Hi, ich wollte einen Darlington am Out des 555 durch einen Mosfet ersetzen. Habe damit aber noch nie was gemacht und bin leicht mit den 100 Angaben im Datenblatt überfordert. Würde das so hinhauen wie ich es gezeichnet habe? Ich verstehe es so das der Mosfet entweder eine Spannung braucht oder 0V um den Zustand zu wechseln, da der 555 Opencollector hat habe ich gedacht ich brauche den Pullup. Wie heisst denn die Grenze die der Mos an Spannung für "ein" braucht? Gate Threshold Voltage 1V? Gruß
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@ herb (Gast) > 2Unbenannt.png > 87,1 KB, 5 Downloads Hatten wird das Thema nicht schon mal? >ich wollte einen Darlington am Out des 555 durch einen Mosfet ersetzen. Kann man machen, auch wenn 300mA nicht gerade danch schreien. Ein popeliger BC337 tut's auch. >Würde das so hinhauen wie ich es gezeichnet habe? R3 ist überlüssig, der NE555 hat einen Push-Pull Ausgang. >Ich verstehe es so das der Mosfet entweder eine Spannung braucht oder 0V >um den Zustand zu wechseln, Quasi. >da der 555 Opencollector hat Nö, nur der Discharge Ausgang, nicht der normale Ausgang. >Wie heisst denn die Grenze die der Mos an Spannung für "ein" braucht? Nominale Gatespannung. >Gate Threshold Voltage 1V? Das ist was anderes. http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte
Hi Falk, ja das hatten wir schonmal :-) Habs auch gebastelt und funktioniert super. Der Darlington wird jedoch ganz schön heiss ist aber nicht so schlimm. Ich wollte vielleicht mal versuchen mich an SMD ranzuwagen, BC337 oder BD675 gibts jedoch nicht als SMD. Ich hab auch nicht wirklich so Ahnung wie ich passende Transistoren oder Mosfets finde. In der Datenbank vom Programm habe ich mal eben 400 Mosfets ohne weitere Angaben nur den Namen. Da suche ich zufällig einen aus und schau ins Datasheet, nicht sehr effektiv :-/ Ich dachte mit Mos wirds weniger warm. Wie finde ich denn z.B. ein Äquivalent zum BC337 als SMD? Gruß
Wie Falk Brunner bereits gesagt hat: R3 ist überflüssig, komplett weglassen und den MOS-FET mit einem (kleinen) Vorwiderstand an den 555 anschließen. Dann noch das Gate mit einem Widerstand gegen Masse verbindent und es sollte funktioneren. Zur Spannung am Gate: Da schaut man sich im Datenblatt die Gate-to-Source-Voltage Kennlinie an und schaut nach, wo der MOS-FET voll durchsteuert. Normalerweise liegt das so bei 10V-12V, gibt aber auch TTL Typen und all so nen Kram, also lieber gucken :)
@ herb (Gast) >Habs auch gebastelt und funktioniert super. Der Darlington wird jedoch >ganz schön heiss ist aber nicht so schlimm. Für 300mA nimmt man keinen Dalington. >Ich dachte mit Mos wirds weniger warm. Wie finde ich denn z.B. ein >Äquivalent zum BC337 als SMD? BC817.
> R3 ist überlüssig, der NE555 hat einen Push-Pull Ausgang. Quatsch, schon mal ins DB geschaut? Der Ausgang des LM555 geht bei Vcc=5V auch ohne Last nicht über 3,3V, garantiert werden nur 2,5V. Mit R3 (evtl. noch etwas niederohmiger) bekommt man den Mosfet vielleicht sogar richtig auf.
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Hi, danke. Meinst du das so? Damit die Last sicher geschaltet würde müsste er doch am besten voll durchsteuern oder? Habe mal gelesen von großen Verlusten, wenn er nicht voll durchsteuert, oder ist das falsch bzw anderer Zusammenhang? Wenn ich 10V bräuchte, dann müsste ich einen TTL Typen nehmen oder VCC vom 555 hochschrauben auf 12V oder? Gruß
@ ArnoR (Gast) >> R3 ist überlüssig, der NE555 hat einen Push-Pull Ausgang. >Quatsch, schon mal ins DB geschaut? Der Ausgang des LM555 geht bei >Vcc=5V auch ohne Last nicht über 3,3V, garantiert werden nur 2,5V. Das ist dennoch ein Push-Pull Ausgang ;-)
> Das ist dennoch ein Push-Pull Ausgang
Ja das stimmt natürlich, nur bedeutet das nicht, dass die
Ausgangsspannung auch bis Vcc steigt. Hätte der Entwickler des 555 das
Scheißding doch mit ins Grab genommen, dann hätte evtl. was Besseres
eine Chanche gehabt.
stimmt das denn? Warum die zweite Aussage? >MOS-FET mit einem (kleinen) Vorwiderstand an den 555 >anschließen. >Dann noch das Gate mit einem Widerstand gegen Masse >verbinden und es sollte funktioneren Und wer hat jetzt recht, mit R3 oder ohne, oder ausprobieren? :-) Gruß
> Und wer hat jetzt recht, mit R3 oder ohne
Man schau ins DB! Der Ausgang geht ohne Last typisch nur auf max. 3,3V.
Dein Mosfet schaltet damit wohl für deine Zwecke ausreichend durch, aber
richtig Einschalten ist was anderes.
Mit R3 wird der Ausgang etwas höher gezogen, als es der 555 selbst kann.
Naja wenn das alles so eindeutig wäre für mich dann würde ich ja nicht fragen. Wenn dann mehrere sagen LASS IHN WEG, du aber meinst richtig so...kannst du doch bestimmt verstehen das ich da noch mehr verwirrt bin ;-) >Dann noch das Gate mit einem Widerstand gegen Masse >verbinden und es sollte funktioneren Was ist mit dieser Aussage, stimmt das denn? Kommt mir komisch vor. Gruß
>>Dann noch das Gate mit einem Widerstand gegen Masse >>verbinden und es sollte funktioneren > Was ist mit dieser Aussage, stimmt das denn? Kommt mir komisch vor. Kommt dir zu recht komisch vor, laut DB geht die Ausgangsspannung des LM555 unter 0,35V, damit sperrt dein Mosfet zuverlässig. Der Widerstand gegen Masse ist überflüssig.
ArnoR schrieb: > Ja das stimmt natürlich, nur bedeutet das nicht, dass die > Ausgangsspannung auch bis Vcc steigt. Hat doch auch niemand behauptet... Du bist doch damit als erster dahergekommen: ArnoR schrieb: > Quatsch, eben nicht... > schon mal ins DB geschaut? Der Ausgang des LM555 geht bei > Vcc=5V auch ohne Last nicht über 3,3V, garantiert werden nur 2,5V. Also - er zieht doch auch nach oben. Über einen Darlington-Emitterfolger zwar, aber das stört ja hier nicht. herb schrieb: > Und wer hat jetzt recht, mit R3 oder ohne, oder ausprobieren? Mit dem Schaltplan aus: Beitrag "Re: ist das mit dem Mosfet richtig so?": Mit R3, ohne R4 und mit einem BC817.
@ Michael H. (michael_h45) Keine Ahnung, was deine Absonderung eigentlich bedeuten soll. Ich hatte gemeint, dass allein die Tatsache, dass der LM555 einen Push-Pull Ausgang besitzt nicht dazu führt, dass die Ausgangsspannung für den Fet auch groß genug ist, und man bei Vcc=5V daher nicht auf R3 verzichten sollte.
Danke euch. Michael du meinst ich sollte jetzt doch keinen Mosfet verwenden sondern einen NPN? Warum das? Ists mit Mos nicht besser von wegen Hitzentwicklung?
ArnoR schrieb: > Keine Ahnung, was deine Absonderung eigentlich bedeuten soll. Genau das, was ich geschrieben hab. Wenn dus nicht verstehst, soll das nicht mein Problem sein. Fühl dich frei, es einfach nochmal zu lesen. ArnoR schrieb: >> R3 ist überlüssig, der NE555 hat einen Push-Pull Ausgang. > Quatsch Also... Quatsch oder nicht Quatsch? =)
herb schrieb: > Michael du meinst ich sollte jetzt doch keinen Mosfet verwenden sondern > einen NPN? Warum das? Ists mit Mos nicht besser von wegen > Hitzentwicklung? Generell sind zum Schalten MOSFETs unkomplizierter als Bipolartransistoren. Hier hast du allerdings das Problem, dass der High-Pegel des NE555 am Ausgang zu niedrig ist, um einen FET ganz durchzuschalten. Je höher die Gate-Source-Spannung, desto niederohmiger der Drain-Source-Kanal (in gewissen Grenzen natürlich). Daher nimm lieber einen Transistor, der nur einen sehr kleinen Strom bei ~0,7V Basis-Emitter-Spannung braucht, um durchzuschalten. Siehe dazu: Basiswiderstand und [[FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte]]
Michael H. schrieb: > Siehe dazu: Basiswiderstand und > [[FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte]] http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte
danke, nagut also so lassen wie es schon ist ;-) Mit dem Unterschied BC817 statt BD675 den ich verbaut habe.
herb schrieb: > Würde das so hinhauen wie ich es gezeichnet habe? Warum den LM339 von 24V und nicht den 5V weg versorgen? C8 und C9 unbedingt als keramische Kondensatoren kaufen. Vor C8 kann eine kleine 1N4148 auch nicht schaden. Als Übervorsichtiger würde ich noch 100n von R5 nach GND und eine Mittkopplung von 1M vom Ausgang auf den (+)-Eingang beim Komparator legen.
>Warum den LM339 von 24V und nicht den 5V weg versorgen? dachte wegen "common mode input voltage range Vcc - 1,5V" >C8 und C9 unbedingt als keramische Kondensatoren kaufen C8 ist mir "explodiert", liegt das daran das es kein keramischer war? :-) Wie kommts, war eigentlich laut DB für 30V geeignet, war glaube ich ein Tantal. Kennst du noch zufällig eine SMD Version dieser Wald und Wiesen Dioden? Hab da nix gefunden in meinem Programm. Das mit dem Rückkopplungs R habe ich schonmal probiert, hat mir jetzt aber keinen Vorteil gebracht. Kann ich ja nochmal reinsetzen :-)
ops lol, sehe gerade das in meinem ersten Post im Plan alle C und R Werte falsch sind, da ich die Gehäuse Form zu SMD geändert hatte.
herb schrieb: >>Warum den LM339 von 24V und nicht den 5V weg versorgen? > > dachte wegen "common mode input voltage range Vcc - 1,5V" Reicht doch leicht bei 5V und <2,5V Schwellspannung. Ansonsten gibts haufenweise Rail2Rail Komparatoren. Siehe Standardbauelemente. >>C8 und C9 unbedingt als keramische Kondensatoren kaufen > > C8 ist mir "explodiert", liegt das daran das es kein keramischer war? Wahrscheinlich eher an zu geringer Spannungsfestigkeit. > Wie kommts, war eigentlich laut DB für 30V geeignet, war glaube ich ein > Tantal. Spannungsspitzen? > Kennst du noch zufällig eine SMD Version dieser Wald und Wiesen Dioden? > Hab da nix gefunden in meinem Programm. 1N4148 =) Gibts auch in SMD. > Das mit dem Rückkopplungs R habe ich schonmal probiert, hat mir jetzt > aber keinen Vorteil gebracht. Kann ich ja nochmal reinsetzen :-) Solche Effekte treten auch nie in einer Simulation auf, wenn man sie nicht extra einbaut.
Hi, danke. >Solche Effekte treten auch nie in einer Simulation auf, wenn man sie >nicht extra einbaut. Ich hab das ja schon gebastelt, halt mit NPN statt dem Mosfet. Sobald die Schwellspannung erreicht wird sinkt sie blitzschnell auf den Sensoroffset. Da das Ventil den Sensor beeinflusst. >Reicht doch leicht bei 5V und <2,5V Schwellspannung. Hats denn einen Nachteil auch einfach 24V am Komparator zu nehmen? Gruß
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