GS 26,8 @-4,5V_GS	2*P	Rei	0,80 €
IRF7324	SO-8	IRF	-1,5	-20	-9,0	2,0	18 @-4,5V_GS 26 @-2,5V_GS	2*P	Rei	0,87 €
IRF7303	SO-8	IRF	4,5	30	4,9	2,0	50 @10V_GS 80 @4,5V_GS	2*N	Rei	0,43 €
IRF7301	SO-8	IRF	2	20	5,2	2,0	50 @4,5V_GS 70 @2,7V_GS	2*N	Rei	0,46 €
IRF7341	SO-8	IRF	3	55	4,7	2,0	43 @10V_GS 56 @4,5V_GS	2*N	Rei	0,46 €
IRF7311	SO-8	IRF	2	20	6,6	2,0	23 @4,5V_GS 30 @2,7V_GS	2*N	Rei	0,60 €
IRF7380	SO-8	IRF	4,5	80	3,6	2,0	61 @10V_GS	2*N	Rei	0,57 €
IRFI4024H-117P	TO-220-5	IRF	2	55	11	14	50 @10V_GS	2*N	Reichelt	2,10 €

(Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar)

MOSFET-Treiber

Nahezu alle MOSFET-Treiber haben eine der typischen Gatespannung von Leistungs-MOSFETs angepasste Speisespannung von 10..20 V. In der Regel werden sie mit 12 V betrieben. (Die Spannungsangabe in der Tabelle bezieht sich daher auf die Brückenspeisespannung und gilt nur für High-Side-Treiber.) Davon unabhängig kann die Schwellspannung für Logikeingänge TTL-kompatibel sein (für Mikrocontroller) oder bei der halben Speisespannung liegen (für konventionelle Schaltungen).

Detaillierte Treiber-Dimensionierung
Treiber-Typ:
- Low = Low-Side-Treiber (ohne Potenzialversatzstufe)
- High = High-Side-Treiber (mit Potenzialversatzstufe)
- High + Low = beide Treiber mit getrennten Logikeingängen
- Halbbrücke = beide Treiber mit gemeinsamem Logikeingang und eingebautem Totzeitgenerator
- Vollbrücke = zwei Halbbrückentreiber

Bezeichnung	Treiber-Typ	Strom	Spannung	Logikeingang	Sockel	Lieferant / Datenblatt	Einzelpreis
IR2101	High + Low	130/270mA	600V	3,3V	DIL8/SO8	Con	2,30 €
IR2104	Halbbrücke	I_H = 130 mA I_L = -270 mA	600V	U_L ≤ 0,8 V U_H ≥ 3 V	DIL8/SO8	Rei Con	1,15 € 2,00 €
IR2110	High + Low	2A	500V	3,3V	DIL14/SO16	Rei Con	1,30 € 1,55 €
IR2111	Halbbrücke	200/430mA	600V	10-20V CMOS Eingang	DIL8/SO8, maximale Kriechwege	Rei Con	1,10 €
IR2112	High + Low	200/420mA	600V	3,3V	DIL14/SO16	Rei Con	1,45 €
IR2113	High + Low	2A	600V	3,3V	DIL14/SO16	Rei Con	1,85 €
IR2117	High	200/420mA	600V	10-20V CMOS Eingang	DIL8/SO8, maximale Kriechwege	Rei Con	1,20 €
IR2121	Low	1A/2A	-	2,5V	DIL8/SO8, Strombegrenzung	Rei Con	2,15 €
IR2125	High	1A/2A	500V	2,5V	DIL8/SO8, Strombegrenzung, maximale Kriechwege	Rei Con	4,20 €
IR2127	High	200/420mA	?	3,3V	DIL8/SO8, maximale Kriechwege, Fehlerausgang	Rei Con	2,40 €
IR2130	3-Phase Bridge	200/420mA	600V	2,5V	DIL28/SO28	Rei Con	2,50 €
IR2151	Halbbrücke mit Oszillator	100/210mA	600V	?	DIL8/SO8	Rei Con	2,50 €
IR2153	Halbbrücke mit Oszillator	100/210mA	600V	n/a	DIL8/SO8	Rei Con	1,20 €
IR2155	Halbbrücke mit Oszillator	210/420mA	600V	n/a	DIL8/SO8	Rei Con	3,50 €
IR2181	High + Low	1.4A/1.8A	600V	3,3V/5V	DIL8/SO8	Rei Con	2,10 €
IR2183	Halbbrücke	1.4A/1.8A	600V	3,3V	DIL8/SO8	Rei	4,00 €
IR2184	Halbbrücke	1.4A/1.8A	600V	3,3V/5V	DIL8/SO8	Rei Con	3,20 €
IR2136	3 Phase Bridge	120/250mA	600V	3,3V	DIP28/SOIC28,	Con	1,80 €
ICL7667	2 x Low	?	4.5-15V, 7Ω	3,3V	DIL8/SO8	Rei	2,00 €
HIP4081A	Vollbrücke	2,5A	80V	?	DIP20/SOIC20	Far	8,00 €
HIP4082	Vollbrücke	1,2A	80V	?	DIP16/SOIC16	Far Far	6,20 €
HIP4083	3 x High	0,3A	80V	?	DIP16/SOIC16	Far	4,80 €
HIP4086	3 Phase Bridge	0.5A	80V	?	DIP24/SOIC24	Far	8,00 €
TC4451/TC4452	Low	12A peak, 2,5A DC	?	4,5-18V	DIL8/SO8	Far	3,00 €
LM5104	Halbbrücke	1,6/1,8A	100V	2,5V	SO8/LLP10	RS	3,20 €
MCP1407-E/P	Low	6A peak, 1,3A DC	4,5-18V	4,5-18V (VDD+0,3V)	DIL8/SO8	Rei	0,93 €
MCP1416	Low	1.5A peak	4.5-18V	3.3V - VDD+0.3V	SOT-23-5	TME	0,76 €
MAX626	2 x Low, inverting	?	?	4,5-18 V	DIL8/SO8	Rei	3,40 €
NCP5106	High + Low	250/500mA	600V	2,3-20V	DIL8/SO8	Far	2,37 €
NCP5304	High + Low	250/500mA	600V	2,3-20V	DIL8/SO8	Far	2,02 €
FAN7380	Halbbrücke	90/180mA	600V	2,5-25V	SO8	Far	0,99 €
FAN7382	High + Low	350/650mA	600V	2,9-20V	DIL8/SO8/S014	Far	1,25 €
FAN7361	Halbbrücke	250/500mA	600V	3,6-25V	SO8	Far	1,18 €
FAN7362	Halbbrücke	250/500mA	600V	2,9-25V	SO8	Far	1,71 €
FAN7842	High + Low	350/650mA	200V	2,9-25V	SO8	Far	1,05 €

Anmerkungen

U_GS(th) - minimale Gatespannung, bei welcher der MOSFET zu leiten anfängt (100µA..1mA, nicht genormt). Zur vollständigen Durchschaltung bei maximalem Strom braucht es höhere Spannungen, siehe Artikel FET.
Logic Level - FET schaltet bei niedrigen Gatespannungen von typisch 4,5V (z. B. CMOS Logikpegel) hinreichend durch. Normale MOSFETs brauchen hierfür typisch 10V.
U_GS(co) - Gate Source Cut Off Spannung, bei welcher der Drainstrom I_D eines JFETs praktisch Null ist. Die Messbedingung ist jedoch nicht genormt (0,5nA..200µA).
N-Kanal MOSFETs mit niedrigem R_DS,On sind technologisch einfacher herzustellen als P-Kanal MOSFETs. Deshalb gibt es bei P-Kanal keine so große Auswahl und oft werden Schaltungen angestrebt, in denen ausschließlich N-Kanal MOSFETs verwendet werden. Es gibt spezielle Treiberbausteine, die über eine Ladungspumpe für entsprechend hohe Gatespannung auch für die High-Side N-Fets sorgen ("Bootstrap Circuits", siehe Artikel Treiber).
Bei der Dimensionierung ist zu beachten, dass die Stromangabe im allgemeinen für 25°C gilt. Geht man davon aus, dass der MOSFET mit maximal zulässigem Strom betrieben wird und mit passend dimensioniertem Kühlkörper ausgestattet ist, so beträgt die Sperrschichttemperatur bis zu 150°C, folglich gilt z. B. für den IRF540 nicht mehr 28A, sondern nur noch ca. 12-15A.
Restströme sind auch stark temperaturabhängig. Bei höherer Temperatur nehmen die Restströme exponentiell zu. So können bei 100°C durchaus 100 µA zwischen Source und Drain auch im gesperrten Zustand fließen. Bei 25°C ist dieser Reststrom meist bei 1µA spezifiziert. Real sind es meist weniger.
Der Gate-Charge-Wert Qg (s. Datenblatt) bestimmt, wie schnell das Gate beim Schalten umgeladen werden kann. Auch wenn MOSFETs stromlos den durchgeschalteten Zustand halten können, braucht man während des Umschaltvorganges einen Strom, der das Gate umlädt (ähnlich wie ein Kondensator). Je höher dieser Strom, um so schneller ist der Umschaltvorgang und um so geringer die Verlustleistung während dieser Phase. Leistungs-MOSFETs können bei höheren Frequenzen (>1KHz) oft nur mit höheren Gateströmen von 0,1A-2A sinnvoll geschaltet werden. Man kann das Gate also nicht direkt an einen Digitalpin anschließen. Man braucht einen MOSFET-Treiber. Manche MOSFETs haben eine sehr geringe Total Gate Charge (z. B. 4-10nC). Diese können in gewissen Grenzen recht gut direkt an digitalen Logikausgängen betrieben werden, ein praktisches Beispiel findet sich hier. Zur Abschätzung kann man sich merken: Wenn man das Gate eines MOSFETs mit einer Eingangskapazität von 1nF (~10nC) in 100ns auf 10V aufladen will, braucht man dazu 100mA.

Lieferantenübersicht

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IRF MOSFET-Codierung

IRF: Alle "Standardtransistoren", also TO-220-Gehäuse
IRFB: Hochspannungs-MosFETs
IRFD: MosFETs im Dip-4-Gehäuse
IRFI: MosFETs im isolierten TO-220-Gehäuse
IRFP: MosFETs im TO-247AC-Gehäuse
IRFR: MosFETs im D-Pak
IRFU: MosFETs im I-Pak
IRFZ: Also die die ich kenne liegen alle so bei 50-60V mit relativ niedrigem Rds(on), also so für mittlere Leistungen
IRG: Afaik sind das IGBTs
IRL: Logic-Level MosFETs
IRLD: Logic-Level MosFETs im Dip-4 Gehäuse
IRLI: Logic-Level MosFETs im isolierten TO-220-Gehäuse
IRLR: Logic-Level MosFETs im D-Pak
IRLU: Logic-Level MosFETs im I-Pak

Links

FET
IGBT
Treiber
H-Brücken Übersicht
Forumsbeitrag: Clevere MOSFET-Treiber mit kleinsten Trafos
Forumsbeitrag: Galvanisch getrennte Ansteuerung eines MOSFETs mittels Übertrager und 100% Tastverhältnis

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