Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik N MosFet mit VGS 1,5V


von G1 (Gast)


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Moin zusammen,

muss mit Ubatt von 2,7V - 3V einen Motor regeln, der ca. 400 mA zieht.
Uregel = ca. 2-3 V mit PWM ca. 1kHz.

Habe mir entsprechende LOW-Gate FETs rausgesucht mit UGS-th typ. von ca. 
1V wobei im Datenblatt allerdings Min 0.8V bis Max. 1.5V steht. 1,5V 
könnte schon eventuell kritisch werden???.
Mein Port gibt High ca. 2V aus.

Die entsprechenden Typen sind
Siliconix  --  SI2312
Diodes  --  DMN3150L-7
Zertex  --  ZXMN3A14FTA

Nun meine Frage:
hat schon jemand in dieser Richtung etwas gemacht,
bzw. mit diesen FETs Erfahrung.

Ich wollte also im Lastkreis unten stehende Reihenschaltung mit
Ubatt=3V  >  MOTOR  >  FET DS  >  GND
realisieren.

Gate wie gesagt mit 2V und 1ms gepulsed.


Die Variante ist ein bipolarer NPN im Sättigungsbetrieb z.B. BC817-40,
der mit 500 mA auch gut klar kommt.
Würde auch gehen, aber da Strom gesteuert ist die Batterie
wesentlich eher am Ende.

Darum ist mir die FET Variante schon lieber.

Danke voraus...

: Verschoben durch Admin
von Uwe B. (Firma: TU Darmstadt) (uwebonnes)


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Schau Dich mal bei den "ultra low level FET"s z.B. bei NXP, z.B. PMV30UN 
um.

von FET (Gast)


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Vielleicht tut's auch ein IRLML2502 (Vgs,thr < 1.2V)?

von MaWin (Gast)


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> 1,5V könnte schon eventuell kritisch werden???.

Als UGs(th) natürlich, denn das ist die Spannung unter der er garantiert 
abschaltet, darüber liegt aber ein linearer Bereich für den man leicht 
die doppelte Spannung ansetzen muss, also bis 3V.

Es steht aber in jedem Datenblatt die empfohlene Spannung drin, die das 
Gate braucht, um garantiert einzuschalten (mit definierten RDSon und 
damit der beworbenen Belastbarkeit in Ampere und Watt)

Und da gibt es sehr wohl MOSFETs die für 2.5V oder 2.7V spezifiziert 
sind.
https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNavigation&N=0+4294841672&Ns=rds_on__max_2_5v__mohms__5%7C0

ganz im Gegensatz zum PMV30UN, dessen Hersteller schon froh war, 
garantierte Daten bei 4.5V zu schaffen.

von Falk B. (falk)


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@ G1 (Gast)

>muss mit Ubatt von 2,7V - 3V einen Motor regeln, der ca. 400 mA zieht.
>Uregel = ca. 2-3 V mit PWM ca. 1kHz.

>Habe mir entsprechende LOW-Gate FETs rausgesucht mit UGS-th typ. von ca.
>1V wobei im Datenblatt allerdings Min 0.8V bis Max. 1.5V steht. 1,5V
>könnte schon eventuell kritisch werden???.

Kann sein.

>Mein Port gibt High ca. 2V aus.

Nicht viel. Warum nicht 2,7V?

>Siliconix  --  SI2312

0.051 @ VGS = 1.8 V

Passt.

>Diodes  --  DMN3150L-7
>Zertex  --  ZXMN3A14FTA

Die anderen hab ich jetzt nicht nachgeschaut. Fakt ist, man sollte auf 
GARANTIERTE Daten aus dem Datenblatt setzen, nicht die U_GS_THR!

http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte

>Ich wollte also im Lastkreis unten stehende Reihenschaltung mit
>Ubatt=3V  >  MOTOR  >  FET DS  >  GND
>realisieren.

Freilaufdiode?

von Uwe B. (Firma: TU Darmstadt) (uwebonnes)


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MaWin schrieb:
> ganz im Gegensatz zum PMV30UN, dessen Hersteller schon froh war,
> garantierte Daten bei 4.5V zu schaffen.

Mein Datenblatt fuer den PMV30UN sagt bei VGS = 1.8 V; ID = 1 A, 25 Grad 
0.063 Ohm max. Wo ist da das Problem?

von MaWin (Gast)


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> Mein Datenblatt fuer den PMV30UN sagt bei VGS = 1.8 V; ID = 1 A,
> 25 Grad 0.063 Ohm max. Wo ist da das Problem?

Wo denn ?
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/PMV30UN.pdf


Sag jetzt nicht, daß du auf den uralten Hoax
des "typischen" Diagramms reingefallen bist,
dessen Spannungen bis 1:2 anders sein können.

von Uwe B. (Firma: TU Darmstadt) (uwebonnes)


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Genau da, Seite 5, Tabelle 4, "RDSon drain-source on-state resistance". 
Und 0.063 Ohm steht in der Spalte "Max".

von G1 (Gast)


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Danke Euch bisher
und
regt Euch nicht unnötig auf.

Habe schon die Ultra's s.u. zum Testen bestellt - ist immer das 
"Sicherste".
Brauche unbedingt das SOT23 Gehäuse - das schränkt die Sache auch noch 
ein.

Ausser
NXP   >  PMV30UN
IntRec  >  IRLML2402 / 2502 Serie
DiodesZetex  >  ZXMN3A14FTA
Vishay  >  Si2312CDS
geht wohl hier nicht viel.


@Frank
1- max. ist 2,1V - kann es leider nicht ändern,
   ist bedingt durch die vorgegeben Hardware.
2- Freilaufdiode ist vorhanden - hier kommt ein SS14L UltraFast zum 
Einsatz.

von G1 (Gast)


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Edit

Ich meinte natürlich

@Falk
....

von G1 (Gast)


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Habe die Sheets nochmal konsultiert.

IRLML Typen sind m.E. nicht geeignet - sind nicht mit UGS=1,8V 
spezifiziert.
oder ich habe nicht auf die "Schnelle" die richtigen gefunden???

ZXMN Typen ebenso nicht.

Über ein Kontra wäre ich auch nicht verlegen, da diese sehr günstig 
sind.


@ Uwe
Der PMV30UN,215 müsste laut DS passen - Danke für den Tip.

@ MaWin
Ich muss bei meinen Verhältnissen ein UGS=1,8V haben mit definiertem 
RDSon,
wobei es hier nicht darauf ankommt, das dieser sehr klein ist - mein 
Strom  ist ja nur 400 mA groß.  z.B. 0,1R x 0,4A²  = nichts für Ptot des 
FETs.
Ich habe bei IR - entsprechend Deinem Link - solche Typen nicht 
gefunden.
Trotzdem Danke Dir.

von MaWin (Gast)


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> Genau da, Seite 5, Tabelle 4, "RDSon drain-source on-state
> resistance". Und 0.063 Ohm steht in der Spalte "Max".

Oh, stimmt. (wer guckt denn schon auf die zweite DAtentabelle...)

von Marius S. (lupin) Benutzerseite


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G1 schrieb:
> muss mit Ubatt von 2,7V - 3V einen Motor regeln, der ca. 400 mA zieht.

G1 schrieb:
> Die Variante ist ein bipolarer NPN im Sättigungsbetrieb z.B. BC817-40,
> der mit 500 mA auch gut klar kommt.
> Würde auch gehen, aber da Strom gesteuert ist die Batterie
> wesentlich eher am Ende.

Das bisschen Basisstrom macht den Braten nicht mehr fett wenn der Motor 
sowieso schon 400mA zieht, oder? Aber FET ist natürlich besser, weil 
viel moderner.



G1 schrieb:
> Mein Port gibt High ca. 2V aus.

NPN in Emitterschaltung vorsetzen um die Ubatt auf das Gate zu bringen. 
Aber das kostet auch wieder Strom... gibt aber bestimmt eine schlaue 
Schaltung dafür :)

von Marius S. (lupin) Benutzerseite


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Mein Versuch einer schlauen Schaltung - auch wenn sie das Problem hier 
wohl nicht löst :)
Aber ich hatte vorhin die Idee und musste das mal ausprobieren.

Die Vto des FETs muss um mindestens 0,6V kleiner sein als die 
Versorgungsspannung. In der Simulation habe ich einen FET mit 2V Vto. 
Man sieht richtig wie er zu Anfang nicht ganz durchschalten will. Aber 
irgendwann pumpt die Schaltung los und steuert mit ausreichenden Pegel 
das Gate an.

Das Problem liegt im Emitterfolger, da ist mir nichts besseres 
eingefallen. Eine einfache Emitterschaltung steuert den FET nicht 
vernünftig an (bzw. braucht zuviel Strom, welchen die Pumpe bei 
sinnvoller Dimensionierung nicht liefern kann).

von Johannes E. (cpt_nemo)


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Marius S. schrieb:
>> Mein Port gibt High ca. 2V aus.
>
> NPN in Emitterschaltung vorsetzen um die Ubatt auf das Gate zu bringen.
> Aber das kostet auch wieder Strom... gibt aber bestimmt eine schlaue
> Schaltung dafür :)

Nimm lieber einen CMOS-Buffer, z.B. 74AHC125. Der ist wesentlich 
schneller, macht steile Flanken und bringt bei 2,7V Versorgungsspannung 
mindestens 2,6 V am Ausgang (unbelastet).

Man kann den mit 25mA pro Kanal am Ausgang belasten, wenn man alle vier 
Kanäle parallel schaltet kommt man immerhin auf 100 mA, was für einen 
kleinen Mosfet ausreichend ist. Evtl. reicht auch ein 74AHC1G125, der 
hat die gleiche Funktion, allerdings nur mit einem Kanal.

von G1 (Gast)


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@ Marius S.

Habe gestern noch einmal mit dem bipolaren NPN BC817-40 (GAIN600)
ausprobiert. Ist eigentlich damit für mich auch ausreichend da
er im Sättigungbetrieb arbeitet und somit aus den Gain 600 / 8 = ~ 75
und weiter 400 mA / 75 somit ca. 5 mA aus dem Port zieht.
Damit kann ich erstmal leben. Es ergab sich eine Motorlaufzeit von mind. 
5
Std. - danach abgebrochen.

Den Test mit den Si2312 und PMV30UN mache ich aber auch noch.

@ Johannes
Habe leider wenig Platz um einen IC unterzubringen.

Danke Euch.

von Marius S. (lupin) Benutzerseite


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Was soll es denn werden? 5h Laufzeit sollten für 'nen Vibrator reichen 
;-)

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