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Foto einer bestückten Leiterplatte
R26 R27 C4 R25 R20 R16 R19 R24 D8A R11 100 C5 R13 C2 R1A R8A R8 155 155 D1 R3 015 R28 R17 R9 D6 C1 R15 510 C1 R2A 434 434 C2 R15 R4 R4A R4B R8 C3 BR1
in „Lidl kann auch anders (Lötstation)“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug · · Platinenfotos
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kk_bb.c
ll_miso_pin) /* Test for MMC_DO ('H':true, 'L':false) */ #define kk_FCLK_SLOW() SPI2->CR1 |= (0b101<<3)//br 64 #define kk_FCLK_FAST() SPI2->CR1 &= ~(0b111<<3)//br 0 void init_port (void) { RCC->APB2ENR |= RCC_APB2Periph_GPIOB; #if use_bitbang //bitbang ok setGPIO_CRHL(ll_ck_port,ll_ck_pin,GPIO_OUT_PP); setGPIO_CRHL
in „Problem FatFS + SPI“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LB058WQ1-SD01.pdf
NTC1 Temperature Sensor Pin1 2 NTC2 Temperature Sensor Pin2 3 BL_CA_3 Backlight Chain 3 (Cathode) 4 BR_Signal Brightness Sensor Signal 5 BL_AN Backlight Anode of all chains 6 BR_POS Brightness Sensor Pos. Supply Voltage (5V) 7 BL_AN Backlight Anode of all chains 8 BL_AN Backlight Anode of all chains 9
in „LCD Display Mercedes E-Klasse Pixelfehler“ · Fahrzeugelektronik ·
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P4SMA_Diotec.PDF
P4SMAJ65 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG P4SMA220 ... P4SMA550CA 120 [%] tr= 10 µs 100 100 [%] 80 80 60 60 I /2 PPM P /2 PPM 40 40 I IPP PP 20 20 PPP PPP tP 0 0 0 T 50 100 150 [°C] 0 t 1 2 3 [ms] 4 A 1 Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) 10/1000µs - pulse waveform 1 Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. ) 10/1000µs - Impulsform 2 10 [kW] 10 1 PPP 0.1 0.1µs tP 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) TVS diodes having stand-off voltage V WM= 5.0
in „Warum noch KFZ-Relais?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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kk_sd_cmd25_write.h
&Fil, fileheader_offset);//start pixel 54+12 for(i=0;i<240;i++){ res = f_read(&Fil, buffer, 2560, &br); // Read a chunk of src file lcd_streamwrite_px4(buffer, 2560); } lcd_streamwrite_stop(); res = f_close(&Fil); } void zl_Dateiname_plus1(void){ u8 offset=0,zl; zl=100*(Dateiname[5]-48)+10*(Dateiname[6]-48)+(Dateiname[7]-48+1); if (zl<100)offset++; if (zl<10)offset++; uitoa(zl,Dateiname+5+offset,10); Dateiname[8]='.'; } uint32_t prepare_cmd25_write(void){ //Datei einrichten, Startsektor + Fragmentierung feststellen //+++Dateivorbereitung
in „sd-Karte Elm Chan DMA“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N5460.pdf
otherwise noted 4 Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Units 6 1 / OFFCHARACTERISTICS 5 V(BR)GSS Gate-Source Breakdown Voltage G = 10 A, VDS= 0 40 V 4 2 GSS Gate Reverse Current VGS= 20 V, DS = 0 5.0 nA VGS= 20 V, DS = 0, A = 100 C 1.0 μA / VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage VDS= 15 V,DI =
in „Frage zu Ersatztyp für MMBF5460“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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schaltplan-final.pdf
5 4 3 2 1 J1 Servo1 J2 Servo2 VCC IC3A VCC Q1 14 Q16 MHz VCC L1 SW1 R1 1 2 3 1 2 3 C2 2 1 KHT1 10k 100µH C1 74HC14 7 RESET POW4 VCC 22pF 22pF PWM2 C3 1 3 PWM0 100nF IC1 C4 IC3B 32 C C 12 100nF RESET AREF V V XTAL2 J7 4 3 J6 9 RESET A XTAL1 13 D ST2 1 SCHRANKE 1 PB0 (XCK/T0) PA0 (ADC0) 40 ABSTL 1 D IC2
in „LCD DEM20485 in gerade Zeile springen (c't-Bot)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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HV_Trafo_Triac_SCH.PDF
+36V 5 100V 6 Ausgangsleistung 700W 3 Br1 +HV 1 250V 7 36V - 2 1 + C1 1 + 2 DCout 3 2 400V 4 ~ 8 2 T1 36V 4 Oszillator 1 3 500V TL494 9 oderSG3524 GND T3 700V ~ ~ 10 2 1 2 T2 3 G 2 2 1 3 1 2 R 1 R 1 IC1 GND 3
in „700V AC sicher schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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txs0108e.pdf
–50 mA OK O Continuous output current,OI –50 50 mA Continuous current through VCCA, VCCB, or GND –100 100 mA Junction temperature, T 150 °C J Storage temperature, Tstg –65 150 °C (1) Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress
in „Joy-IT 1,8" TFT Display: SD-Karten-Slot am Arduino“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BS170_2N7000.pdf
mA t O o t 3 −)( a o 0.8 G S − 2 rD S VG 0.4 1 0 0.0 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 Qg− Total Gate Charge (nC) T J Junction Temperature (_C) Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1000 5 V GS= 0 V ) 4 ) ( W n 100 e r n 3 u T J 125_C t C s r
in „(Mosfet-) Alternative zu ULN2003“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ds.pdf
otherwise noted) Rating Symbol Parameter Test Conditions Units Min. Typ. Max. OFF Characteristics V (BR)CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE0V,I =CEA 600 -- -- V ICES Collector-Emitter Leakage Current VGE =0V,V CE00V -- -- 4 uA IGES(F) Gate to Emitter Forward Leakage V GE30V,V =0CE -- -- 100 nA
in „Datenblatt Cypress cca7001“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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drv5056.pdf
Sensitivity vs Supply Voltage 250 150 145 200 140 ) ) m T135 V 150 A1 A3 / m A2 A4 V130 y ( v i125 s 100 i n n120 S e115 S 50 110 +3STD 105 AVG -3STD 0 100 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 5 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 V CC = 5 V Temperature (qC) D008 DRV5056A1, V = 3.3 V CC Figure 5.
in „Temperaturkompensation Hall-Sensor DRV5056“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ths6214.pdf
Time (10 ns/div) Frequency (MHz) Figure 3. Large-Signal Frequency Response Figure 4. Pulse Response 100 23 22 pF 20 470 pF 17 100 pF 39 pF ) B ( ( 14 S S 10 i THS6214 47 pF R a 11 G VIN CL Optional 8 5 S THS6214 1 2 1 10 100 1000 10M 100M 300M Capacitive Load (pF) Frequency (Hz) R Sptimized for 100% bias
in „HF Linearverstärker für Messzwecke“ · HF, Funk und Felder ·
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Handgezeichneter Schaltplan eines Netzteils
70V~, 68V~, B340, C540, BR2501, D5401, C2501, 100V, R2501, 4k75, R2500, 4k75, T2501, BF458, R2507, 511, R2549, 22k, R2548, 3k3, T2503, BD0232, R2511, 1k, C2504, R2534, 1k, R2546, 33k, T2502, BF423, R2547, 6k96, R2545, 4k75, R2544
in „Hameg HM605 X/Y Ablenkung defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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DTA124E-D.pdf
OFF CHARACTERISTICS Collector−Base Cutoff Current ICBO nAdc (VCB= 50 V,EI = 0) − − 100 Collector−Emitter Cutoff Current ICEO nAdc (VCE= 50 V,BI = 0) − − 500 Emitter−Base Cutoff Current IEBO mAdc (VEB= 6.0 V,CI = 0) − − 0.2 Collector−Base Breakdown Voltage V (BR)CBO Vdc (I = 10 mA, I = 0) 50 − − C E Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 5) V Vdc (I = 2.0 mA, I = 0) (BR)CEO 50 − − C B ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (Note 5) hFE (C = 5.0 mA, CE= 10 V) 60 100 − Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 5) VCE(sat) Vdc (C = 10 mA,BI = 0.3 mA) − − 0.25 Input Voltage
in „Bauteil identifzieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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555an.pdf
Figure 18. Tachometer + VCC + VCC 2K2K FROM 1KFREQUENCY VERTICAL 1 M ADJUST AMPLIFIER R + V + VCC 100K 8 5V CONTROL CC SENSITIVITY 5K NE555 100K ADJUST + V 0 1M CC + V COMPARATOR 6 CC 5K TO – VCC DISCHARGE HORIZONTAL 2 7 AMPLIFIER 100K COMPARATOR FLIP FLOP 100pF 10kHz RANGE TRIGGER 10K 5K PULSE 1 MHz 1 – 100Hz LEVEL TRIGGER OUTPUT ADJUST – VCC V 3 c 100Hz 4 REF 0.001 10kHz + F 0.1 F 10F 10K NOTE: All resistor values are in ohms. + VCC SL00972 Figure 19. Schematic of Triggered Sweep VCC (5–15V) OUTUT PB
in „Nachbau NE555 ->interner Aufbau“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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555-applikations.pdf
Figure 18. Tachometer + VCC + VCC 2K2K FROM 1KFREQUENCY VERTICAL 1 M ADJUST AMPLIFIER R + V + VCC 100K 8 5V CONTROL CC SENSITIVITY 5K NE555 100K ADJUST + V 0 1M CC + V COMPARATOR 6 CC 5K TO – VCC DISCHARGE HORIZONTAL 2 7 AMPLIFIER 100K COMPARATOR FLIP FLOP 100pF 10kHz RANGE TRIGGER 10K 5K PULSE 1 MHz 1 – 100Hz LEVEL TRIGGER OUTPUT ADJUST – VCC V 3 c 100Hz 4 REF 0.001 10kHz + F 0.1 F 10F 10K NOTE: All resistor values are in ohms. + VCC SL00972 Figure 19. Schematic of Triggered Sweep VCC (5–15V) OUTUT PB
in „NE555 Einfachen Blinker bauen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TTA0001_datasheet_en_20131101.pdf
and electronic equipment. 2 2013-11-01 TTA0001 IC – V CE hFE – C -18 1000 -300mA -15 ) -200mA Tc = 100°C ( E hF I -12 -150mA 100 25°C i n a −55°C e -9 -100mA t u e c r t -70mA c c -6 C 10 l D o -40mA C -3 Common emitter Common emitter Tc = 25°C V CE = -5 V IB =−20mA Single Pulse test Single Pulse test
in „Vergleichstyp Onkyo Endstufe TX NR 838, TTA0001, TTC0001“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TTA0002_datasheet_en_20131101.pdf
and electronic equipment. 2 2013-11-01 TTA0002 IC – V CE hFE – C -18 1000 -300mA ) -15 -200mA Tc = 100°C ( E hF I -12 -150mA 100 25°C i n a −55°C e -9 -100mA t u e c r t -70mA c c -6 C 10 l D o -40mA C -3 Common emitter Common emitter Tc = 25°C VCE = -5 V IB =−20mA Single Pulse test Single Pulse test
in „Vergleichstyp Onkyo Endstufe TX NR 838, TTA0001, TTC0001“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schaltplan eines Netzteils mit Transistoren und Gleichrichter
(+21V) +16V R12 1k ZD6,6 D4 K1 12V C8 1000µF 35V C9 68n BR1 1N4003 C10 68n C11 68n R16 1 Ohm Tr1 6V 116V 6V R17 10 X2 230V 50Hz F1 100mA C13 22n C14 10n X2 K1 R18 10 6 D3 LED ON red D5 1N4003 5 R14 33k 6 T3 BC377 0,8V (+20,6V) T1 BC141-10 T2 MJE3055 D6 LED OFF
in „Normaler Tischventilator (0,28 A bei 230V) an Relais, immer mal wieder Neustart des Arduino beim sch“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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Liste_Bauteile_Halbleiter_aus_Restposten.pdf
0110-2100R) Angebrochen 25ppm 20,00 € 1.0 nF Nicht explizit lesbar (vermutlich (1000pF) 6 MURATA GRM31BR72J102KW01L ca 2400 Gebraucht / über Lot-Nr. IA8D01Y93 zu Offene Rolle / 630V (X7R 72,00 € Angebrochen bestimmen) Dielektrikum, 10% Toleranz) 26,00 € 46.4k Ohm (Hochprä 7 THIN FILM TECHNOLOGY / ca 300
in „Großes Bauteil-Konvolut (SMD, ICs, Dioden, Steckverbinder) – Einzelkauf oder Gesamtpaket“ · Markt ·
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TARGET__ZigZag_DMX_mit_Motor_v2.pdf
A DE O GND D - 1 SN75176BP R C1 T P A - H C e - FC3 1 M I 7 Q 8 D - IC3 C 4N33 E NC C K B A IC6 C7 100NF N 8 0 C 1 ~ BR1 D3 D1 - + D4 D2 F F F Maßstab 101,34% Firma Zeichner Blatt B380R 4 µ 5 µ 6 N ~ C+ 1 C + 1 C 1 Änderung12.05.09 17:20 Titel Ausgabe 12.05.09 21:44 Datei ZigZag DMX mit Motor_v2.Projekt
in „ZigZag Eurolite Z-20 DMX ATMEGA8515“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MMBV432LT1-D_1_.pdf
TA= 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Reverse Breakdown Voltage V(BR)R 14 − − Vdc (R = 10 mAdc) Reverse Voltage Leakage Current R − − 100 nAdc (V = 9.0 Vdc) R Diode Capacitance C 43 − 48.1 pF (V = 2.0 Vdc, f = 1.0 MHz) T R Capacitance Ratio C2/C8 C 1.5 − 2.0 − R (f = 1.0 MHz) Figure of Merit Q 100 150 − − (R = 2.0 Vdc, f = 100 MHz) http://onsemi.com 2 MMBV432LT1 TYPICAL CHARACTERISTICS (Each Diode) 100 550 F 70 ( 450 E R N 50 E I F A O 350 P R C 30 U D f = 1.0 MHz F 250 I T = 25°C Q , 20 A T
in „Bauteil identifizieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Datenblatt.pdf
OSCILLOSCOPES & WAVE FORM ANAL YZERS Dlgltlzlng Oscilloscopes HP 54501A B HP54501A 100 MHz, 4 Chann.' Digitizing Horizont81(time) Time b88e 2";"'" Oscilloscope range ~ The HP 5450lA is a 100MHz. 4 channel digitizing oscilloscopede- Tlmeb88e- signedprimarily for repetitive signal applications
in „[V] HP 54501A / Speicheroszilloskop / 100MHz / 4-Kanäle / inkl. Tastköpfe u. Drucker“ · Markt ·
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Datasheet.pdf
= 10 mA i C rs(DS = 0) n C e 1 1 0 -4 -8 -12 -16 -20 0.01 1 10 100 VGS - GATE-SOURCE VOLTAGE (V) f - FREQUENCY (kHz) Noise Voltage vs Current Power Dissipation vs 100 Ambient Temperature z V = 15V √H DG )350 / m n (300 E f = 10 Hz I TO-92 G f = 100 Hz T250 T f = 1.0 kHz I L 10 S200 V D150 E R I E SOT-23 N O100 - f = 10 kHz - 50 n f = 100 kHz D e P 0 0.01 0.1 1 10 0 25 50 75 100 125 150 TEMPERATURE ( C) I D- DRAIN CURRENT (mA) J 1 N-Channel Switch 1 (continued) 1 / J 1 Typical Characteristics (continued) 1
in „Mal wieder: Was ist das für ein SMD?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Tabelle mit DC-Charakteristiken eines Transistors
= 25 °C Parameter Symbol Values Unit Note or test condition Collector emitter breakdown voltage V(BR)CEO Min. 4 Typ. 4.5 Max. - V IC = 3 mA, IB = 0, open base Collector emitter leakage current ICES - Min. 0.1 Max. 1 2) µA VCE = 13 V, VBE = 0, E-B short circuited Min. 1 Max. 40 2) nA VCE = 5 V, VBE =
in „Clapp Oszillator mit oder ohne Bandpassfilter“ · HF, Funk und Felder · · Screenshots
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1.html
<html> <body> Ein Kreis: <svg width="500" height="100"> <circle id="circle1" cx="20" cy="20" r="20" style="fill:red"/> </svg> <script> function move_it(delta) { var circle = document.getElementById("circle1"); var x = circle.getAttribute("cx"); var newX
in „Bild als HEX in html File einbinden“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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4050PBC.pdf
to 125 16 Ld SOIC • High-To-Low Level Logic Conversion CD400 CD4050BDWR -55 to 125 16 Ld SOIC 0, • 100% Tested for Quiescent Current at 20V • Maximum Input Current of 1µA at 18V Over Full Package CD4050BE -55 to 125 16 Ld PDIP metal Temperature Range; 100nA at 18V and 25 C CD4050NSR -55 to 125 16 Ld
in „Pegelwandler SD-Karten tauglich“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BD249.pdf
case temperature PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BD249 45 Collector-emitter BD249A 60 V (BR)CEO breakdown voltage IC= 30 mA IB= 0 BD249B 80 V (see Note 5) BD249C 100 VCE = 55 V VBE = 0 BD249 0.7 Collector-emitter VCE = 70 V VBE = 0 BD249A 0.7 ICES mA cut-off current VCE = 90 V VBE = 0 BD249B
in „Kühlkörperberechnung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2SA1943_datasheet_en_20160107__2_.pdf
h FE – IC g l −3 E 300 Tc = 100°C v h n t ) −1 i 100 25 r ( g t t −25 s a −0.3 e 30 r ( Tc = 100°C u i E −25 c Common emitter m C −0.1 25 C 10 - V D V CE = −5 V t c Common emitter 3 l I /I = 10 −0.01 −0.1 −1 −10 −100 C C B −0.001 Collector current IC (A) −0.01 −0.1 −1 −10 −100 Collector current IC (A) Safe Operating Area −50 I max (pulsed)* −30 C 1 ms* IC max (continuous) 10 ms* −10 ) ( −5 100 ms* I −3 n DC operation e Tc = 25°C u −1 r t −0.5 e o −0.3 C *: Single nonrepetitive
in „Gibt es noch brauchbare Transistoren für den Audio-Bereich?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schaltplan eines Netzteils mit TOP250Y
SUMMARY Output Power: 30 W Efficiency: >= 79% Load Regulation: <= 50 mV peak-to-peak. L2 20 mAh, C1 100 nF 250 VAC, F1 0.15 A, R1 3.7 MΩ, U1 TOP249Y, D1 UF4005, C3 4.7 µH, R3 68 Ω, D8 BR1060, C10 560 µF 35 V, L3 3.3 µH, R10 150 Ω, C11 560 µF 35 V, R8 150 Ω, U2 LT817A, VR2 1N5240 10 V, 2, R9 3.09 kΩ, C5
in „Verbranntes Bauteil wiedererkennen Batterieladegerät Truma BC616IU“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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CrystalDiskInfo S.M.A.R.T. Werte einer Kingston SSD
CrystalDiskInfo 9.5.0 x64 KINGSTON SNV3S1000G : 1000,2 GB Gesamtzustand Gut 100% Aktuelle Temperatur 32 °C Firmware P3BR0A23 Seriennummer 50026B73832C91F4 Schnittstelle NVM Express Übertragungsmodus PCIe 3.0 x4 | PCIe 4.0 x4 Laufwerksbuchstaben C: Standard NVM Express 1.4 Lesevorgänge
in „nach UEFI Reparatur alte EFI-partition löschen?“ · PC Hard- und Software · · Screenshots
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irf840_und_irf840fi.pdf
IRF841 450 V < 0.85 8 A IRF841FI 450 V < 0.85 4.5 A TYPICAL R = 0.74 DS(on) AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED 3 3 o 1 2 1 2 REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100 C APPLICATIONS TO-220 ISOWATT220 HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING SWITCH MODE POWERSUPPLIES (SMPS) CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS,
in „Unterschied zw. IRF840 und IRF840FI“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ads1118.pdf
unless otherwise noted) MIN MAX UNIT (1) CSSC Delay time, CS falling edge to first SCLK rising edge 100 ns SCCS Delay time, final SCLK falling edge to CS rising edge 100 ns t Pulse duration, CS high 200 ns CSH SCLK SCLK period 250 ns SPWH Pulse duration, SCLK high 100 ns (2) 100 ns SPWL Pulse duration
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ads1118.pdf
unless otherwise noted) MIN MAX UNIT (1) CSSC Delay time, CS falling edge to first SCLK rising edge 100 ns SCCS Delay time, final SCLK falling edge to CS rising edge 100 ns t Pulse duration, CS high 200 ns CSH SCLK SCLK period 250 ns SPWH Pulse duration, SCLK high 100 ns (2) 100 ns SPWL Pulse duration
in „SPI-Kommunikation Atmega644 - ADS1118“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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158950-da-01-en-BS170.pdf
CHARACTERISTICS Gate Reverse Current GSS — 0.01 10 nAdc (VGS = 15 Vdc, DS = 0) Drain–Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 60 90 — Vdc (VGS = 0,DI = 100 Adc) ON CHARACTERISTICS (2) Gate Threshold Voltage V GS(Th) 0.8 2.0 3.0 Vdc (VDS = VGS DI = 1.0 mAdc) Static Drain–Source On Resistance DS(on) — 1.8 5.0 (VGS = 10 Vdc
in „3V DC Motor (300mA) mit transistor schalten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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NSP-3630_schematic.pdf
1 2 3 4 5 6 TR2 DA1 UF4003 HDV 9V+ CA1 L6 3.3UH CA4 CA2 R1B 470K1/4W 4mHX2 222/500V 100UF 0.1 47UF 9V- 4mHX2 R4 C8 D2 UF4003 L1 C3 L2 SW1 BR1 200K 1/2W VCC V 3300PF 3 L3 3.3UH CA3 D 7 12A KBL805 C6 R2 C10A 221P C10 C11 C12 0.1 D S1 F C2 250VAC M1 220UF D1 4. V275LA20A 200K 1/2W UF4005 220UF/25V 100UF/25V 0.1UF/50V AC IN 0 C4 200V R64 R65 F1 2A R1A 3300PF ZD1 250VAC NTC 1M U1 1M 11V/0.5W 470K1/4W A 5 4 JNR15S080L5A SW1 TR1 6 2 12A 26mH 8 1 TNY264 SW2 C7 R3 R5 PC1 220UF 200K 1/2W P621 150 200V C9
in „[DC-Schaltnetzteil] Reichelt Manson HCS-3302 Erfahrungen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NSP-3630_schematic.pdf
1 2 3 4 5 6 TR2 DA1 UF4003 HDV 9V+ CA1 L6 3.3UH CA4 CA2 R1B 470K1/4W 4mHX2 222/500V 100UF 0.1 47UF 9V- 4mHX2 R4 C8 D2 UF4003 L1 C3 L2 SW1 BR1 200K 1/2W VCC V 3300PF 3 L3 3.3UH CA3 D 7 12A KBL805 C6 R2 C10A 221P C10 C11 C12 0.1 D S1 F C2 250VAC M1 220UF D1 4. V275LA20A 200K 1/2W UF4005 220UF/25V 100UF/25V 0.1UF/50V AC IN 0 C4 200V R64 R65 F1 2A R1A 3300PF ZD1 250VAC NTC 1M U1 1M 11V/0.5W 470K1/4W A 5 4 JNR15S080L5A SW1 TR1 6 2 12A 26mH 8 1 TNY264 SW2 C7 R3 R5 PC1 220UF 200K 1/2W P621 150 200V C9
in „Netzteil MANSON NTP-5531 defekt!?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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vt6k1.pdf
Gate-source leakage IGSS - - 10 A VGS8V, V =0DS Drain-source breakdown voltage V 20 - - V I =1mA, V =0V (BR)DSS D GS Zero gate voltage drain current IDSS - - 1 A VDS20V, V =0GS Gate threshold voltage VGS (th) 0.3 - 1.0 V VDS10V, I =D00A - 2.5 3.5 ID=100mA, V =GS5V - 3.0 4.2 I =100mA, V =2.5V Static drain-source
in „Bitte um Hilfe Bauteilsuche“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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68332_test.pdf
100n 100n 100n TP8 24 TPUCH8 PF1/IRQ1 101 PF1 TP9 23 TPUCH9 PF2/IRQ2 100 PF2 C4 TP10 22 TPUCH10 PF3/IRQ3 99 PF3 D9 DS1210 100n TP11 21 TPUCH11 PF4/IRQ4 98 PF4 VCC 8 VCCI VCCO 1 TP12 17 97 PF5 TP13 16 TPUCH12
in „Motorola MC68332 und BD32“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PESD1CAN.pdf
(air); > 8 kV (contact) MIL-STD-883; class 3 (human body model) > 4 kV 001aaa631 001aaa630 IPP 120 100 % 100 % I ; 8 s 90 % PP PP (%) 80 −t e 50 % PP; 20 s 40 10 % tr= 0.7 ns to 1 ns t 0 30 ns 0 10 20 30 t ( s)40 60 ns Fig 1. 8/20 s pulse waveform according to Fig 2. ESD pulse waveform according to IEC
in „PESD1CAN Dioden -> bedrahtet“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PI4IOE5V9555.pdf
output is kept in the corresponding input port or output port register. All Latch-Up Tested (Exceeds 100mA) Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) registers can be read by the system master. Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific
in „Schachbrettposition Erkennung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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GWS6967.pdf
SurfacemountedonFR4board.t <10s. 2.Pulsetest;pulsewidth<300us,dutycycle<2%. 3.SurfacemountedonFR4board. SP-6967-100-5 20 June 2007 1 GWS6967 o ElectricalCharacteristics (TJ=25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static1 Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS 0V,I D 250uA
in „Bauteilsuche Hexfet? Hilfe“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Schaltplan_PPS_11810.pdf
16V 22uF 250VAC 250VAC 15 1% * S * 10 S S 4.3mH C24 L1 +/-30% R13 D4 220pF/250V 8 7 6 5 S 33K C17 C9 100uF ES1D L5 +5V U1 C8 0.1uF 25V S S 3.3uH 275VAC IR1150 S 1uF S R20 5.6K S C100 S R11 1 2 3 4 1% D7 ZD2 C1 220 0.01uF ES1D 3.9V/0.5W 0.68uF 100V S C11 C18 R30 C19 C26 C70 R8 R9 R10 R12 0.047uF 150K 4700pF
in „Voltcraft DPPS 60-10 defekt - Hilfestellung für Instandsetzung benötigt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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513910-SCHALTPLAN_VOLTCRAFT_PPS_11810.pdf
16V 22uF 250VAC 250VAC 15 1% * S * 10 S S 4.3mH C24 L1 +/-30% R13 D4 220pF/250V 8 7 6 5 S 33K C17 C9 100uF ES1D L5 +5V U1 C8 0.1uF 25V S S 3.3uH 275VAC IR1150 S 1uF S R20 5.6K S C100 S R11 1 2 3 4 1% D7 ZD2 C1 220 0.01uF ES1D 3.9V/0.5W 0.68uF 100V S C11 C18 R30 C19 C26 C70 R8 R9 R10 R12 0.047uF 150K 4700pF
in „Ersatztyp für Diode und Mosfet gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BF256_ON.pdf
ID200 X R A E Preferred devices are recommended choices for future use , W and best overall value. D P100 P 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 FREE AIR TEMPERATURE (⋅C) Figure 1. Power Derating Curve ⊕ Semiconductor Components Industries, LLC, 2001 1 Publication Order Number: September, 2001 – Rev. 3 BF256A
in „BF256, Pinbelegung unterschiedlich“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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513910-SCHALTPLAN_VOLTCRAFT_PPS_11810.pdf
16V 22uF 250VAC 250VAC 15 1% * S * 10 S S 4.3mH C24 L1 +/-30% R13 D4 220pF/250V 8 7 6 5 S 33K C17 C9 100uF ES1D L5 +5V U1 C8 0.1uF 25V S S 3.3uH 275VAC IR1150 S 1uF S R20 5.6K S C100 S R11 1 2 3 4 1% D7 ZD2 C1 220 0.01uF ES1D 3.9V/0.5W 0.68uF 100V S C11 C18 R30 C19 C26 C70 R8 R9 R10 R12 0.047uF 150K 4700pF
in „DC Netzteil: 2 FETs durchgebrannt, passiert das einfach so?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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513910-SCHALTPLAN_VOLTCRAFT_PPS_11810.pdf
16V 22uF 250VAC 250VAC 15 1% * S * 10 S S 4.3mH C24 L1 +/-30% R13 D4 220pF/250V 8 7 6 5 S 33K C17 C9 100uF ES1D L5 +5V U1 C8 0.1uF 25V S S 3.3uH 275VAC IR1150 S 1uF S R20 5.6K S C100 S R11 1 2 3 4 1% D7 ZD2 C1 220 0.01uF ES1D 3.9V/0.5W 0.68uF 100V S C11 C18 R30 C19 C26 C70 R8 R9 R10 R12 0.047uF 150K 4700pF
in „Voltcraft PPS-11810 Schaltnetzteil - Ursache von Fehlverhalten finden“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BYV96D.pdf
, halfpage handbook, halfpage IF(AV) lead length 10 mm F(AV) (A) 1.6 (A) 0.8 1.2 0.8 0.4 0.4 0 0 0 100 o 200 0 100 200 Ttp( C) T ( C) amb a = 1.57; V = V ; δ = 0.5. a = 1.57; R = RRMmax ; δ = 0.5. R RRMmax Device mounted as shown in Fig.11. Fig.2 Maximum permissible average forward Fig.3 Maximum permissible
in „Diode 3YV96D PH?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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test6-spi-dma.cc
------------------------------------------------------------- // USART UARTc<1, PriorityUART1, 30, 100> usart1; #if BufferedUART extern "C" { void USART1_IRQHandler(void) { usart1.interrupt(); } } #endif extern "C" { int __putchar(int ch) { usart1.put(ch); return ch; } } void usart_init(void) { RCC->
in „STM32 SPI1 und DMA (für Rx und Tx)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
