Vorweg Schande über mich für die gefühlt tausendste Frage nach einem Transistor. Bin leider in der MOSFET Übersicht bzw. beim Suchen auf Farnel und Reichelt und Google nicht fündig geworden bzw. eher mitlerweile eher verwirrt ... gibt es einen LL Fet für meine Eckdaten? Ist ein Darlington Transistor schnell genug für PWM? Lieber einen Mosfet mit Mosfet Treiber ansteuern und ist das dann wieder schnell Genug? Daher die Frage ob mir jemand einen Transistor für meinen Einsatzzweck empfehlen kann. Es geht um CCT Dimmer auf Basis von ESP8266/ESP32 also 3,3V LL. Es sollen per PWM LED Panels gedimmt werden (GND Seitig). Spannung wäre 50V bei Max 3A. Wegen der einfacheren Beschaltung wäre mir ein LL Fet natürlich am liebsten. Der FET darf ruhig etwas überdimensioniert sein damit ich den Dimmer auch für 24V Leds bis etwa 6A einsetzten könnte. Vielen Dank für eure Tips im vorraus! Gruß roque
Du redest zwar von Schnelligkeit, nennst aber keine konkreten Werte. Im Allgemeinen reicht es, LED mit >3kHz zu takten, ums flimmerfrei zu bekommen. Und das kann so gut wie jeder MOSFet am Markt. Ich habe meistens einen der IRLZ44 oder IRLZ34 am Start, der bei 50V allerdings etwas knapp ist. Also z.B. einen IRL540, der bei 3,3V am Gate bis 20A spezifiziert ist. Wenn in deiner Schaltung allerdings auch 9 oder 12V vorkommen, spricht nichts gegen einen kleinen Treiber und die Verwendung von Allerwelts-MOSFets.
Matthias S. schrieb: > Ich habe > meistens einen der IRLZ44 oder IRLZ34 am Start Matthias S. schrieb: > Wenn in deiner Schaltung allerdings auch 9 oder 12V vorkommen, spricht > nichts gegen einen kleinen Treiber Lassen sich der IRLZ44 oder der IRLZ34 ohne Treiber von den paar mA der ESP8266/ESP32 vernüftig schalten? mfg Klaus
Ja. Der Strom spielt bei FETs keine Rolle. Auf die Spannung kommt es an. Ugs liegt beim 44 bei max 2 V. Aber damit ist noch nicht voll durchgesteuert. Wenn du sowieso eine höhere Spannung schaltest, dann nimm von dieser ca 10V mittels Spannungsteiler und npn Transistor (BC 547 o.ä), um das Gate vom Fet zu schalten.
Mein Senf schrieb: > Ja. Der Strom spielt bei FETs keine Rolle. Auf die Spannung kommt es an. Moment mal! Die MOSFETs wollen doch möglichst schnell geschaltet werden. Dazu muß die Gate Charge zügig entladen werden und das geht in der Regel mit einem deutlichen Strompeek. mfg Klaus
Roque S. schrieb: > also 3,3V LL MOSFETs die bei 3.3V schon sicher einschalten, also einen spezifizierten RDSon bei 2.8 oder 2.5V UGS haben, halten selten 50V aus, ich kenn nur Si2356DS bis 40V.
Klaus R. schrieb: > Die MOSFETs wollen doch möglichst schnell geschaltet werden. Da hast du recht. Aber wir wissen ja nix über die PWM Frequenz. Das ist bei 100Hz anders als bei 10kHz. Wenns schneller wird, kann man zwar immer noch die 3,3V verwenden, sollte aber mehr Strom zum Gateladen und -entladen bereitstellen.
Matthias S. schrieb: > Also z.B. einen IRL540, der bei 3,3V am Gate bis 20A spezifiziert ist. Schwachsinn. Der ist für 4V spezifiziert und sonst gar nicht. Ein 'typisches' Diagramm ist keine Spezifikation, die Kurven können um 1.4 fach höhere oder Faktor 0.7 niedrigere Gate-Spannung brnötigen, je nach Exemplar.
MaWin schrieb: > Schwachsinn. Evtl. liest du dir nochmal durch, was der TE möchte. Er möchte 50V bei 3A schalten. Das ist für den IRL540 überhaupt kein Problem, egal wie weit er streut. Wer ist hier der Schwachsinnige?
Mein Senf schrieb: > Ugs liegt beim 44 bei max 2 V. Unsinn. Das ist das MINIMUM von U_GS_THR. > Aber damit ist noch nicht voll durchgesteuert. EBEN! https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage
Matthias S. schrieb: > Wer ist hier der Schwachsinnige Eindeutig du. Du hast vergessen, dass er das mit den 3.3V+/-10% eines ESP Ausgangs machen möchte. Und du interpretierst typische Diagramme falsch. Aber das wurde schon gesagt, es liegt wohl nur eine Wahrnehmungsblockade deinerseits vor.
Matthias S. schrieb: > MaWin schrieb: >> Schwachsinn. > > Evtl. liest du dir nochmal durch, was der TE möchte. Er möchte 50V bei > 3A schalten. Das ist für den IRL540 überhaupt kein Problem, egal wie > weit er streut. Wer ist hier der Schwachsinnige? DU! https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage
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Hallo , vielen Dank für die Rückmeldungen. Also im Falle des ESP8266 werden es wohl max. 1 KHz und mit dem ESP32 nicht mehr wie 3 KHz. Also ich habe an der Controller Platine sowieso zwei Spannungen zur Verfügung, da ich den ESP über eine Spannungsregler Betreibe der mit 5V gespeist wird. Ich habe aus einem anderen Projekt noch unbestückt Platinen hier die ich verwenden könnte, die Schaltung benutzt allerdings einen Optokoppler 4N35 der den Mosfet dann über die 5V schalten würde bis auf zwei zusätzliche Drahtbrücken wäre das eine Plug-in Lösung, die sonstigen Bauteile bis auf den IRL540 hätte ich sogar hier. Spricht hinsichtlich der Schaltgeschwindigkeit (beim 4N35 ton/toff 10µs) etwas dagegen? Bei einer PWM Frequenz von 3KHz wäre die Periodendauer ja 333µs. Da ton/toff gleich lang sind hätte das ja nur eine Verzögerung von 10µs zur Folge. Gruß roque
Roque S. schrieb: > Ich habe aus einem anderen Projekt noch unbestückt Platinen hier die ich > verwenden könnte, die Schaltung benutzt allerdings einen Optokoppler > 4N35 der den Mosfet dann über die 5V schalten würde AUA!! Deine Schaltung ist der letzte Murks! Damit wird der MOSFET maximal lahm angesteuert, sowohl beim Einschalten und erst recht beim Ausschalten! > Spricht hinsichtlich der Schaltgeschwindigkeit (beim 4N35 ton/toff 10µs) > etwas dagegen? JA!!! ALLES! > Bei einer PWM Frequenz von 3KHz wäre die Periodendauer ja > 333µs. Da ton/toff gleich lang sind hätte das ja nur eine Verzögerung > von 10µs zur Folge. Mein Gott bist du naiv! Wenn du sowieso die gleiche Masse hast, brauchst du auch keinen Optokoppler zur Trennung. Nimm ein Gatter der HCT-Reihe, z.B. 74HCT125 und treibe den MOSFET damit. Siehe Pegelwandler. Mit 5V am Gate ist er glücklich und sicher und sauber durchgesteuert. Der Längswiderstand R5 entfällt, der Pull Down R6 kommt vor den HCT-Treiber. Damit ist das Ganze brauchbar. Sowas gibt es auch als Single Gate im kleinen SOT23 Gehäuse. Es reicht auch ein 74HCT1G04 (Inverter), der muss dann halt invertiert angesteuert werden und der Pull-Widerstand am Eingang muss ein Pull-Up sein, damit der MOSFET sperrt, wenn der uC im Reset ist. Beitrag "Re: Transistor, 1A, 4MHz Schaltfrequenz" Oder gleich einen echten MOSFET-Treiber ala ICL7660, ist auch nicht viel größer als DIL8 / SO8. https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht#MOSFET-Treiber Was immer du tust, laß den Finger von diletantischen Murksschaltungen, um einen IC für 1 Euro oder weniger zu sparen!
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Falk B. schrieb: > Mein Gott bist du naiv! Das hat gesessen hatte kurz ne Träne in den Augen ;-). Spaß bei Seite, danke für deinen Tip Falk B. ich hab mir brav das Datenblatt von dem 74HCT125 angeschaut der "output enable input (active LOW)" hat mich ganz schön verwirrt. Das der 74HCT125 mehr wie einen Gate hat kommt mir gerade recht weil der Dimmer eh mindestens 2 Kanäle bekommt. Ich hoffe ich hab deine Anleitung richtig umgesetzt? Gruß roque
Roque S. schrieb: > Ich hoffe ich hab deine Anleitung richtig umgesetzt? Sieht soweit ok aus. Außer ... was soll C3 da? Mach den weg.
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