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Marantz_2245_Schematic_HiRes_ALL.pdf
10 4n7 2k21 R708 C703 C709 R724 R722 C711 16 3.2 H316 R309 R355 H319 220n C333 16 16 16 H158 100k 22 5n6 680k 2k2 1n65 C303 R319 (2.4) R307 2k2 56k 2.5 C331 1 6.3 4n7 330 1k2 R315 12.2 L305 167 6.2 25 J312
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SCH_ESP32-Ethernet-Kit_A_V1.2_20200528.pdf
R10 R15 R11 R16 R12 R13 Y1 50M_CLKO R14 0R(5%) R9 0R(5%) REF_CLK_50M 1 1 1 1 1 1 IOVDD33 1M(1%)(NC) 25MHz+/-10ppm K K K K K K D 1 4 GND % % % % % % D XIN GND 2 Use internal Clock:Y1+R14+R6+R9 COL/RMII ) ) ) ) ) ) VDD33_PHY N N XO R3 0R(5%) C2 20pF/50V(5%) TEST_ON ) ) GND RXER/INTR_32 R22 25MHz Crystal
in „Arduino Library für Netzwerkchip W5500?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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tcmt1100.pdf
www.vishay.com Vishay Semiconductors ) 55 e F = 35 mA a 1.2 ) 50 u F = 5 mA A 45 a 1.0 ( I = 30 mA - t 40 F n e 35 n 0.8 u F = 25 mA ( C 30 T r 25 F = 20 mA C 0.6 t d e 20 F = 15 mA i o 15 a 0.4 C I = 10 mA m - 10 F = 1 mA F o 0.2 I 5 N Normalized to CTR value: IF= 5 mA - F = 5 mA, CE= 5 V, amb= 25 °C 0 C 0
in „ULN2803 mit 24V ansteuern“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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at91rm9200-ek.pdf
H3 PD21/RTS0/TPK9 PC23/D23 R15 D24 PD23 PD22/RTS1/TPK10 PC24/D24 D25 PD24 H1 PD23/RTS2/TPK11 PC25/D25 T17 D26 J3 PD24/RTS3/TPK12 PC26/D26 P14 PD25 J1 PD25/DTR1/TPK13 PC27/D27 P15 D27 PD26 J4 PD26/TPK14 PC28/D28 N13 D28 PD27 J2 PD27/TPK15 PC29/D29 R16 D29 N15 D30 C K5
in „SD-RAM aus PC für AT91RM9200 (ARM9)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PH320240T-004-IC1Q.pdf
¡Bbubble ) Area of bubble in polarizer, A > 1.0mm, the number N.G. Minor of bubble is > 1 piece. 0.4mm < Area of bubble in polarizer, A < 1.0mm, the number of bubble is > 4 pieces. N.G. Minor Burned area or wrong part number is on PCB N.G. Major The symbol, character
in „[V] 3 x Powertip TFT 3.5" Digital 24Bit RGB Module zu verkaufen“ · Markt ·
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X25_xxx_01_SP_E-1.pdf
Cluster Concept Fig. 1 Microcomponents SA Maienstrasse 11 | CH 2540 Grenchen 1 / 16 Phone +41 / 32 655 25 25 | e mail info@microcomponents.ch | www.microcomponents.ch X25 Specification X25.xxx.01.SP.E A COMPANY OF THE Pin Connection Schematic Front contacts Rear contacts 1 4 1 4 4 1 2 3 2 3 3 2 Fig. 2 Absolute
in „Ein Füllstandmesser auf Einperlungsbasis“ · Haus & Smart Home ·
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tpc8123.pdf
test A S −0.3 ( V I −24 e t a n l −0.2 r v c −16 e n r a o D − −0.1 −8 i ID = −11A Ta = 100°C −55°C r −5.5 D 25°C −2.8 0 0 0 −1 −2 −3 −4 0 −4 −8 −12 −16 −20 Gate−source voltage VGS (V) Gate−source voltage VGS (V) |Y fs – D RDS (ON) – ID 100 100 Common source Ta = 25°C e Ta = −55°C c Pulse test n 100 n a t i 10 25 s Ω d r m a S N ( e ( O ) VGS = −4.5 V s | e N 10 a f r ( t | o S −10 r 1 s R a i r r F Common source D VDS = −10 V Pulse test 0−0.1 −1 −10 −100 −0.1 −
in „Autobatterie Ladegerät Transistor defekt - Äquivalentes Bauteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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X100-LEB_LET_A2A.pdf
Radiating Surface Leuchtdichte Luminance (typ.) LV 14*10 6 3.5*10 6 cd/m² IF= 500 mA (T, B) 2005-10-12 4 LE T A2A, LE B A2A SMD NTC Thermistors SMD NTC Thermistors R 25 No. of R/T B25/50 B 25/85 Resistance B value characteristic Tolerance Tolerance [Ω] s* [K] [K] ∆ R /R ∆ B/B N N 10k EPCOS 8502 3940 3980
in „[V] Hochleistungs-LED-Module auf Metallkernplatine“ · Markt ·
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LM78XX.pdf
Current Change ΔIQ IOUT=5mA - 1.0A 0.5 mA Output Noise Voltage eN 10Hz≦f≦100kHz 55 μV Temperature Coefficient of Vo ΔVo/ΔT IOUT=5mA -0.4 mV/°C Ripple Rejection RR V I N3V–16.3V, f=120Hz, T =J5°C 57 dB Peak Output Current IPEAK T J25°C 1.8 A Short-Circuit Current SC
in „2 Spannungen mit 1 Labornetzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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projekt_snt.pdf
_25 = 4Ω -20% • Parameter k = 1,2 • Parameter n = -1,34 Datenblattgrenzwerte des Gleichrichters KBU12A..M: • IFSM = 300A peak • i dt = 375A s 4.5.1 Stoßstrom bei kalten NTC‘s U 358V IFSM_25 = EIN_Scheitel
in „2kW Gleichstromleistung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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uA710.pdf
C 0.25 3.0 J.LA TA = -55°C 1.8 7.0 J.LA Average Temperature Coefficient TA = 25° C to TA = +125° C 5.0 25 nA/oC of Input Offset Current TA = 25° C to TA = _55° C 15 75 nA/oC Input Bias Current TA = -55o.C 27
in „Nun ich auch mal - Suche Datenblätter zu ICs“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ACS758-Datasheet.pdf
Measured as sum of PROP and tr – 4 – μs 4 Internal Bandwidth BW i –3 dB; TA= 25°C, COUT = 0.47 nF – 120 – kHz Output Load Resistance RLOAD(MIN) VIOUT to GND 4.7 – – kΩ Output Load Capacitance C VIOUT to GND – – 10 nF LOAD(MAX) Primary
in „Passender ADC für Dtrommessung mit ACS758“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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max232cpe.pdf
5 TA4IN TB4IN 35 RA2IN 12 29 R B1N 1 ENR ENT 39 RA3IN 13 28 R B2N 11 R IN R IN 29 RA4IN 14 27 R B3N A1 B1 RA5IN 15 26 R B4N 5k 5k TA1OUT 16 25 R B5N 10 R A1OUT RB1OUT 30 TA2OUT 17 24 TB1OUT 12 R A2IN RB2IN
in „UART Problem mit Baudrate“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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453523_1.pdf
5 TA4IN TB4IN 35 RA2IN 12 29 R B1N 1 ENR ENT 39 RA3IN 13 28 R B2N 11 R IN R IN 29 RA4IN 14 27 R B3N A1 B1 RA5IN 15 26 R B4N 5k 5k TA1OUT 16 25 R B5N 10 R A1OUT RB1OUT 30 TA2OUT 17 24 TB1OUT 12 R A2IN RB2IN
in „Bitte um Überprüfung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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datasheet_ao3400.pdf
V GS0V, V =DSV, R =2.L , 2.5 ns tD(off) Turn-Off DelayTime R GEN=3 25 ns t Turn-Off Fall Time 4 ns f trr Body Diode Reverse Recovery Time IF=5.8A, dI/dt=100A/ s 8.5 ns Q rr Body Diode Reverse Recovery Charge IF=5.8A, dI/dt=100A/ s 2.6 nC 2 A. The value θJAis measuredwith
in „24v rgbww controller mosfets und ic's“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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led.pdf
Figure 5. Maximum Forward dc Current vs. Ambient Temperature. Derating Based on T MAX = 11j C 1 I S 0.9 N T 0.8 I 0.7 S U 0.6 N M 0.5 U L 0.4 E I 0.3 L 0.2 M R 0.1 O N 0 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45 ANGULAR DISPLACEMENT – DEGREES Figure 6. Relative Luminous Intensity vs. Angular Displacement. 15 Degree Family. Y 1 I S 0.9 E 0.8 T I 0.7 U O 0.6 I 0.5 M L 0.4 D I 0.3 L A 0.2 R 0.1 O N 0 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45 ANGULAR DISPLACEMENT – DEGREES Figure 7. Relative Luminous Intensity vs. Angular Displacement. 25 Degree Family
in „led dimmerschaltung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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pcm1801_datasheet.pdf
96 96 % % B − d d . 0 B − 2.8 − 95 d a 0.005 a 95 o e −60 dB e B t i o − R N N e e + + n o t 0.004 2.6 s a 94 Dynamic Range 94 - D D c t . . i l r r a n a H y i l a D − o 0.003 2.4 o 93 SNR 93 R T T N − −0.5 dB − S + + D D T T 0.002 2.2 92 92 4.25 4.50 4.75 5.00 5.25 5.50 5.75
in „Analogspannung ADC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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drv5056.pdf
for < 0.5% QΔL 1000 hours DRV5056A1/Z1 190 200 210 DRV5056A2/Z2, VCC= 5 V, 95 100 105 DRV5056A6 TA= 25°C DRV5056A3/Z3 47.5 50 52.5 DRV5056A4/Z4 23.8 25 26.2 S Sensitivity mV/mT DRV5056A1/Z1 114 120 126 DRV5056A2/Z2, VCC= 3.3 V, 57 60 63 DRV5056A6 TA= 25°C DRV5056A3/Z3 28.5 30 31.5 DRV5056A4/Z4 14.3 15
in „Temperaturkompensation Hall-Sensor DRV5056“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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lm35.pdf
R100 L R O3.4 C 80 V TYPICAL T L3.2 I = 1.0 mA N P OUT C 60 U3.0 S S I 40 2.8 TYPICAL U IOUT= 0 ▯A or 50 ▯A Q 20 2.6 2.4 0 ±75 ±25 25 75 125 175 ±75 ±25 25 75 125 175 TEMPERATURE (SC) C005 TEMPERATURE (SC) C006 Figure
in „Signalkonverter Ladegerät“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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lm35.pdf
R100 L R O3.4 C 80 V TYPICAL T L3.2 I = 1.0 mA N P OUT C 60 U3.0 S S I 40 2.8 TYPICAL U IOUT= 0 ▯A or 50 ▯A Q 20 2.6 2.4 0 ±75 ±25 25 75 125 175 ±75 ±25 25 75 125 175 TEMPERATURE (SC) C005 TEMPERATURE (SC) C006 Figure
in „Linearisierung NTC und Anpasssung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LTC1799f_oscillator_info.pdf
TYPICAL PERFOR A CE CHARACTERISTICS Frequency Variation Frequency Variation vs R Over Temperature SET 4 1.00 TA= 25°C RSET= 31.6k 3 GUARANTEED LIMITS APPLY 0.75 ÷1 OR ÷10 OR ÷100 OVER 5k TO 200k RANGE 2 0.50 ) TYPICAL ) TYPICAL ( 1 HIGH ( 0.25 HIGH O N T 0 T 0 I I A –1 TYPICAL A–0.25 V LOW V –2 TYPICAL
in „Ein Rechteckgenerator mit LTC1799 - Nachbrenner?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MAX971-MAX984.pdf
_4 TA= +25°C 5.5 6.5 C/E temp ranges 8.5 COMPARATOR Input Offset Voltage VCM = 2.5V ±10 mV Input Leakage Current (IN-, IN+IN+ = IN- = 2.5V C/E temp ranges ±0.01 ±5 nA Input Leakage Current (HYST) MAX9_1
in „Komparator Aufbau - diskret oder über µC?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ltc485.pdf
Output Current vs Output Current vs Temperature 90 –108 1.64 80 TA= 25°C –96 T A 25°C 1.63 V 70 –84 E1.62 A A G ( 60 (–72 L1.61 N N O R 50 R–60 D1.60 R R O C 40 C–48 S1.59 U U E T 30 T–36 H1.58 U U T O 20 O–24 P1.57 I 10 –12 1.56 0 0 1.55 0 1 2 3 4 0 1 2 3 4 –50 –25 0 25
in „IR mit langer Leitung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ths6214.pdf
-80 i -90 D D n n -95 o -90 o r r Second Harmonic H H -100 -100 -105 -110 -110 400k 1M 10M 40M 0 2 4 6 8 10 12 14 16 Frequency (Hz) Output Voltage PP ) VO= 2 V PP f = 1 MHz Figure 25. Harmonic Distortion vs Frequency
in „HF Linearverstärker für Messzwecke“ · HF, Funk und Felder ·
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datasheet.pdf
(4x4mm) MX25L6405DZNI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-WSON Pb-free (8x6mm) MX25L6405DMI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 16-SOP Pb-free P/N:PM1290 REV. 1.4, OCT. 01, 2008 46 M X 2 5 L 1 6 0 5 D M X 2 5 L 3 2 0 5 D M X
in „MX25L160(5AM2C) neu beschreiben? Gibt es eine DIY Lösung?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Si2303.pdf
Current Capacitance 10 1.6 V = 15 V V = 10 V DS GS ) D = 1.7 A D = 1.7 A ( 8 1.4 e a c o t V i d c 6 e z 1.2 u - a S n m o - ro - 4 n ( 1.0 a ( G D - R G 2 0.8 V 0 0.6 0 1 2 3 4 5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 Q - Total Gate Charge (nC) T - Junction Temperature (°C) g J Gate Charge
in „Highside-Switch gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AO4410.pdf
N5.0 n 1.2 ( O D e R V GS0V l a 4.5 r 1 o N 4.0 0.8 0 10 20 30 40 50 60 0 25 50 75 100 125 150 175 D (A) Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Temperature 16 1.0E+02 1.0E+01 12 ID=18A 1.0E+00 ) 125°C Ω ) 1.0E-01 ( ( N 8 125°C IS S 1.0E-02 D R 1.0E-03 4 25°C 25°C FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. 1.0E-04 1.0E-05 0 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VGS(Volts) VSD(Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics
in „Falsches Ladegerät am Notebook :-(“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Tabelle mit elektrischen Eigenschaften von Zener-Dioden
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Device Min. Typ. Max. Zz (Ω) @ Iz (mA) Zzk (Ω) @ Izk (mA) IR (µA) @ VR (V) TC (%/°C) 1N5221B 2.280 2.4 2.52 30 20 1,200 0.25 100 1.0 -0.085 1N5222B 2.375 2.5 2.625 30 20 1,250
in „Lineares Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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uc384x.pdf
for the UC284X; 0 C TA ≤70°C for the 384X;CC = 15V (Note 5); T = 10k; T =3.3nF,AT =J. UC1842/3/4/5 UC3842/3/4/5 UNITS PARAMETER TEST CONDITIONS UC2842/3/4/5 MIN TYP MAX MIN TYP MAX Reference Section Output Voltage TJ= 25°C, O = 1mA 4.95 5.00 5.05 4.90 5.00 5.10 V Line Regulation
in „uc3845 PWM einstellen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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UC3845.pdf
for the UC284X; 0 C TA ≤70°C for the 384X;CC = 15V (Note 5); T = 10k; T =3.3nF,AT =J. UC1842/3/4/5 UC3842/3/4/5 UNITS PARAMETER TEST CONDITIONS UC2842/3/4/5 MIN TYP MAX MIN TYP MAX Reference Section Output Voltage TJ= 25°C, O = 1mA 4.95 5.00 5.05 4.90 5.00 5.10 V Line Regulation
in „Regler dimensionierung für Sperrwandler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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UC3845.pdf
for the UC284X; 0 C TA ≤70°C for the 384X;CC = 15V (Note 5); T = 10k; T =3.3nF,AT =J. UC1842/3/4/5 UC3842/3/4/5 UNITS PARAMETER TEST CONDITIONS UC2842/3/4/5 MIN TYP MAX MIN TYP MAX Reference Section Output Voltage TJ= 25°C, O = 1mA 4.95 5.00 5.05 4.90 5.00 5.10 V Line Regulation
in „Current Mode PWM Controller“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf
90°C. 2 www.irf.com IRFP4668PbF 1000 1000 VGS TOP 15V TOP 10V 10V ) 8.0V ) 8.0V t 100 7.0V ( 7.0V n 6.0V n 6.0V r 5.5V r 5.5V u BOTTOM 4.5V u 100 BOTTOM 4.5V e 10 C r r o u - ≤60μs PULSE WIDTH S t 1 t i Tj = 25°C n r r 10 D D ,D 0.1 ,D I I 4.5V 4.5V ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 175°C 0.01 1 0.1 1 10 100
in „Ersatz Mosfet für 6kw Wechselrichter "Reliable/WZRELB"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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1811081213_Alpha---Omega-Semicon-AO3400A_C20917.pdf
V GS0V, V =DSV, R =2.L , 2.5 ns tD(off) Turn-Off DelayTime R GEN=3 25 ns t Turn-Off Fall Time 4 ns f trr Body Diode Reverse Recovery Time IF=5.7A, dI/dt=100A/ s 8.5 ns Q rr Body Diode Reverse Recovery Charge IF=5.7A, dI/dt=100A/ s 2.6 nC 2 A. The value θJAis measuredwith
in „Suche Bauteil XOXL-3E“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AO3400A.pdf
V GS0V, V =DSV, R =2.L , 2.5 ns tD(off) Turn-Off DelayTime R GEN=3 25 ns t Turn-Off Fall Time 4 ns f trr Body Diode Reverse Recovery Time IF=5.7A, dI/dt=100A/ s 8.5 ns Q rr Body Diode Reverse Recovery Charge IF=5.7A, dI/dt=100A/ s 2.6 nC 2 A. The value θJAis measuredwith
in „Umsetzung eines 5V Output mit ESP32 und AQY Halbleiterrelais“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLR6225PBF_NMOS.pdf
ID = 42A a V = 4.5V ) i GS ( e 1.4 n 100 R e n u O C TJ= 150°C c d1.2 c u z u 10 S a S o m o n o1.0 - T = 25°C a ( a J D D 1 , , n 0.8 ID ( VDS = 10V D ≤60µs PULSE WIDTH R 0.6 0.1 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 -60 -40 -20
in „FET abgeraucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TS3A24159.pdf
leakage ICOM(ON) or See Figure 12 Full 3.6 V –100 100 nA current VNC or VNO = Open, VCOM = 3 V, Digital Control Inputs (IN1, IN2)) Input logic high V IH Full 1.4 V Input logic low V IL Full 0.5 V Input leakage I , I V = 3.6 V or 0 25°C 3.6 V –40 5 40 nA current
in „ANALOG SWITCH Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2sk3142.pdf
Typical Transfer Characteristics 100 100 VGS = 10 V Pulse Test V DS = 10 V 5 V ) 80 ) 80 Pulse Test ( 4 V ( D 3 V D I 60 I 60 t n n r e u 40 r C u 40 i C r i D r 25°C 20 2.5 V D 20 75°C Tc = –25°C 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 Gate to Source Voltage V GS (V) Drain to Source Voltage VDS (V) 4 2SK3142 Drain to
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ITS4142N_Smart_Switch.pdf
(V bb); tm= 150µs IIN(on/off) = f(T j; V bb = 15 V; V IN = low/high V IN low ≤ 1,8V; VIN high = 5V 4 60 A -40°C µA 25°C 3 p C on ( 125°C N 40 I 2.5 I 2 30 off 1.5 20 1 10 0.5 0 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 V 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100 °C 140 V T bb j Page 14 2006-03-09 ITS 4142N Typ. input current Typ
in „Smart Power Switch galvanisch entkoppelt ansteuern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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OSRAM_LSG_T676.pdf
measured and binned, single wavelength groups will be shipped on any one reel. E.g. LSG676-P7Q7-1+N7P7-24 means that only 1 wavelength group -2, -3 or -4 will be shippable. LSG76-P7Q7-1+N7P7-24 means that the device will be shiped within the specified limits as stated onge 4. In order to ensure availability
in „Farberkennung mit Fototransistor (oder doch nicht?)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BUZ71A.pdf
Corporation BUZ71A Rev. B BUZ71A Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued) ) 15 0.4 ( PULSE DURATION = 80µs VGS = 5V5.5V 6V 6.5V 7V 7.5V 8V T DUTY CYCLE = 0.5% MAX E VDS = 25V E R TJ= 25 C N R A 0.3 C S E 10 S C E U R O N 0.2 S O 9V O E N 5 I 10V I A R M 0.1 20V , R N O ( N PULSE DURATION
in „AVR + N-Mosfet Transistor“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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OP07_a.pdf
– – 0 C T 70 C – AT |DIFF < 1.0B. |I | < 7nA (OP07C) U U1.0 A T V S= 15V P0.8 P E20 T = 25 C I I R A O O U D D0.8 C 10 E0.6 E S R R I E E0.6 B 0 E E U R0.4 R P R R I R O0.4 G–10 R R OP07C T E0.2 OP07C E R M M0.2 V–20 M M I X OP07E X OP07E N A
in „Anfängerfrage Ltspice, Operationsverstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SH367107X_BMS_IC.pdf
21 R21 100R 1 0 0 19 DS VC15 20 CELL 2 1 1 SEL0 GND VC10A R 1 1 SH367108 1K(0805) Schottky C16 104/25V C C GND VDD R23 D6 R24 1K Q1 R25 1K R26 1K S G GND V R27 1K 2 T R28 1K D 3 3 D NMOS 1 1 0 0 1 V r V V V V V V O 1 1 1 5 n 5 2 2 2 2 2 D 5 Z 5 4 4 4 4 4 2 2 1 1 1 1 1 7 2 3 1 3 3 1 8 1 2 2 2 2 2 D 3
in „WER KENNT DIESES 10S BMS von 36V Lion Akku vom Hersteller GW.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LCD_Controller.pdf
LDATA4 27 LDATA5 76 B5 G4 (15) 26 LDATA6 72 G0 G5 (16) 25 71 G1 (17) F LDATA7 70 G2 B0 (18) 24 C LDATA8 23 1 i LDATA9 69 G3 B1 (19) 22 . m LDATA10 68 G4 B2 (20) 21 4 o 67 G5 B3 (21) ( n LDATA11 63 R0 B4 (22
in „STECCY - ZX-Spectrum-Emulator mit STM32“ · Projekte & Code ·
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IEE_03602-105-05220.pdf
54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 REV G G G G G G G G G G G L G G G G G G G G G N J G SHEET 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 REV N N G G G G G G G G G G G G G G G G H H G G G G CVR SHEET 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
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IEE_03602-105-05220.pdf
54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 REV G G G G G G G G G G G L G G G G G G G G G N J G SHEET 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 REV N N G G G G G G G G G G G G G G G G H H G G G G CVR SHEET 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
in „[V] VFD 20x2 unbenutzt“ · Markt ·
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EP2C5T144_CN.pdf
PIN93 17 18 PIN94 IO, LVDS4p, (DPCLK1/DQS1L) 24 PIN24 VCC1.2 IO, LVDS55p, (DPCLK2/DQS1B) 47 PIN47 PIN63 17 18 PIN64 PIN96 19 20 PIN97 IO, LVDS4n 25 PIN25 R1 0 IO, LVDS55n 48 PIN48 PIN65 19 20 PIN67 PIN99 21 22 PIN100 26 PIN26 51 PIN51 PIN69 PIN70 PIN101 PIN103 A IO, LVDS3p 27 PIN27 IO, VREFB4N1 52 PIN52 PIN71 21 22 PIN72 PIN104 23 24 GND A IO, LVDS3n 28 PIN28 R2 0 IO, LVDS54p, DQ1B4 53 PIN53 GND 23 24 GND GND 25 26 VCC3.3 IO, VREFB1N1 30 PIN30 IO, LVDS53p, DQ1B3 55 PIN55 VCC3.3 25 26 VCC3.3
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EP2C5T144_CN.pdf
PIN93 17 18 PIN94 IO, LVDS4p, (DPCLK1/DQS1L) 24 PIN24 VCC1.2 IO, LVDS55p, (DPCLK2/DQS1B) 47 PIN47 PIN63 17 18 PIN64 PIN96 19 20 PIN97 IO, LVDS4n 25 PIN25 R1 0 IO, LVDS55n 48 PIN48 PIN65 19 20 PIN67 PIN99 21 22 PIN100 26 PIN26 51 PIN51 PIN69 PIN70 PIN101 PIN103 A IO, LVDS3p 27 PIN27 IO, VREFB4N1 52 PIN52 PIN71 21 22 PIN72 PIN104 23 24 GND A IO, LVDS3n 28 PIN28 R2 0 IO, LVDS54p, DQ1B4 53 PIN53 GND 23 24 GND GND 25 26 VCC3.3 IO, VREFB1N1 30 PIN30 IO, LVDS53p, DQ1B3 55 PIN55 VCC3.3 25 26 VCC3.3
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rgs50tsx2d-e.pdf
Collector To Emitter Saturation Fig.7 Typical Transfer Characteristics Voltage vs. Junction Temperature 75 4 V = 10V V GE= 15V IC= 50A CE n t A r [C t V 3 : 50 a t n r ( IC= 25A e t C u m V 2 C E e o o g c 25 r l I = 10A l t V C C e 1 o Tj= 175ºC T j 25ºC C 0 0 0 2 4 6 8 10 12 14 25 50 75 100 125 150 175 Gate
in „RGS50TSX2D als Ersatz für IHW20N120R3?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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rgs50tsx2d-e.pdf
Collector To Emitter Saturation Fig.7 Typical Transfer Characteristics Voltage vs. Junction Temperature 75 4 V = 10V V GE= 15V IC= 50A CE n t A r [C t V 3 : 50 a t n r ( IC= 25A e t C u m V 2 C E e o o g c 25 r l I = 10A l t V C C e 1 o Tj= 175ºC T j 25ºC C 0 0 0 2 4 6 8 10 12 14 25 50 75 100 125 150 175 Gate
in „Induktions Doppelfeld (stand alone) - eine Seite hinüber.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Manual_netX_Program_Reference_Guide_Rev02_GB.pdf
Communication Controller DPMAS_INT_EN1 – DPM ARM Side Interrupt Enable 1 0x001034f0 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 2 7 0 6 5 N C 7 4 4 3 3 _ _ G I OIO I I I reserved HANDSHAKE_EVENT[15:0] L M W P_ _ _ _ _ G E N N N N N M I I I I I Bits Name Description
in „netX500 mit ARM-Kern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
