Bipolar- Mosfet Transistor im Schaltbetrieb: Auswahl

[Toni (Gast)]

Hallo

Ganz ->Allgemein<-(!) und  vielleicht etwas vereinfacht:

Transistor im Schaltbetrieb bei Frequenzen bis maximal im unteren MHz 
Bereich

Mann nimmt bei:

-"Hohen" Spannungen U>50V und "kleinen" Strömen : Bipolar Transistor
-"Geringen" Spannungen U<50V und "großen" Strömen : (Power-) MOSFET

kommt das so hin, oder totaler Humbug?

Wenn Humbug bitte sachlich, freundlich und sinnvoll (also nicht einfach 
nur auf Google oder Grundlagen verweisen) erklären warum.

Danke

   Toni

[Martin S. (sirnails)]

Man nimmt immer dann Transistoren, wenn der Spannungsabfall an Mosfet > 
0,3V wäre. Das hat man inzwischen aber so gut wie nirgends. Transistoren 
nimmt man eigentlich nur noch, weil sie eine höhere Spannungsfestigkeit 
haben. Aber auch das ist zunehmend hinfällig. Ansonsten bleiben noch 
IGBT.

[Frank G. (frank_g53)]

Toni schrieb:
> bitte sachlich, freundlich

Beitrag "Mosfet vs. Transistor"

[Mark S. (voltwide)]

Bei Spannungen >50V und kleinen Strömen und im unteren MHz-Bereich 
dürften MOSFETs aufgrund des schnelleren Schaltverhaltens die bessere 
Wahl sein.
Generell sehe ich heutzutage nur noch wenige Anwendungsfälle wo ein BJT 
einem MOSFET vorzuziehen ist.

[Wolfgang (Gast)]

Toni schrieb:
> -"Geringen" Spannungen U<50V und "großen" Strömen : (Power-) MOSFET

Schlechtes Beispiel: ;-)
NTB5860NL
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/NTB5860NL-D.PDF

LND150
http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/LND150%20C041114.pdf

IRF740
http://www.vishay.com/docs/91054/91054.pdf

[Falk B. (falk)]

https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wann_setzt_man_einen_MOSFET.2C_Bipolartransistor.2C_IGBT_oder_Thyristor_ein_.3F