Hallo! Es geht mal wieder um einen LED-Cube, wer also keine Lust darauf hat sollte lieber gleich aufhören zu lesen ;) Ich verwede mehrere 74HC573 als Porterweiterung, im angehängten Schaltplan habe ich stellvertretend nur zwei eingetragen. Da diese ICs nur ca 80mA vertragen, ich aber pro IC 8 LEDs mit je 20mA anschließen will habe ich mir überlegt, den Ausgangsstrom durch einen MOSFET zu verstärken. 1.Frage: ->Gilt für Mosfet das selbe wie für bipolare Transistoren, muss ich also an Stelle "1" einen P-Typ Mosfet verwenden, da die Last (also die LED) hinter dem Transistor kommt? 2.Frage: ->Wie berechne ich den Gatewiderstand am Mosfet? Ich habe dazu schon einiges gelesen, aber richtig klick gemacht hat es noch nicht... Ich bräuchte den maximalen Ansteuerstrom um diesen Widerstand auszurechnen, aber woher weiß ich mit wie viel mA der Mosfet vom 74HC573 angesteuert wird? ->Das selbe Problem habe ich auch noch mit dem N-Typ Mosfet an Stelle "2". Im Artikel LED cube war der Gatewiderstand angegeben mit "1kOhm, bzw passend zum FET", sonst lese ich immer von gängigen Werten von 1-100 Ohm. Wie finde ich heraus was ich brauche? Auf welche Werte muss ich im Datenblatt achten?... gekürzter Schaltplan ist angehängt. vielen Dank schon mal für alle die bis hierhin gelesen haben ;) und noch mehr für die Antworten ;)
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Der P-MOSFET verhält sich ähnlich wie ein PNP Transistor - ein L vom Logic IC steuert also den MOSFET durch. Der Gate Widerstand bestimmt vor allem die Geschwindigkeit, mit der geschaltet wird. Hier ist ein passender Kompromiss zu finden um wenig Funkstörungen und ein genügend schnelles schalten zu erreichen. Insgesamt ist das bei den LEDs eher unkritisch, da die Frequenzen eher klein sind. Werte so um 1 KOhm können da schon hinkommen für kleinere MOSFETs. Beim MOSFET interessiert da die Gate Kapazität bzw. die Gate Ladung. R*C Werte so im Bereich 50-1000 ns sollten etwa passen. Das kann bei 50-1000pF Gatekapazität also mit 1 K schon hinkommen. Die kleinen Werte von 10-100 Ohm hat man mehr wenn schnell geschaltet werden soll, etwa für Schaltnetzteile. Der Strom zum Treiben der MOSFETs ist bei der eher geringen Frequenz (z.B. 200 Hz) eher nebensächlich - kurzzeitig können die Logic ICs auch recht viel liefern und mit 1 K als Gatewiderstand kann auch maximal 5 mA fließen. Es macht also auch nichts wenn der Gate Widerstand nur 100 Ohm wäre - auch das wäre für die ICs noch OK, denn der höhere Strom fließt nur kurz und selten. Ein anderer wichtiger Punkt bei den MOSFETs ist, das sie mit 5 V Gatespannung auskommen - es müssen also Logic level MOSFETs sein. Meist ist dann ein R_On für 4,5 V oder weniger angegeben.
Ist heute die Nacht der LED-Cubes (mit verpolten P-FETs)? Beitrag "LED-Cube, Frage zu Ebenen-Mosfet´s" Der P-Ch FETs sind umgekehrt verschalten. Source kommt an +5V, sonst fließt immer Strom durch die Bulk-Diode.
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hey, danke schonmal für die schnelle Antwort! an einer Stelle muss ich aber nochmal schnell nachfragen: Ulrich schrieb: > Der P-MOSFET verhält sich ähnlich wie ein PNP Transistor - ein L vom > Logic IC steuert also den MOSFET durch. kann ich dann im Umkehrschluss annehmen, dass ein N-mosfet bei einem "H" durchsteuert, und einfach so einen verwenden? das wäre im doppelten Sinne gut, erstens könnte ich meine LEDs dann mit einer "1" einschalten statt mit einer "0", was für meinen Programmcode schon mal schöner wäre, und außerdem finde ich bei Reichelt gerade nur N-Typ Logic-Level-Mosfets (kein SMD)... ;)
Thomas T. schrieb: > kann ich dann im Umkehrschluss annehmen, dass ein N-mosfet bei einem "H" > durchsteuert, und einfach so einen verwenden? Bitte verwende keine N-Ch zum Highside Schalten. Damit verlierst du immer min. 1-2V am Schalter.
Max H. schrieb: > Der P-Ch FETs sind umgekehrt verschalten. Source kommt an +5V, sonst > fließt immer Strom durch die Bulk-Diode. ah danke, ich sehs! Also dann den FET in Gedanken bitte spiegeln ;) Max H. schrieb: > Bitte verwende keine N-Ch zum Highside Schalten. Damit verlierst du > immer min. 1-2V am Schalter. schadet das dem FET? denn für meine LED brauche ich ja nur ca 2,2V, ich könnte dann ja einen dementsprechend kleineren LED-Vorwiderstand nehmen, oder?
Thomas T. schrieb: > schadet das dem FET? denn für meine LED brauche ich ja nur ca 2,2V, ich > könnte dann ja einen dementsprechend kleineren LED-Vorwiderstand nehmen, > oder? Die Verlustleistung steigt und du musst ihn eventuell kühlen. Das mit den 1-2 V ist nur geschätzt. Genaueres müsste man im Datenblatt nachsehen. Dann bleib dir nur noch wenig Spannung für den Vorwiderstand übrig und das führt dazu, das die Temperaturabhängigkeit der Flussspannung der LED sich mehr auf den Strom auswirkt. Ich würde beim P-Fet bleiben. Was spricht eigentlich dagegen?
eigentlich nichts, außer das ich bei reichelt im moment nur n-typ Logic-Level Mosfets finde (außer SMD)... :( (da bestell ich eh in nächster Zeit, deshalb wäre es schön wenn es die da gäbe...)
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Thomas T. schrieb: > Da diese ICs nur ca 80mA vertragen, ich aber pro IC 8 LEDs > mit je 20mA anschließen will Wie kommst du darauf ? Sind die LEDs mit 1/8 der Helligkeit ausreichend ?
Thomas T. schrieb: > eigentlich nichts, außer das ich bei reichelt im moment nur n-typ > Logic-Level Mosfets finde (außer SMD)... :( Ich würde in diesem Fall die SMD-Typen kaufen. Wenn ich keine Platine herstellen will, löte ich auch SOT-23 Mosfets Problemlos auf eine Lochraster.
Wie ich darauf komme das die nur 80mA aushalten? Im Datenblatt steht maximale Leistung 500mW bei 6V, das macht doch dann etwa 80 mA, oder? Und ob die LEDs bei 1/8 Hell genug sind: Mal schauen. Ich werde erst mal einen kleineren Würfel bauen, vllt 3x3x3 oder 4x4x4 und schauen ob sie da leuchten. Falls nicht werde ich mir halt was anderes schönes daraus bauen ;) War ein günstiges Angebot von ebay, ich erwarte da keine top Leistung ;)
Max H. schrieb: > Wenn ich keine Platine herstellen will, löte ich > auch SOT-23 Mosfets Problemlos auf eine Lochraster. Passt das denn von der Größe ungefähr? Ich hab mir die Maße noch nicht angeschaut, aber du hast das ja schon mal gemacht oder? :)
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Thomas T. schrieb: > Im Datenblatt steht maximale Leistung 500mW bei 6V, das macht doch dann > etwa 80 mA, oder? Die 74HCxxx solltest du mit max. 5.5V betreiben. Es sollten nicht mehr als 35 mA pro Pin und nicht mehr als 70mA durch den Vdd und GND Pin fliesen. Thomas T. schrieb: > aber du hast das ja schon mal gemacht oder? :) Ja. In Anhang: So könnte ein SOT23 auf Lochraster aussehen.
Ok top, das passt ja von der Größe her echt ganz gut! Max H. schrieb: > Die 74HCxxx solltest du mit max. 5.5V betreiben. Es sollten nicht mehr > als 35 mA pro Pin und nicht mehr als 70mA durch den Vdd und GND Pin > fliesen. Ich habe vor ihn bei 5V zu betreiben, bin bei meiner Überschlagsrechnung nur mal vom schlechtesten Fall ausgegangen ;) aber trotzdem danke für die Zusammenfassung :) das werde ich auf jeden fall mal im Hinterkopf abspeichern! Danke euch für die ganzen guten Infos :) Ich denke ich werde es jetzt mit dem gesammelten Wissen mal ausprobieren, sobald meine Bestellung da ist ;)
Hm, jetzt frage ich doch lieber nochmal nach, zur Sicherheit: Kann ich diesen P-Typ FET verwenden? (An Stelle 1) http://www.reichelt.de/IRLML-6401/3/index.html?&ACTION=3&LA=446&ARTICLE=108742&artnr=IRLML+6401&SEARCH=logl+p+mosfet ich weiß solche Fragen sind nicht gerne gesehen, aber ich dachte mir bevor ich das falsche kaufe frage ich lieber einmal zu oft :{
Thomas T. schrieb: > Kann ich diesen P-Typ FET verwenden? Sieht gut aus: - RDSon 0.05Ω @ Vgs=-4.5V - Ids -4.3A @Vgs= -4.5V; 25C - Vds -12V
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