Hallo, ich möchte ein Relais mit einem Arduino Uno schalten. Microcontroller schaltet mit 5V Ich würde nun gerne wissen, ob die Berechnung des Basiswiderstands passt. SRD 5V Relais: https://www.mycomkits.com/reference/Songle_SRD(T73)_Relay.pdf Zum ziehen des Relais werden 5V 89.3mA benötigt. Als Transistor möchte ich einen bc847b verwenden. hFE ist mit min 200 angegeben. Rb = (5V - 0.7V) / 89.3mA = 48Ω 48Ω * hFE = 48Ω * (hFE / 3) = 1584Ω Basiswiderstand 1k5 wäre hier korrekt? lG
Thomas schrieb: > 48Ω * hFE = 48Ω * (hFE / 3) ? Laut Datenblatt Seite 9 Figure 8 liegt der hFE bei I_c von 100mA so bei 120-130. https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BC847_SER.pdf
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Hi, Der Rechenweg ist ein bisschen... esoterisch. Kurze Version: Der Transistor BC847 ist zu knapp. Besser wäre ein BC817, dieser hat auch bei hohen Kollektorströmen eine signifikante Stromverstärkung bei niedriger Sättigungsspannung und das über den kompletten Temperaturbereich: https://www.digchip.com/datasheets/download_datasheet.php?id=183045&part-number=BC817 Lange Version Schauen wir doch mal in die Datenblätter. Das Relais zieht bei 89,3 mA an, sagen wir 100 mA und damit gerade das, was man dem kleinen Transistörchen zumuten darf. Datenblatt BC847: https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BC847_SER.pdf Bei 100 mA Kollektorstrom im Sättigungsbetrieb sinkt die Stromverstärkung auf 20 und man braucht 5 mA Basisstrom (Table 8). Rein faktisch darf der Transistor in diesem Betriebszustand nur im Pulsbetrieb gem. Fußnote betrieben werden. Aber wir haben ja 10 % Reserve für den Kollektorstrom ;-) Arduino Versorgungsspannung aus USB-Port kann bis 4,4 V absinken.[1] So ein ATMega328 "verliert" an seinem Port bis zu 0,9 V bei 20 mA über den gesamten Temperaturbereich.[2] Wir dürfen linear interpolieren und bekommen einen Spannungsverlust von 0,225 V bei 5 mA. Die minimale High-Spannung am Ausgang des Arduinos kann also im Wurst-Case nur 4,175 V betragen. Die V_BEsat des BC847 kann bei diesen hohen Basisströmen bis 950 mV betragen über den gesamten Temperaturbereich. Bleiben für den Basiswiderstand 4,175 V - 0,95 V = 3,225 V. Dividiert durch 5 mA sind das 645 Ohm. Und die Moral von der Geschicht: Die Schanzen stehen nicht schlecht, dass es mit dem BC847 meist funktioniert. Sie stehen aber auch gut, dass es eines Tages Zicken gibt und man sich wundert, wieso? Du darfst entscheiden: Ist es eine Bastelei für Jugend Forscht, ein Panzer für die Irakische Wüste oder eine interplanetare Raumsonde? ;-) [1] https://de.wikipedia.org/wiki/Universal_Serial_Bus#Spannungsversorgung [2] http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/ATmega48A-PA-88A-PA-168A-PA-328-P-DS-DS40002061A.pdf
Timo N. schrieb: > Laut Datenblatt Seite 9 Figure 8 liegt der hFE bei I_c von 100mA so bei > 120-130. > https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BC847_SER.pdf Ja bei V_CE = 5 V 5 V * 100 mA = 500 mW = Transistor kaputt. Immer wieder die gleiche Leier! :-(
Marek N. schrieb: > Rein faktisch darf der Transistor in diesem Betriebszustand nur im > Pulsbetrieb gem. Fußnote betrieben werden. Rein faktisch benötigt das Relais die 90mA nur, um anzuziehen. Wenn es das getan hat, kann der Strom auf einen Bruchteil reduziert werden.
Marek N. schrieb: > a bei V_CE = 5 V > 5 V * 100 mA = 500 mW = Transistor kaputt. > > Immer wieder die gleiche Leier! :-( Wenn die 5V über dem der CE-Strecke des Transistors liegen, fließen keine 100mA, wenn die 100 mA fließen, liegen keine 5V über der CE-Strecke, weil sie am Relais abfallen. Das mit der Serienschaltung solltest du dir noch mal genau ansehen.
Und das Datenblatt weiß natürlich, dass dort ein Relais angesteuert wird. Hört mal auf, die Jugend zu verderben! Ich hab ihm geschrieben, warum er den Transistor verwenden kann, und warum er einen besseren nehmen sollte. Nur weil es "mal" funktioniert, heißt es nicht, dass die Schaltung richtig dimensioniert wurde...
Der ist ungeeignet. Ist ein Vorstufentransi. NPN General Purpose AmplifierThis device is designed for low noise, high gain, general purposeamplifier applications at collector currents from 1.0 μA to 50 mA. Fairchild.
Marek N. schrieb: > Immer wieder die gleiche Leier! :-( In der Tat, dazu gab es doch erst vor kurzem einen eeeeewiiiiig langen Thread. Egal: Mit 1k5 an 5V fliessen rund 2,8mA in die Basis. Das Relais will 90mA, also muß der Transistor etwa Faktor 30 verstärken. Kurz: Die Dimensionierung passt!
Manfred schrieb: > Marek N. schrieb: >> Immer wieder die gleiche Leier! :-( > > In der Tat, dazu gab es doch erst vor kurzem einen eeeeewiiiiig langen > Thread. Link? Würde den gerne mal lesen.
Timo N. schrieb: > Manfred schrieb: >> Marek N. schrieb: >>> Immer wieder die gleiche Leier! :-( >> >> In der Tat, dazu gab es doch erst vor kurzem einen eeeeewiiiiig langen >> Thread. > > Link? Würde den gerne mal lesen. Manfred meint vielleicht diesen hier: Beitrag "Basiswiderstand richtig berechnet?"
Christian L. schrieb: > Manfred meint vielleicht diesen hier: > https://www.mikrocontroller.net/topic/goto_post/5867554 Danke, dass Du nachgesucht hast, genau den!
Danke! Immer diese Falle ;) Wusste doch: Da war doch was. Naja, der TO lag mit seiner Rechnung aber eben auch komplett daneben.
Manfred schrieb: > Timo N. schrieb: >> Naja, der TO lag mit seiner Rechnung aber eben auch komplett daneben. > > Wo? Hat hfe = 200 als Ausgangswert genommen. Auch wenn er danach "hfe/3" schreibt. Ich weiß nicht ob mit dem Faktor 1/3 gemeint hat, dass der den Transistor als Schalter in Sättigung verwendet. Er kommt damit auch nicht auf den Wert B=20.
Timo N. schrieb: > Danke! > > Naja, der TO lag mit seiner Rechnung aber eben auch komplett daneben. Nö, er liegt genau richtig. Zwischen 1k5 und 2k7 kann er alles einsetzen. Ein BC 817 ist natürlich vorzuziehen.
Marek N. schrieb: > Datenblatt BC847: > https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BC847_SER.pdf > > Bei 100 mA Kollektorstrom im Sättigungsbetrieb sinkt die > Stromverstärkung auf 20 und man braucht 5 mA Basisstrom (Table 8). Wenn ich mir unter Table 8 die hFE / IC Grafik anschaue, so lese ich aber heraus, dass bei 100mA (10^2mA) aber etwa 75 beträgt. Wie kommst du auf die 20? Wenn ich den BC817 nehme, so habe ich bei 90mA einen hFE von 230 (Seite 6, Fig 2) https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A200/BC817_ENG_TDS.pdf hFE = 230 / 3 = 76.7 IC = 90mA RB = (4.1V-0.7V)/(0.09A)*76.7hFE = 2897Ω Könnte ich einen 2k7 Widerstand nehmen, ist das richtig?
Thomas schrieb: > Basiswiderstand 1k5 wäre hier korrekt? Nein. Du rechnest RB mit UBE von 0.7V, dabei sind schon 900mV typisch, der Strom über 1k5 liegt also eher bei 2.7mA Du findest im Datenblatt des BC847 (von Infineon): Collector-emitter saturation voltage IC = 100 mA, IB = 5 mA: 200mV typ 600mV max. Für einen doppelt so hohen Basisstrom wie du ihn berechnet hast, sagt also das Datenblatt, das am Transistor bis 0.6V verloren gehen. Das Datenblatt des Relais sagt: pull in voltage 75% der 5V, also 3.75V. Jetzt ist die Frage, ob bei deinem zu geringen Basisstrom nicht eventuell 1.2V am Transistor hängen bleiben. Er ist nur halb so gross wie für 0.6V nötig. Bei hFE laut Datenblatt würden die ganzen 5V zwischen C und E entstehen. Ob da 1/3 von reicht um 1/3 der 5V zu unterschreiten ? Für eine seriöse Schaltung, die im ganzen Temperaturbereich mit allen Exemplaren vom BC847 funktioniert, ist also eine Stromverstärkung von 37 nicht ausreichend, die 5mA für hFE von 20 wird dein Steuereingang auch bringen, 750 Ohm also treiben können. Für unsere viele Hobbypfuscher hier reicht natürlich auch 2k7, die Fehlersuche dauert dann halt länger. Manfred schrieb: > In der Tat, dazu gab es doch erst vor kurzem einen eeeeewiiiiig langen > Thread Richtig, gelernt hat offenbar niemand aus ihm.
MaWin schrieb: > Du rechnest RB mit UBE von 0.7V, dabei sind schon 900mV typisch, der > Strom über 1k5 liegt also eher bei 2.7mA > > Du findest im Datenblatt des BC847 (von Infineon): > > Collector-emitter saturation voltage IC = 100 mA, IB = 5 mA: 200mV typ > 600mV max. > > Für einen doppelt so hohen Basisstrom wie du ihn berechnet hast, sagt > also das Datenblatt, das am Transistor bis 0.6V verloren gehen. > > Das Datenblatt des Relais sagt: pull in voltage 75% der 5V, also 3.75V. > > Jetzt ist die Frage, ob bei deinem zu geringen Basisstrom nicht > eventuell 1.2V am Transistor hängen bleiben. Er ist nur halb so gross > wie für 0.6V nötig. > > Bei hFE laut Datenblatt würden die ganzen 5V zwischen C und E entstehen. > Ob da 1/3 von reicht um 1/3 der 5V zu unterschreiten ? > > Für eine seriöse Schaltung, die im ganzen Temperaturbereich mit allen > Exemplaren vom BC847 funktioniert, ist also eine Stromverstärkung von 37 > nicht ausreichend, die 5mA für hFE von 20 wird dein Steuereingang auch > bringen, 750 Ohm also treiben können. > > Für unsere viele Hobbypfuscher hier reicht natürlich auch 2k7, die > Fehlersuche dauert dann halt länger. Hallo, du schreibst vom BC847 oder? Mein letzter Beitrag bezieht sich auf den BC817 :-) lG
Thomas schrieb: > Wenn ich mir unter Table 8 die hFE / IC Grafik anschaue, so lese ich > aber heraus, dass bei 100mA (10^2mA) aber etwa 75 beträgt. Wie kommst du > auf die 20? Du meinst sicher das Diagramm Figure 8? Das ist die Kleinsignalverstärkung h_FE. Dort beträgt die Stromverstärkung tatsächlich mindestens 75, aber da ist der Transistor aber auch voll im Linearbereich bei einer V_CE von 5 V. Bei 5 V und 100 mA verheizt er aber auch schon 500 mW, was dauerhaft zu viel ist für das SOT-Gehäuse. Eigentlich fehlt diesem Diagramm auch die Fußnote "Pulsed Operation only..." oder so. Dieses Diagramm deckt sich aber mit der Table 6 (Limitting Values): Dort ist ein Peak Collector Current von 200 mA für max. 1 ms zulässig. Bis zu diesem Kollektorstrom ist auch die Kurve eingetragen. Mit diesen Werten und der thermischen Impedanz aus Figure 1 ist es dem geneigten Leser sogar möglich, das zulässige Duty Cycle auszurechnen... Ist für den TO aber alles ohne weiteren Belang, weil ihn nicht das Transientenverhalten interessiert, sondern das statische im Schaltbetrieb, also bei Sättigung. Aus Table 8 geht dafür aus der Spalte V_CEsat bei 100 mA Kollektorstrom eine Stromverstärkung von 20 hervor - wiederrum mit der Einschränkung, dass dies nur gepulst zulässig ist! Es hilft alles nichts, der Transistor ist nicht für einen ernsten Einsatz geeignet. Ich mache dem TO keinen Vorwurf, ich finde es gut, dass er nachfragt und gewillt ist, zu verstehen, warum es (nicht) funktioniert. Es stören mich die unbelehrbaren so genannten "Experten", die nach dem Gießkannen-Prinzip "1000 µF pro Ampere", "20 mA für ne LED" und "100 mA kann der BC547" rumplärren, ohne überhaupt die Aufgabe vollständig erfasst zu haben und Newbees falsche Tipps geben. Wer womöglich auch noch beruflich so Entfrickelt, brauch sich über "geplante Obsoleszenz" nicht wundern... On Topic: Wir haben sogar einen Artikel darüber: https://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand Auch dort steht: > Drandenken: Je höher der Kollektor-Strom, um so geringer wird die Stromverstärkung. Diesen Wert zur Abschätzung des Wertes in Sättigung durch 2 bis 10 teilen. Bei Kleinsignaltransistoren kann man meist ersatzweise mit einer Stromverstärkung von 20-50 rechnen, bei Leistungstransistoren eher mit 10.
Thomas schrieb: > Hallo, > > du schreibst vom BC847 oder? Mein letzter Beitrag bezieht sich auf den > BC817 :-) > > lG Ich hab in dem Datenblatt mit meiner zwar richtigen Rechnung, die aber für deine Anwendung völlig nutzlos ist, auf FIGURE 8 (Seite 9) verwiesen - also das Diagramm aus dem du die hFE von 75 abgelesen hast. Marek N. hat in seinem Post aber auf TABLE 8 (Seite 7) verwiesen. Da ist Diagramm, aber die Werte für Ib (5ma) und Ic (100ma) stehen als "Conditions" für VCEsat. Daher kommt die Verstärkung 20 zustande. Warum nimmst du in deiner Rechnung immer 1/3 ? @MaWin: nur aus pfuschen lernt man ;) Außerdem kannte ich den Thread nicht.
Welche elektronischen Analphabeten haben eigentlich Marek die negativen Bewertungen gegeben? Er hat als einiger das sauber durchdesigned und auch noch Quellen angegeben. Statt dessen kriegen andere positive Bewertungen die schlechte Daumenregeln benutzen. Wird Zeit daß diese bescheuerte Bewertung weg kommt.
Marek N. schrieb: > Aus Table 8 geht dafür aus der Spalte > V_CEsat bei 100 mA Kollektorstrom eine Stromverstärkung von 20 hervor - Darf ich dich korrigieren? => Tabelle (Figure) 10. Ansonsten Danke für die schöne und klare Beschreibung der Zusammenhänge! Ich kann das nur voll unterstützen!! Basteln muss ja nicht murksen sein, und ordentlich dimensioniert macht es meiner Meinung nach sogar mehr Spaß, da man dann eine Schaltung jederzeit problemlos nachbauen kann - es sei denn, man liebt das Abenteuer :-)
Marek N. schrieb: > Es stören mich die unbelehrbaren so genannten "Experten", die nach dem > Gießkannen-Prinzip "1000 µF pro Ampere", "20 mA für ne LED" und "100 mA > kann der BC547" rumplärren, ohne überhaupt die Aufgabe vollständig > erfasst zu haben und Newbees falsche Tipps geben. 100% Zustimmung!
Dietrich L. schrieb: > Darf ich dich korrigieren? => Tabelle (Figure) 10. Stimmt! Noch besser, danke :-) Da ist die Sättigungsspannung über alle Kollektorströme für alle Temperaturen angegeben, so wie man es sich wünscht. Aber nicht immer hat man so detailierte Datenblätter. Da ist man froh, wenn man ne Faust- denn Daumenregel hat. Also Thomas, lass dich nicht verwirren. Ich hoffe, ich konnte halbwegs zeigen, worauf es ankommt und wie man die Datenblätter zu interpretieren hat und worauf man noch alles achten muss (schwankende Versorgungspannung, Spannungsabfall am Port des Mikrocontrollers, Temperatur...) Dein BC847 wird wahrscheinlich irgendwie funktionieren. Wenn du aber die Möglichkeit hast, solltest du ihn z.B. durch den BC817 oder einen äquivalenten tauschen. Und ja, ich war auch mal jung und unerfahren und habe gepfuscht ;-) Es ist noch keine 20 Jahre her, da dachte ich mir auch so: Och, der MOSFET hat eine Thresholdspannung von 4 V, dann kann ich ihn ja mit 5 V ansteuern. Hab mich nur gewundert, warum der Transistor heiß und die Halogenlampe kalt blieb.
Marek N. schrieb: > Dietrich L. schrieb: >> Darf ich dich korrigieren? => Tabelle (Figure) 10. > > Stimmt! Noch besser, danke :-) Jetzt merke ich, dass ich dich falsch verstanden hatte. Ich dachte, du meinst "Figure 8", aber es gibt ja auch "Table 8", auf das du dich bezogen hast. Aber "Figure 10" ist tatsächlich besser ;-))
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Thomas schrieb: > Basiswiderstand 1k5 wäre hier korrekt? Passt!
Marek N. schrieb: > Die Schanzen stehen nicht schlecht ...in Oberhof?! Marek N. schrieb: > Es stören mich die unbelehrbaren so genannten "Experten", die nach dem > Gießkannen-Prinzip "1000 µF pro Ampere" Ok. Dann sag du mir als wahrer Experte doch mal bitte, welche Kapazität folgender Siebelko haben müsste, um ein gleichwertiges Netzteil darzustellen: gegeben: Netzteil 1: 12V 12W 1000µF gesucht: Netzteil 2: 48V 12W ????µF Welche Kapazität muss der Elko des 48W-Netzteils haben, damit dieses NT der Qualität des 12V-NTs entspricht? Ich höre! An alle anderen: bitte nicht vorsagen, ich möchte nur offenlegen, daß er genau so ein Halbwissender ist. Dann bis heute Abend, hoffentlich nicht erst dann mit der Auflösung...
Ich bin nun erfolgreich verwirrt was dem Basiswiderstand für meinen Transistor angeht. Kann mir jemand verraten, wie die Rechnung bei einem BC817-25 die Rechnung korrekt aussehen würde?
Paule, Bademeister schrieb: > gegeben: Netzteil 1: 12V 12W 1000µF Ich nehme an: Brückengleichrichter an 50 Hz, also mit 100 Hz pulsierender AC-Anteil auf der DC. Ferner "dreieckiger" Spannungsverlauf der AC mit einer Entladezeit des Elkos von 5 ms. DGL am Kondensator: I = C dU/dt I = ca. const = 12 W / 12 V = 1 A Rippelspannung Delata_U = I / C * Delta_t = 1 A / 1000 µF * 5 ms = 5 Vpp *) Das macht über 40 % der Nennspannung! Paule, Bademeister schrieb: > gesucht: Netzteil 2: 48V 12W ????µF > > Welche Kapazität muss der Elko des 48W-Netzteils haben, damit dieses NT > der Qualität des 12V-NTs entspricht? Ich höre! Anwendung dieser Rippelspannung (5 Vpp) auf das 48 V-NT: I_48 = 12 W / 48 V = 0,25 A C_48 = I_48 * Delta_t / Delta_U = 0,25 A * 5 ms / 5 V = 250 µF Toll, damit hast du nur bewiesen, dass du a) Den Dreisatz verstanden hast, b) die DGL am Kondensator nicht verstanden hast, c) die Faustregel "1000 µF pro Ampere" für die Tonne ist, weil sie noch aus Zeiten stammt, als man bei 250 V Anodenspannung und Lastströmen von einigen 10 mA arbeitete N.B.: Wenn du wirklich ein vollständig äquivalentes NT bauen willst, muss das natürlich den gleichen relativen Rippel haben, also 20 Vpp auf den 48 V. Damit sparst du an der Kapazität (63 µF reichen), aber ob dir dieses NT noch jemand abkauft? :-p *) In der Praxis eher sogar noch mehr durch Spannungsabfall an den Dioden und verzerrten Stromflusswinkel!
Thomas schrieb: > Ich bin nun erfolgreich verwirrt was dem Basiswiderstand für meinen > Transistor angeht. Warum? Es wurden doch mehrfach korrekte Berechnungen vorgeführt. Du brauchst maximal 5mA Basisstrom. Das korrekte B im Sättigungsbetrieb ist an der Stelle immer der Hauptdiskussionspunkt. Nimm also für B die mehrfach genannten 20 (worst case) für den Schaltbetrieb. Das ist jedenfalls die sichere Seite! Von einem 5V Ausgangssignal ziehst du rund 1V für UBE ab (worst case) und teilst die 4V durch diesen Strom. Gibt max. 800Ω (worst case). Ob du jetzt 750Ω, 820Ω oder 1kΩ verwendest: der Unterschied wird nur gering sein. Aber mit der Simulation von GEKU solltest du vorsichtig sein. Die Modelle beinhalten üblicherweise typische Werte, die ein Großteil der BE auch erfüllen - aber bei 25°C, garantiert nicht jeder und damit nicht in der Serienfertigung brauchbar. Nicht mal als Vorschlag für den unbedarften Nachbaubastler. Und wenn dir die ganze Basiswiderstandsrechnerei zum Halse heraus hängt, dann nimm einen kleinen MOSFET, bei dem bei 4.5V noch ein RDS_on spezifiziert ist, das nicht als "Vorwiderstand" für dein Relais zu groß ist. Also z.B. <1Ω. Und dann muss dein Logikausgang auch keine 5mA dauerhaft liefern.
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So, Simulation bestätigt das. Die Rippelspannung ist bei 12 V sogar 6 V und beim 48 V-NT sogar 7,8 V! Bei einer im Mittel konstant entommenen Last von 12 W. Optimale Rahmenbedingungen: Idealer Trafo und 10 A-Schottkys. In der Praxis an nem weichen Trafo und ollen Silizium-1N400x gibt es sicher mehr Verluste D.h. nicht mal die Dreisatz-Regel gilt hier.
Thomas schrieb: > Marek N. schrieb: >> Datenblatt BC847: >> https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BC847_SER.pdf >> >> Bei 100 mA Kollektorstrom im Sättigungsbetrieb sinkt die >> Stromverstärkung auf 20 und man braucht 5 mA Basisstrom >> (Table 8). > > Wenn ich mir unter Table 8 die hFE / IC Grafik anschaue, so > lese ich aber heraus, dass bei 100mA (10^2mA) aber etwa 75 > beträgt. Wie kommst du auf die 20? Weil Marek (immer noch) einen rein sprachlichen Fehler begeht: Es gibt keine STROMVERSTÄRKUNG IM SÄTTIGUNGSBETRIEB !!! Es gibt entweder die STROMVERSTÄRKUNG , das ist eine Kennzahl des Transistors; sie kommt dann zum Tragen, wenn der TRANSISTOR den fließenden Kollektorstrom diktiert. Das ist in Linearverstärkern der Fall. Oder es gibt SÄTTIGUNGSBETRIEB . Im Sättigungsbetrieb wird die genaue Höhe des fließenden Stromes von der AUSSENBESCHALTUNG diktiert; der Transistor ist nur entweder "leitend" oder "gesperrt" und bestimmt, ob überhaupt Strom fließt oder nicht. Das ist genau im Schalterbetrieb der Fall. Um von den Transistordaten, die i.d.R. für den Linearbetrieb gelten, zu einer Dimensionierung für den Schalterbetrieb zu kommen, wählt man einen Übersteuerungsfaktor , der lt. Konvention im Bereich 3...5 liegt. Man steuert also einen Transistor, der real eine Stromverstärkung von 75 hat, so an, als ob er eine Stromverstärkung von nur 20 hätte , und ist aufgrund dieser Übersteuerung sicher, dass er zuverlässig im Schalterbetrieb arbeitet. > Wenn ich den BC817 nehme, so habe ich bei 90mA einen hFE von > 230 (Seite 6, Fig 2) Ja -- aber: 1. Das sind typische Werte, keine Garantiewerte. 2. Das gilt bei 25°C. > hFE = 230 / 3 = 76.7 > IC = 90mA > > RB = (4.1V-0.7V)/(0.09A)*76.7hFE = 2897Ω > > Könnte ich einen 2k7 Widerstand nehmen, ist das richtig? Rechnerisch richtig. In der Praxis würde ich den Basisstrom deutlich größer wählen, eben wegen meiner Einwände 1. und 2.
Thomas schrieb: > Ich bin nun erfolgreich verwirrt was dem Basiswiderstand für meinen > Transistor angeht. Das dachte ich mir schon vor Stunden.Ich wollte und moechte mich aber selbst nicht in die Diskussion einmischen. Noch ein zusaetzlicher Koch wie ich und der Braten duerfte voellig verschmort sein. ============================== Dennoch ein vom Thema abschweifender Hinweis bezueglich des Relais: Vergiss die Freilaufdiode nicht..... ============================== Falls du ganz ohne Berechnungen auskommen willst und du dir auch noch Sorgen um die Freilaudiode machen musst,dann kannst du z.B. sowas ordern: https://www.ebay.de/itm/5V-1-2-4-6-8-Channel-Relay-Board-Module-Optocoupler-LED-for-Arduino-PiC-ARM-AVR/401237960337?hash=item5d6ba56691:m:mmtiAe5QzpPOrQ4I1AfbutQ Da kann man allerhand auswaehlen.Auch ein Einzelrelais mit Transistor,Widerstaenden,Freilaufdiode und Leds ist da mit dabei. Solltest du damit 230V schalten wollen,muss man ein bischen vorsichtig sein: Die Chinesen halten oftmals nicht viel von Sicherheitsabstaenden bezueglich der Leiterbahnen....
Marek N. schrieb: > Ich nehme an: Brückengleichrichter an 50 Hz, also mit 100 Hz > pulsierender AC-Anteil auf der DC. Ferner "dreieckiger" Spannungsverlauf > der AC mit einer Entladezeit des Elkos von 5 ms. ...ist doch egal nur für den Vergleich der beiden Netzteile. Beide sollen natürlich vollkommen identisch sein, bis eben auf die Spannung. Marek N. schrieb: > (63 µF reichen), aber ob dir > dieses NT noch jemand abkauft? :-p Richtig! Und natürlich kann man dieses NT genau so gut oder schlecht verkaufen, wie das mit 12V /1000µF. Unter Fachleuten versteht sich, hier also eher weniger...;-) Für die Lösung hast du wohl lange simuliert? ;-) Nee, im Ernst, bin echt erstaunt, daß hier jemand sowas weiß...
Paule, Bademeister schrieb: > Für die Lösung hast du wohl lange simuliert? ;-) > Nee, im Ernst, bin echt erstaunt, daß hier jemand sowas weiß... Ne, Mittagspause gemacht ;-)
Nachdem ja nun die Basisströme von verschiedenen Bipolartransistoren und auch sonstige Wirkungen und Nebenwirkungen in epischer Breite durchgekaut wurden schlag ich zur Abwechslung mal vor Du könntest doch stattdessen auch einen MOSFET nehmen ;-)
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