Announcement: there is an English version of this forum on Hallo, möchte mit einem ARM(STM32F0) gerne 12V/2-4A über PWM schalten. Bevorzugen würde ich das Schalten von GND, oder gibt es da Einwände? 12V --- LAST --- N-Mosfet --- GND Kann mir da jemand eine gute Schaltung nennen mit Bauteilen? Am besten gute Verfügbarkeit bei deutschen Händerln (bevorzug Reichelt, Conrad, alternativ Mouser).
Hallo surrel, den Link habe ich bereits selber gefunden. Was ich vielleicht hätte noch erwähnen können. Das Gehäuse sollte wenn DPAK oder ähnlich sein. (SMD) Tue mich doch recht schwer den passenden zu finden. UGS[V] gibt soweit die Spannung an, ab wann der Mosfetübergang Drain-Source anfängt zu leiten. Leider muss man scheinbar aber jedes Mal nachschauen in den Tabellen, welche Leistung/Strom wirklich bei bestimmten Gatespannungen möglich sind.
Jep, das wirs du wohl selbst durchschauen müssen. Strombegrenzer am Gate nicht vergessen. Je nachdem wie schnell deine PWM läuft und auf kleine Gate-Kapa achten ;) vielleicht kommt ja auch noch ein Bauteil-Lexikon ...
@ MOSFET (Gast) >erwähnen können. Das Gehäuse sollte wenn DPAK oder ähnlich sein. (SMD) >Tue mich doch recht schwer den passenden zu finden. >UGS[V] gibt soweit die Spannung an, ab wann der Mosfetübergang >Drain-Source anfängt zu leiten. Nein, das U_GS_TH. > Leider muss man scheinbar aber jedes Mal >nachschauen in den Tabellen, welche Leistung/Strom wirklich bei >bestimmten Gatespannungen möglich sind. Siehe hier. https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte Gate-Source Threshold Voltage . . . Es gibt MOSFETs, welche ab 3V SICHER schalten, ich hab aber keine Typen parat. Für 5V würde ich IRF7103 & Co empfehlen. Muss man ggf. einen kleinen Pegelwandler einsetzen, 74HCT04 reicht.
Huch UGS[V] ist mir gar nicht aufgefallen ... ... ich glaube der Irlu2905 könnte passen. Aber vorher nochmal anschauen ...
Das Problem ist, dass ich nur 3V (auf dem Dev-Board zwar auch 5V, aber später nicht mehr) habe und damit 12V schalten (die GND Seite) möchte.
IRLML2502 hat maximal 80mOhm bei VGS = 2,5V Aber der schafft deine geforderten 4A wohl nicht ganz. Aber evtl. kannst du ja 2-3 davon parallel schalten, dann sollte es wohl gehen.
Der Thread ist zwar schon ein paar Stunden alt, aber eigentlich beantwortet er die Frage - die im Kern dieselbe ist. Beitrag "N-Channel Mosfetauswahl"
Den Thread habe ich nach dem eröffnen diesen Threads gesehen, hilft mir aber nicht ganz weiter. IRLML2502 ist nicht das, was ich mir vorsstelle. Parallelschalten, sofern das bei sowas überhaupt möglich ist (Bauteiltoleranzen, Trägheit) nimmt das doch mM mehr Platz weg. Der IRLZ2905 sah nicht mal so schlecht aus. Wie kann man das ganze "sicher" machen? Was kann ich vor dem Mosfet schalten, dass ich annähernd den vollen Strom zur Verfügung stehend hab. Ein Transistor wird mir hier ja vermutlich nicht viel weiterbringen. Da die Spannung an derem Ende auch nur 3V besteht und Mosfets übers Spannung und nicht Strom angesteuert werden
<seufz> Hatten wir doch gerade nebenan: Beitrag "N-Channel Mosfetauswahl" Für 2A mit 3V Ansteuerung würde ein IRLML2502 knapp reichen. Für 4A würde man eher einen "normalen" MOSFET nehmen und einen Gate-Treiber vorschalten. Die 12V für die Last brauchst du ja sowieso. Daraus kann dann der Treiber versorgt werden.
Angehängte Dateien:
-
1.png
2,7 KB
Möchte das nun mit dem IRLR024N nutzen. Kann mir einer sagen, wie einen Transistor vorschalten kann? Welchen SMD Transistor kann ich da nehmen? Ist der BC848A gut?
Ahh... Genau anders herum meine ich natürlich. Du hast jetzt die Last am Source aber sie muss an Drain :)
Angehängte Dateien:
-
MOSFET-Treiber.png
4,1 KB
MOSFET schrieb: > Kann mir einer sagen, wie einen Transistor vorschalten kann? Welchen SMD > Transistor kann ich da nehmen? Ist der BC848A gut? BC848 ist ok. R1 und R2 richten sich nach der erforderlichen Schaltgeschwindigkeit. Beim Übergang Aus->Ein wird die Gate-Kapazität des MOSFET über R2 aufgeladen. Je länger das dauert, desto größer sind die Schaltverluste. Andererseits erfordert ein kleinerer Wert für R2 mehr (unnützen) Strom in der Ein-Phase. Wenn R2 festgelegt ist (Richtwert: 1K) dann kann R1 passend gewählt werden, daß der Transistor T1 sauber durchsteuert. Im Interesse schneller Schaltvorgänge sollte man T1 nicht zu sehr übersteuern. Wenn man schneller schalten will (PWM einige 100Hz bis kHz) dann ist die Schaltung oben besser. Hier wird das MOSFET-Gate über den oberen Transistor aufgeladen und über den unteren Transistor und die Diode entladen. Die 12V müssen nicht 12V sein - nur genug, damit der MOSFET sicher durchschaltet. Ebenso muß die Last nicht zwingend aus der gleichen Spannung versorgt werden (wobei es sich bei dir natürlich anbietet). Nachtrag: für beide Transistoren tut der BC548. Als Diode eine Schaltdiode wie z.B. 1N4148 oder BAV70.
:
Bearbeitet durch User
MOSFET schrieb: > Möchte das nun mit dem IRLR024N nutzen. in deiner Zeichnung ist aber ein P-Channel MOSFET zu sehen. Der IRLR024N ist aber ein N-Channel FET
Axel Schwenke schrieb: > MOSFET schrieb: >> Kann mir einer sagen, wie einen Transistor vorschalten kann? Welchen SMD >> Transistor kann ich da nehmen? Ist der BC848A gut? > Wenn man schneller schalten will (PWM einige 100Hz bis kHz) dann ist die > Schaltung oben besser. Hier wird das MOSFET-Gate über den oberen > Transistor aufgeladen und über den unteren Transistor und die Diode > entladen. Das ist mir grad unklar und ich muss laut denken: - bei High schaltet der untere T durch, das setzt die Basis des oberen auf GND, er sperrt. Der MOSFET wird gesperrt, die Ladung kann über Diode und T_unten abfliessen. - bei Low sperrt der untere T, das setzt die Basis des oberen auf VCC, er schaltet durch, das Gate des MOSFET wird über den T_oben geladen. Ah, die Ansteuerung invertiert, das verwirrte mich zunächst.
Conny G. schrieb: > Ah, die Ansteuerung invertiert, das verwirrte mich zunächst. Das führt ohne Pullup am ersten Transistor auch dazu, das evtl. der MOSFet während der Initialisierung leitend wird. Ein Pullup an der Basis des ersten Transistor verhindert das aber zuverlässig. chris schrieb: > in deiner Zeichnung ist aber ein P-Channel MOSFET zu sehen. > Der IRLR024N ist aber ein N-Channel FET Das verwirrende im Schaltsymbol von MOSFet ist * das der Pfeil gegen die technische Stromrichtung zeigt. * bei N-Kanal genau andersrum ist, als bei einem NPN Transistor. Beim MOSFet N-Kanal zeigt der Pfeil ins Symbol und beim P-Kanal aus dem Symbol raus.
Matthias Sch. schrieb: > Conny G. schrieb: >> Ah, die Ansteuerung invertiert, das verwirrte mich zunächst. > > Das führt ohne Pullup am ersten Transistor auch dazu, das evtl. der > MOSFet während der Initialisierung leitend wird. Nicht nur "eventuell". Der Default bei dieser Schaltung ist, daß der MOSFET durchgesteuert ist. Wenn man das nicht will, braucht man in der Tat einen Pullup-Widerstand an der Basis des ersten Transistors, aber gegen die Betriebsspannung des µC(!). > chris schrieb: > Das verwirrende im Schaltsymbol von MOSFet ist > * das der Pfeil gegen die technische Stromrichtung zeigt. > * bei N-Kanal genau andersrum ist, als bei einem NPN Transistor. Beim > MOSFet N-Kanal zeigt der Pfeil ins Symbol und beim P-Kanal aus dem > Symbol raus. IMNSHO ist das Schaltsymbol des MOSFET vollkommen in Übereinstimmung mit den Schaltbildern für Transistoren und Dioden: - bei Dioden zeigt der Pfeil von Anode (p) nach Kathode (n), also in die technische Stromrichtung. - bei (Bipolar-)Transistoren zeigt der Pfeil in die technische Strom- richtung der Basis-Emitterdiode. Bei npn also von der Basis (p) hin zum Emitter (n) und bei pnp halt umgekehrt. Die Eselsbrücke ist: "Die Spitze des Pfeils zeigt zum n-Gebiet" Und damit ist klar, warum beim n-Kanal MOSFET die Spitze des Pfeils zum Kanal hin zeigen muß.
Du kannst dir mal diesen Typ anschauen. http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?genericPartNumber=csd16322q5&fileType=pdf - SMD, Spezifiziert für Ugs=3V - Schafft ungekühlt locker 10A - Very Low Gate Charge (Qg<5nC @3V Ugs)
Bernd K. schrieb: > Du kannst dir mal diesen Typ anschauen. > > http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?genericPartNumber=csd16322q5&fileType=pdf > > - SMD, Spezifiziert für Ugs=3V > - Schafft ungekühlt locker 10A > - Very Low Gate Charge (Qg<5nC @3V Ugs) Der sieht gut aus. Steht zwar da optimized for 5V, aber die Werte für 3.x V sind wunderbar. Das Package geht allerdings nur mit Reflow oder Heißluft.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.