Hallo Zusammen,
Ich möchte eine Versorgungsspannung von bis zu 100V mit einen uC
schalten.
Dazu möchte ich einen P-Kanal Mosfet verwenden.
Anbei meine Schaltung, die soweit auch funktioniert.
Meine Frage gilt der Gate-Source Spannung (Vgss).
Ich habe also einen x-beliebigen P-Kanal Mosfet der 100V+ Drain-Source
kann.(Vdss)
In den Datenblättern finde ich zu Vgss oft die Angabe +/- 10-30V.
In meinem Fall liegen am Gate 100V an, solange der MOSFET nicht
durchschaltet.
Bezieht sich diese Angabe auf meine Vdss? ALso Vdss +/-30V? Wie kann ich
das Gate schützen?
Vielen Dank :)
(PS.:Mir geht es nicht um Schaltzeiten etc. Es soll lediglich möglichst
verschleißfrei viele Schaltvorgänge möglich sein.)
supfame schrieb:> Bezieht sich diese Angabe auf meine Vdss? ALso Vdss +/-30V? Wie kann ich> das Gate schützen?
Nein die Angabe bezieht sich auf die Spannung von Gate auf Source. Diese
darf bei dem MOSFET 30V nicht überschreiten.
Das heißt, du darfst das Gate nicht auf GND ziehen zum Schalten!
Wenn nicht schnell geschaltet werden muss, kann einfach ein
Spannungsteiler eingebaut werden, also ein zweiter Widerstand zwischen
Gate und npn Kollektor, der dafür sorgt, dass wenn der npn durchschaltet
über 70V am Gate anliegen.
Alex D. schrieb:> Wenn nicht schnell geschaltet werden muss, kann einfach ein> Spannungsteiler eingebaut werden, also ein zweiter Widerstand zwischen> Gate und npn Kollektor, der dafür sorgt, dass wenn der npn durchschaltet> über 70V am Gate anliegen.
Das heißt eine Z-Diode parallel zu R2 würde auch funktionieren?
supfame schrieb:> Alex D. schrieb:>> Wenn nicht schnell geschaltet werden muss, kann einfach ein>> Spannungsteiler eingebaut werden, also ein zweiter Widerstand zwischen>> Gate und npn Kollektor, der dafür sorgt, dass wenn der npn durchschaltet>> über 70V am Gate anliegen.>> Das heißt eine Z-Diode parallel zu R2 würde auch funktionieren?
Ja würde auch funktionieren, allerdings brauchst du da trotzdem noch
einen Widerstand zwischen npn Transistor und Z-diode als
Strombegrenzung.
Falk B. schrieb:> Nö, denn dann würde dein Q1 einen Kurzschluß machen.
Erstmal lesen, was andere posten, wie z.B. Alex:
Alex D. schrieb:> Ja würde auch funktionieren, allerdings brauchst du da trotzdem noch> einen Widerstand zwischen npn Transistor und Z-diode als> Strombegrenzung.
So ists richtig. Den Widerstand in der Kollektorleitung von Q1 so
dimensionieren, das du den max. Strom durch die Z-Diode und den Q1 nicht
überschreitest, bzw. deutlich darunter bleibst.
Matthias S. schrieb:> Alex D. schrieb:>> Ja würde auch funktionieren, allerdings brauchst du da trotzdem noch>> einen Widerstand zwischen npn Transistor und Z-diode als>> Strombegrenzung.>> So ists richtig. Den Widerstand in der Kollektorleitung von Q1 so> dimensionieren, das du den max. Strom durch die Z-Diode und den Q1 nicht> überschreitest, bzw. deutlich darunter bleibst.
Ja das weiß ich :)
Mir ging es auch nicht um die Dimensinoierung sondern um die Angabe im
Datenblatt, bzw. worauf diese sich bezieht.
Aber vielen Dank für die hilfreichen Kommentare.
Falk B. schrieb:>> Das heißt eine Z-Diode parallel zu R2 würde auch funktionieren?>> Nö, denn dann würde dein Q1 einen Kurzschluß machen. Jenseits von 12V> funktioniert die einfache Ansteuerung eines P-Kanal MOSFETs nicht mehr.> Man braucht einen gescheiten Pegelwandler. Sowas hier.>> https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wie_kann_ich_mit_5V_vom_Mikrocontroller_12V_und_mehr_schalten.3F>> Beitrag "Re: Wie Ugs (p-FET) sinnvoll begrenzen?">> Q1 und Q2 kann man ggf. weglassen, das ist nur ein Treiber für> extraschnelles Schalten.>> Beitrag "Re: Strombegrenzt schalten"
Wie kommst du darauf, dass es über 12V nicht mehr funktioniert?
Wenn Q1 durchschaltet, wird das Potenzial auf Masse gezogen bzw. auf 80V
mit einer 20V Z-Diode.
Mit einem 10k Widerstand vor dem NPN-Transistor, komme ich im
Schaltmoment auf ca 1W. (siehe Anhang)
Ich denke für meine Anwendung passt das so.
Vielen Dank
Ich finde, du dimensionierst sehr grenzwertig.
Der SI7113 hat die 100V als Maximum Ratings angegeben - da sollte man
schon noch 20V Abstand halten. Eine alternative Type habe ich aber
auswendig auch nicht parat.
Auch die maximale Gatespannung (Maximum Ratings) beträgt nur ±20V, eine
22V-Z-Diode hilft da nicht viel.
Und fast 1W Verlustleistung für den R4 einplanen, ist auch nicht gerade
toll.
Für den Spannungsteiler R2/R4 hätte ich jetzt 18k/100k vorgeschlagen,
meinetwegen 10k/56k. Dann hast du etwa 15V U_GS, die Z-Diode kann man
als Schutz lassen, aber auf 16-18V umdimensionieren. Und der Widerstand
muss nur auf 1/4W ausgelegt werden.
Sorry, mal wieder nicht genau genug die Bildchen angeschaut. Du willst
ja den FQP3P50 verwenden.
Den halte ich auch nicht für besonders geeignet: bei 50R Last (2A)
verheizt der typisch rund 1.5W, denn seine 4Ω R_DSon sind recht viel.
Da halte ich den IRFR 13N20D schon für geeigneter; den gäbe es bei
Reichelt.
HildeK schrieb:> Sorry, mal wieder nicht genau genug die Bildchen angeschaut. Du> willst> ja den FQP3P50 verwenden.> Den halte ich auch nicht für besonders geeignet: bei 50R Last (2A)> verheizt der typisch rund 1.5W, denn seine 4Ω R_DSon sind recht viel.> Da halte ich den IRFR 13N20D schon für geeigneter; den gäbe es bei> Reichelt.
Danke für die Antwort.
Wie gesagt, mir ging es nicht ums dimensionieren.
Ich habe annährend passende Bauteile genommen ,die in der
LTSpice-Bibliothek zu finden waren :)
Aber du hast schon recht, die Bauteile sind alle nicht optimal haha
Viele Grüße
