Hallo zusammen, ich suche für ein Projekt einen Komparator mit open-drain-Ausgang. Weitere Spezifikationen: - Versorgungsspannung größer gleich 18 Volt (daran ists meistens gescheitert) - Ausgangsstrom: 1mA < Iout < 10mA - kein push-pull Ausgang - Keine high-speed-Anwendung, Signale im 10-Sekunden-Takt Ich habe bisher TI, Fairchild, AD, LT und Maxim abgesucht. Allerdings hat die parametrische Suche manchmal auch Typen ausgespuckt, die nicht in den Spezifikationen lagen, daher traue ich dem ganzen nicht so recht. Natürlich kann ich einen "normalen" Typen nehmen und einfach einen Fet hinterher schalten, würde darauf aber gerne verzichten. LG, John
ists denn so schlimm noch nen kleinen FET hinten dran zu hängen wenn du keinen passenden findest?
Zitat: Der Open-Collector ist einer von mehreren Ausgangstypen für digitale integrierte Schaltkreise. Dazu gehören TTL, CMOS und weitere Schaltkreisfamilien. Wenn anstelle von TTL-ICs, wie heute üblich, CMOS-ICs verwendet werden, dann spricht man von Open-Drain-Ausgängen (vom Feldeffekttransistor abgeleitet). Die Funktion und die Bedeutung sind identisch mit dem Open-Collector. Oder was suchst Du speziell????
@detlev: Mir gehts um die Sättigungsspannung, die ist bei einem bipolaren Transistor zu groß. Der LM393 hat bei 10mA schon ca. 700 mV, das ist zu viel. @Wiggerl: natürlich kann ich das machen, aber ich würde gern drauf verzichten. Ich kann einfach nicht glauben, dass es so einen Typen nicht gibt.
schau mal hier http://focus.ti.com/paramsearch/docs/parametricsearch.tsp?family=analog&familyId=81&uiTemplateId=NODE_STRY_PGE_T mfg
John H. schrieb: > - Versorgungsspannung größer gleich 18 Volt (daran ists meistens > gescheitert) CMOS-Opamps/Komparatoren werden vor allem genutzt, um Strom zu sparen, bspw. bei batteriebetriebenen Geräten. Strom gespart wird aber auch durch eine niedrige Betriebsspannung. Deswegen gibt wenig Bedarf für CMOS-Opamps/Komparatoren für deutlich mehr als 5V, allenfalls noch für 12V, damit das IC direkt an einer 9V-Batterie betrieben werden kann. Ein CMOS-Komparator für 16V (18V max.) kann deswegen schon fast als High-Voltage-Typ angesehen werden :) Bei noch höheren Betriebsspannungen sieht es dann wirklich mau aus. Vielleicht gibt es irgendwo so einen Exoten. Da würde ich mich aber gleich informieren, ob der nicht schon auf der Abschussliste steht.
John H. schrieb: > @detlev: Mir gehts um die Sättigungsspannung, die ist bei einem > bipolaren Transistor zu groß. Der LM393 hat bei 10mA schon ca. 700 mV, > das ist zu viel. Das würde bei einem FET wohl eher noch höher sein. Gruss Harald
Harald Wilhelms schrieb: > Das würde bei einem FET wohl eher noch höher sein. Vermutlich erwartet er einen Komparator mit einem BUZ11 in der Ausgangsstufe. ;-)
Harald Wilhelms schrieb: > Das würde bei einem FET wohl eher noch höher sein. > Gruss > Harald Hm, glaube ich nicht. Bei einem 2N7002 bspw. habe ich einen RDSon von 3 Ohm bei 10mA. Macht bei mir 30mV. Selbst wenns 100mV sind, ist das doch noch von 700mV entfernt. bitte korrigiere mich, wenn ich mich irre. LG, John
> Mir gehts um die Sättigungsspannung, die ist bei einem > bipolaren Transistor zu groß. Der LM393 hat bei 10mA schon ca. 700 mV, > das ist zu viel. CMOS Komparatoren mit Open Drain Ausgängen haben meist noch mehr, weil die noch hochohmiger sind, und zudem darf deren Ausgangsspannung nie über der Betriebsspannung liegen, also was soll deine Suche bringen ?
Betreffend Ausgangswiderstand Der Klassiker TLC372 bringt es auf 400mV @4mA bei 25°C. typisch 150mV, worst case 700mV bei gesamten Temperaturbereich. Mit 100Ohm Ausgangswiderstand bei hoher Temperatur darf man ruhig rechnen. Der ist nun nicht ganz neu aber in Neu geht das eh meist digital. Besagtem TLC372 würde ich für Bastelzecke auch hemmungslos etwas mehr Spannung zutrauen. Geschätzt geht bis 25V vermutlich gut. Ein CD40106 (18V spezifiziert) hat am Labornetzteil bei 34V angefangen Strom zu saufen. viel Erfolg Hauspapa
Harald Wilhelms schrieb: > Das würde bei einem FET wohl eher noch höher sein. Das hängt immer davon ab, wie groß der Ausgangstransistor ausgelegt wurde. John H. schrieb: > Bei einem 2N7002 bspw. habe ich einen RDSon von 3 > Ohm bei 10mA. Das ist ja fast schon ein Leistungsmosfet. Zumindest ist er wie ein solcher aufgebaut. So etwas bekommst du eher nicht in einem Signal- verarbeitungs-IC. John H. schrieb: > Der LM393 hat bei 10mA schon ca. 700 mV, das ist zu viel. Etwas besser sind die meisten CMOS-Komparatoren allerding schon. Beispiel: TLC393 mit etwa 250mV bei 10mA (Versorgungsspannung: 16V). Leider verträgt der TLC393 eine maximale Versorgungsspannung von 18V. Aber auch der bipolar aufgebaute LT1011 hat nur etwa 300mV bei 10mA und ist damit deutlich kräftiger als der LM393. Die 700mV liegen erst bei 50mA an. Und wie dieser verträgt er maximal 36V Versorgungsspannung. Vielleicht wäre also der LT1011 ein Kandidat. Auf jeden Fall würde ich die Bipolarkomparatoren nicht von vorneherein von der Suche ausschlie- ßen. Vielleicht gibt es da noch Besseres. Hauspapa schrieb: > Besagtem TLC372 würde ich für Bastelzecke auch hemmungslos etwas mehr > Spannung zutrauen. Geschätzt geht bis 25V vermutlich gut. Die höhere Versorgungsspannung würde zudem den Ausgangswiderstand weiter reduzieren. Aber so etwas sollte man wirklich nur zu Bastelzwecken machen.
MaWin schrieb: > CMOS Komparatoren mit Open Drain Ausgängen haben meist noch mehr, > weil die noch hochohmiger sind, > und zudem darf deren Ausgangsspannung nie über der Betriebsspannung > liegen, Hallo MaWin, ich wusste nicht, dass die noch hochohmiger sind, das hatte ich nicht erwartet. Davon, dass die Ausgangsspannung über der Betriebsspannung liegen soll, habe ich nichts geschrieben. Und nein, Jörg, ich erwarte keinen BUZ11 in der Ausgangsstufe. Aber mit weniger als 10 Ohm hatte ich schon gerechnet. @Hauspapa: danke für Deine Einschätzung betreffend des Ausgangswiderstandes.
Yalu X. schrieb: > Das hängt immer davon ab, wie groß der Ausgangstransistor ausgelegt > wurde. > Etwas besser sind die meisten CMOS-Komparatoren allerding schon. Nun, ich habe vorher keine Datenblattanalyse gemacht. Ich denke aber, das bei FETs und bipolaren Transistoren die Schwellspannung bei gleicher Fläche auch etwa gleichgross sein werden. Das moderne FETs erstaunlich niedrige Schwellspannungen haben, spricht nicht unbedingt dagegen. Dort hat man sicherlich eine deutlich grössere Fläche. Gruss Harald PS: Einen Komparator als "Leistungstreiber" zu verwenden, ist m.E. auch der falsche Weg. Dafür sollte man schon einen getrennten Transistor nehmen.
Die Drain-Source-Spannung ist nicht die Schwellenspannung.
Alexander Schmidt schrieb: > Die Drain-Source-Spannung ist nicht die Schwellenspannung. "Schwellspannung" Bei einem vorgegebenen Strom und Transistor auf "leitend" geschaltet schon. Gruss Harald
Es gibt wohl einige MOSFET-Treiber, die einen Komparator am Eingang haben. Du meinst ja sicherlich einen differentiellen Komparator, also mit zwei Eingängen. Genaue Typennummern weiß ich allerdings nicht aus dem Kopf. Einige MOSFET-Treiber haben auch einen einkanaligen Schmitt-Trigger am Eingang. Ohne den Schmitt-Trigger würde ich es lieber nicht probieren. Könnte schwingen. Und dann haben wir noch den NE555 und sein Verwandten ;-) Vielleicht paßt die Hysterese doch??
Die Frage ist, wie so oft, vielmehr, warum der OP denn unbedingt meint, so einen niederohmigen FET am Ausgang zu brauchen. Siehe Netiquette Und selbst wenn, Komparator und FET sind in Null Komma Nix zusammengetüdelt, da lohnt das ewige Philosophieren nicht.
Abdul K. schrieb: > Und dann haben wir noch den NE555 und sein Verwandten ;-) Vielleicht > paßt die Hysterese doch?? Der hat aber auch grössere Abstände zu seinen "Schienen". :-( Gruss Harald
@ Harald Wilhelms (wilhelms) >> Und dann haben wir noch den NE555 und sein Verwandten ;-) Vielleicht >> paßt die Hysterese doch?? >Der hat aber auch grössere Abstände zu seinen "Schienen". :-( Die CMOS-Version ala TLC555 ist schon recht gut, bei 15V VCC und 10mA hat er typiscch 120mV, max. 400mV Ausgangsspannung.
Harald Wilhelms schrieb: > Ich denke > aber, das bei FETs und bipolaren Transistoren die Schwellspannung > bei gleicher Fläche auch etwa gleichgross sein werden. Nö, kann man nicht unbedingt vergleichen, die physikalischen Prinzipien beider Transistorarten sind doch recht verschieden. Das siehst du am deutlichsten bei den Leistungs-Bauteilen: während du Leistungs-FETs mit Kanalwiderständen im Bereich einiger mΩ bekommst (wo dann vielleicht bei 10 A nur 200 mV abfallen), wirst du bei Bipolartransistoren im Bereich der "dicken" Ströme kaum was finden, was unter 500 mV Restspannung liegt. Die Ausgangskenn- linie eines Bipolartransistors ist stark nichtlinear, die eines FETs dagegen (bis zum Erreichen der Sättigung) fast ein ohmscher Widerstand.
Jörg Wunsch schrieb: > Nö, kann man nicht unbedingt vergleichen, die physikalischen > Prinzipien beider Transistorarten sind doch recht verschieden. Das ist mir klar. > Das siehst du am deutlichsten bei den Leistungs-Bauteilen: während > du Leistungs-FETs mit Kanalwiderständen im Bereich einiger mΩ > bekommst (wo dann vielleicht bei 10 A nur 200 mV abfallen), wirst > du bei Bipolartransistoren im Bereich der "dicken" Ströme kaum > was finden, was unter 500 mV Restspannung liegt. Die Ausgangskenn- > linie eines Bipolartransistors ist stark nichtlinear, die eines > FETs dagegen (bis zum Erreichen der Sättigung) fast ein ohmscher > Widerstand. Bei Kleinsignaltransistoren, wie man sie z.B. zum Treiben von LED- Anzeigen nimmt, sind Restspannungen von <=100mV durchaus üblich. Wenn ich jetzt einen FET mit gleicher Fläche finde, hat der beim gleichen Strom dann auch <=100mV? Das Bild ist seit einigen Jahren etwas verzerrt, weil man FETs mit Rdson unter 1Ohm zu sehr niedrigen Preisen bekommt. Ähnlich leistungsfähige bipolare sind inzwischen meist teurer. Bei ICs gelten aber andere Regeln. Da zählt allein die Fläche. Gruss Harald PS: Möglicherweise benötigt man ja auch für PowerFETs einen ganz anderen Herstellungsprozess, der es nicht erlaubt, auf dem gleichen Chip OPVs o.ä. zu bauen.
Jörg Wunsch schrieb: > während du Leistungs-FETs mit Kanalwiderständen im Bereich einiger mΩ > bekommst (wo dann vielleicht bei 10 A nur 200 mV abfallen), wirst > du bei Bipolartransistoren im Bereich der "dicken" Ströme kaum > was finden, was unter 500 mV Restspannung liegt. Inzwischen gibt es sehr gute Bipolartransistoren. Herst. Typ U_CEsat bei IC, IB Zetex FMMT617 150 mV 3 A 50 mA NXP PBSS4620PA 120 mV 3 A 30 mA 200 mV 6 A 300 mA Zetex ZXTN19060CG 200 mV 7 A 700 mA Zetex ZXTN19020DG 200 mV 9 A 450 mA http://www.diodes.com/datasheets/ZXTN19020DG.pdf Alle Werte sind die typischen, nicht die maximalen. > Die Ausgangskennlinie eines Bipolartransistors ist stark nichtlinear, > die eines FETs dagegen (bis zum Erreichen der Sättigung) fast ein > ohmscher Widerstand. Das ist zwar richtig, interessanterweise wird aber bei allen modernen Bipolartransistoren ein Widerstand R_CEsat angegeben.
Hallo zusammen, ich war bis grade eben zum Testen am MRT, und da unten im Keller gibts keine Möglichkeit ins Internet zu kommen. Daher komme ich erst jetzt dazu, zu antworten. Ich hätte nicht gedacht, dass ich so viele Reaktionen hervorrufe. Zu meiner Anwendung: hinter dem Komparator sitzt ein Spannungsteiler aus drei Widerständen. Wenn der Komparator durchschaltet, soll der "untere" Widerstand überbrückt werden, so dass sich ein anderes Teilerverhältnis ergibt. Fragt mich nicht, warum dass so gelöst werden soll - das ist die Vorgabe einer anderen Firma. Falk hat ganz recht, den verwendungszweck hätte ich schon in meinem Eingangsposting (be)schreiben sollen - ist fürs nächste mal vermerkt. Ich wollte keine große Diskussionsrunde starten, sondern hatte mir gedacht, dass vielleicht jemand so ein Teil in letzter Zeit irgendwo eingesetzt hat und dann schreibt "ja, gibt es, nimm doch den xxyy##". Ich danke euch für die rege Teilnahme, werde morgen dann aber wahrscheinlich doch auf die Lösung mit dem nachgeschalteten Fet umsteigen.
Ich wollte noch einen LM2903 in die Runde werfen, aber für Dein Problem würde ich einen N-Kanal-MOSFET über dem untersten Widerstand vorschlagen. Mit 4k7 am Gate gegen GND und das Gate dann am Ausgang eines LM2904, als Komparator mit Hysterese beschaltet. Kann man sehr schön in Spice simulieren.
Ich würde aber das Thema einfacher angehen. Du schaltest mittels N-Kanal-MOSFET einen weitere unteren Widerstand parallel zu, um das Teilerverhältnis zu ändern.
> ja, gibt es, nimm doch den xxyy##
Es ist super einfach:
Man nimmt die real existerenden Komparatoren, und rechnet mit ihnen mal
die entstehenden Fehler durch - und kommt auf die Idee, den
Innenwiderstand des Komparatorausgangs mit in den Spannungsteiler
einzurechnen, den Reststrom auch, beider Temperaturabhängigkeit auch,
und weiß dann, mit welchem Komparator das optimale Ergebnis zu erzielen
ist, und kann beurteilen ob das reicht, oder ob man mit Reed-Relais oder
sonstigem arbeiten muß.
Das ist doch einfachste Ingenieuerstätigkeit.
Sind deutsche E-Techniker nur noch Honks ?
Praktikanten als Entwickler in Medizintechnik-Firmen ?
MaWin schrieb: > Es ist super einfach: > > Man nimmt die real existerenden Komparatoren, und rechnet mit ihnen mal > die entstehenden Fehler durch - und kommt auf die Idee, den > Innenwiderstand des Komparatorausgangs mit in den Spannungsteiler > einzurechnen, den Reststrom auch, beider Temperaturabhängigkeit auch, > und weiß dann, mit welchem Komparator das optimale Ergebnis zu erzielen > ist, und kann beurteilen ob das reicht, oder ob man mit Reed-Relais oder > sonstigem arbeiten muß. > > Das ist doch einfachste Ingenieuerstätigkeit. > > Sind deutsche E-Techniker nur noch Honks ? > > Praktikanten als Entwickler in Medizintechnik-Firmen ? MaWin, weder bin ich Praktikant, noch ein Honk. Natürlich kann ich das durchrechnen. Aber ich dachte mir, ich frage mal eben in die Runde, ob jemand einen solchen Baustein kennt. Nein, gibts (wahrscheinlich) nicht, also rechne ich es durch. Oder nehme einen externen Fet. Warum reagierst Du so aggressiv? Darf ich nicht mal eine Frage stellen? Wie kommst Du darauf, dass ich es nicht durchrechnen kann? Muss man permanent sein Können unter Beweis stellen und darf sich keine fremde Hilfe holen? Reed-Relais kann ich im MRT nicht einsetzen, das wäre natürlich schön einfach.
> Wie kommst Du darauf, dass ich es nicht durchrechnen kann?
Das ist offensichtlich, denn sonst hättest du die Anforderungen in
deinem ersten Post genannt, und was dir am TS374 oder so nicht gefällt.
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