Hallo, ich hab mich mal in der MOSFET-Übersicht von mikrocontroller.net umgeschaut und nach einen MOSFET gesucht, bei dem der Linearbetrieb möglich ist. Ich habe mich dort für den IRLZ34N entschieden. Es steht zwar dabei, dass der Linearbetrieb möglich ist aber mir ist wichtiger, dass ich diese Information auch im Datenblatt finden kann. Nur nach was muss ich da suchen oder wo steht das? Hier mal das Datenblatt: http://www.mikrocontroller.net/part/IRLZ34N Gruß Alex
Alex K. schrieb: > Nur nach was muss ich da suchen oder wo steht das? In allen Diagrammen, die Idrain oder Uds auf Ugs beziehen.
Jetzt habt ihr mich verwirrt. Di Pi schrieb: > Fig. 1 Hier bezieht sich Idrain auf Uds und nicht auf Ugs sowie hier geschrieben: STK500-Besitzer schrieb: > In allen Diagrammen, die Idrain oder Uds auf Ugs beziehen. Ich hab mal das Datenblatt vom IRLIZ44N mit dem IRLZ34N verglichen und mir ist kein Unterschied bei den Diagrammen aufgefallen. Liegt das daran, dass der IRLIZ44N für den Linearbetrieb geeignet ist und dies in der MOSFET-Übersicht nur nicht beschrieben wurde?
Alex K. schrieb: > Jetzt habt ihr mich verwirrt. > > Di Pi schrieb: >> Fig. 1 > > Hier bezieht sich Idrain auf Uds und nicht auf Ugs > sowie hier geschrieben... Doch. U_GS ist als Schar aufgetragen
Falk Brunner schrieb: > http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs Dort steht, dass wenn im SOA-Diagramm eine Linie für DC eingezeichnet ist, dass der MOSFET auch linear betrieben werden kann. Aber im Datenblatt vom IRLZ34N finde ich diese Linie in dem Diagragmm nicht. Nochmal zu Fig. 1 wie sähe dieses Diagramm aus, wenn der MOSFET für den Linearbetrieb geeignet ist oder nicht?
Alex K. schrieb: > Nochmal zu Fig. 1 wie sähe dieses Diagramm aus, wenn der MOSFET für den > Linearbetrieb geeignet ist oder nicht? Fig.1 ist doof bzw. nicht für den Linearbetrieb nicht derart interessant (wichtig schon, aber darum kann man sich später kümmern) Fig.3 zeigt die Abhängigkeit zwischen Ugs und Ids, also wie die Spannung zwischen Gate und Source den Kanal steuert: Je größer Ugs, umso größer Ids. Ids ist dann auch noch von Uds abhängig, also der Versorgungsspannung des MOSFET.
STK500-Besitzer schrieb: > Fig.3 zeigt die Abhängigkeit zwischen Ugs und Ids, also wie die Spannung > zwischen Gate und Source den Kanal steuert: Je größer Ugs, umso größer > Ids. Und was sagt mir das jetzt über den Linearbetrieb aus? Wie sähe dieses Diagramm aus, wenn der MOSFET nicht für den Linearbetrieb geeignet währe?
Alex K. schrieb: > Und was sagt mir das jetzt über den Linearbetrieb aus? > Wie sähe dieses Diagramm aus, wenn der MOSFET nicht für den > Linearbetrieb geeignet währe? Du muß nur darauf achten, daß die Verlustleistung von 68W nicht überschritten wird. Unter realer Bedingung im Linearbetrieb ca. 20-30W Gruß
Ist dann mit jedem MOSFET der Linearbetrieb möglich, wenn man die maximale Verlustleistung nicht überschreitet?
Alex K. schrieb: > Ist dann mit jedem MOSFET der Linearbetrieb möglich, > wenn man die maximale Verlustleistung nicht überschreitet? Prinzip ja. http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs "Weiterhin muss man beachten, dass viele der heutigen HochleistungsMOSFETs intern eine Parallelschaltung vieler kleiner MOSFET-Zellen (z.B. sogenannte Trench-FET) sind, und somit oft für den Linearbetrieb ungeeignet sind. Denn auch dort können einzelne Zellen überhitzen und durchbrennen (Hot Spot)"
> Alex K. schrieb: > Ist dann mit jedem MOSFET der Linearbetrieb möglich, > wenn man die maximale Verlustleistung nicht überschreitet? Nein. SOA-Diagramm entscheidet. Hiel mal das Datenblatt von good old BUZ 11: http://www.radiotechnika.hu/images/BUZ11.pdf Fig. 4 zeigt das SOA-Diagramm (Safe operating ares). Dort ist die nicht gestrichelte DC-Linie zu sehen, welche zeigt was im Linearbetrieb geht. Der IRLZ34N hat da keine DC-Linie, weshalb zumindest ich ihn nicht linear betreiben würde.
Tany schrieb: > Du muß nur darauf achten, daß die Verlustleistung von 68W nicht > überschritten wird. Unter realer Bedingung im Linearbetrieb ca. 20-30W Dann aber auch unbedingt auf die richtige Wärmesenke achten! Ohne weiteren Kühlkörper bekommst du sonst 62 °C/W an der junction.
Beatbuzzer schrieb: > Fig. 4 zeigt das SOA-Diagramm (Safe operating ares). Dort ist die nicht > gestrichelte DC-Linie zu sehen, welche zeigt was im Linearbetrieb geht. > > Der IRLZ34N hat da keine DC-Linie, weshalb zumindest ich ihn nicht > linear betreiben würde. Jeder MOSFET hat 3 Betriebsmodis: Sperr, Linear und Schalter!
Hallo, wie Du in dem Artikel http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs sicher bereits gelesen hast "vergessen die Hersteller auch manchmal die DC Kennlinie reinzuschreiben" (frei zitiert). Wie Du dem Artikel ebenfalls entnehmen kannst hat International Rectifier dies bei einigen MOSFETs nachgeholt. Siehe Beitrag "Re: Dummy-Load Maximalstrom Problem" bzw. http://www.irf.com/product-info/hi-rel/alerts/fv5-p-09-01-A.pdf Ist dort kein passender MOSFET für Dich dabei? Falls nicht hast Du zwei Möglichkeiten: 1. Beim Hersteller bezüglich der DC-Kennlinie des IRLZ34N nachfragen. 2. MOSFET außerhalb der (offiziellen) Spezifikation des Herstellers betreiben. Mit freundlichen Grüßen Guido
Beatbuzzer schrieb: > Der IRLZ34N hat da keine DC-Linie, weshalb zumindest ich ihn nicht > linear betreiben würde. Das ist aber eine krude Logik. Zudem wird jeder Mosfet ob seiner begrenzten Schaltgeschwindigkeit immer auch linear betrieben. Der Schaltbetrieb ist lediglich ein Ausnahmefall vom Linearbetrieb. Es gilt im Linearbetrieb lediglich, die Verlustleistung so gut abzuführen, dass die maximale Sperrschichttemperatur niemals überschritten wird. In die ganzen Kurven im us-Bereich kommt dann nur noch das Energieaufnahmevermögen des Chips und des Gehäuses selber. Denn bei einem Puls mit einer Schaltleistung von 80A bei 40V (=3,2kW) fängt der Die und/oder das umliegende Plastik die entstehende Energie auf...
Hallo, Lothar Miller schrieb: > Es gilt im Linearbetrieb lediglich, die Verlustleistung so gut > abzuführen, dass die maximale Sperrschichttemperatur niemals > überschritten wird. genau da "liegt der Hund begraben". Mit freundlichen Grüßen Guido
> Es gilt im Linearbetrieb lediglich, die Verlustleistung so gut > abzuführen, dass die maximale Sperrschichttemperatur niemals > überschritten wird. Aber was sagt uns die DC-Linie und dieser Text... > "Weiterhin muss man beachten, dass viele der heutigen > HochleistungsMOSFETs intern eine Parallelschaltung vieler kleiner > MOSFET-Zellen (z.B. sogenannte Trench-FET) sind, und somit oft für den > Linearbetrieb ungeeignet sind. Denn auch dort können einzelne Zellen > überhitzen und durchbrennen (Hot Spot)" ...dann, wenn von Dir genanntes gilt? Wie kann ich sicher sein, dass es durch unsymmetrische Stromverteilung intern nicht schon hotspots gibt, obwohl das Gehäuse selbst noch in einem akzeptablen Temperaturbereich liegt?
@ Lothar Miller (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite >Das ist aber eine krude Logik. Zudem wird jeder Mosfet ob seiner >begrenzten Schaltgeschwindigkeit immer auch linear betrieben. Aber nur kurzzeitig. > Der >Schaltbetrieb ist lediglich ein Ausnahmefall vom Linearbetrieb. Naja. >Es gilt im Linearbetrieb lediglich, die Verlustleistung so gut >abzuführen, dass die maximale Sperrschichttemperatur niemals >überschritten wird. Nein! Du bekommst einen expliziten Schalttransistor auch mit deutlich weniger Leistung kaputt! Das ist ja der Knackpunkt!
Alex K. schrieb: > ich hab mich mal in der MOSFET-Übersicht von mikrocontroller.net > umgeschaut und nach einen MOSFET gesucht, > bei dem der Linearbetrieb möglich ist. Nein, wenn ich dich richtig verstehe, möchtest du den Mosfet im Sättigungsbereich betreiben. Die beiden Begriffe Linear- und Sättigungsbereich werden immer wieder durcheinandergewürfelt, obwohl es klare Definitionen dafür gibt: http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor#Ausgangskennlinienfeld Da die Begriffe sogar in Veröffentlichungen von Angestellten von Halbleiterherstellern falsch genutzt werden, gewöhnt man sie sich im Zusammenhang mit Mosfets am besten komplett ab und nimmt stattdessen die Begriffe "ohmscher Bereich" und "Abschnürbereich", die die jeweiligen Sachverhalte zudem wesentlich besser treffen. Genug der Begrifflichkeiten, du möchtest den Mosfet also im Abschnürbereich betreiben. Das kann man prinzipiell mit jedem Mosfet tun, man muss dabei aber gewisse Grenzwerte beachten, die in vielen Datenblättern leider nur unzureichend dargestellt sind. Wie schon geschrieben wurde, ist das SOA-Diagramm die maßgebliche Informationsquelle. Da Leistungsmosfets üblicherweise als Schalter betrieben werden, sind diese Diagramme aber oft unvollständig und damit bei der Auslegung des Mosfets für den Dauereinsatz im Abschnürbereich nicht anwendbar. Die beiden entscheidenden Punkte wurden schon genannt bzw. angedeutet: 1. Das Diagramm muss eine DC-Kurve enthalten. 2. Das Diagramm muss das Auftreten lokaler thermischer Instabilitäten innerhalb des Mosfets (Hotspots, Spirito-Effekt¹) berücksichtigen. In älteren IRF-Datenblättern fehlt oft die DC-Kurve. Selbst wenn die DC-Kurve eingezeichnet ist, wird oft der Spirito-Effekt nicht berücksichtigt. Man erkennt dies daran, dass der abfallende Ast der DC-Kurve in der doppeltlogarithmischen Darstellung eine Gerade ist, bei der ein UDS-Anstieg um eine Dekade einen ID-Abfall um ebenfalls eine Dekade bewirkt. Das Produkt aus UDS und ID ist damit konstant und entspricht der in "Absolute Maximum Ratings" angegeben maximalen Verlustleistung. Ist der Spirito-Effekt berücksichtigt, fällt für die längeren Impulsdauern und DC der rechte Teil der abfallenden Kurven um mehr als 1 Dekade/Dekade ab. Dadurch entsteht ein zusätzlicher Knick in den Kurven. Ist einer der beiden Punkte (DC-Kurve und Spirito-Effekt) im Diagramm nicht dargestellt, sollte man den Mosfet im Abschnürbereich überhaupt nicht dauerhaft oder nur mir viel Sicherheitsabstand zur angegebenen DC-Kurve betreiben. Der Spirito-Effekt ensteht dadurch, dass bei nur schwach aufgesteuertem Mosfet der Temperaturkoeffizient von ID positiv ist. Dadurch nehmen diejenigen der auf dem Die parallelgeschalteten Einzelmosfets, die sowieso schon etwas wärmer als ihre Nachbarn sind, einen größeren Anteil des Gesamtstroms auf, was sie noch wärmer werden lässt. Das Ganze führt dann zu einem so genannten "thermal run-away", durch den den Mosfet zerstört oder zumindest beschädigt werden kann. Im Schaltbetrieb stellt dies kein Problem dar, da im ohmschen Bereich der Temperaturkoeffizient von ID negativ ist und für eine gleichmäßige Aufteilung des Gesamtstroms auf die Einzelmosfets sorgt. Ich habe mal zwei vorbildliche SOA-Diagramme angehängt, die man guten Gewissens für die Auslegung der entsprechenden Mosfets verwenden kann: Im Diagramm des FDP030N06 von Fairchild kann man sehr schön viele unterschiedliche Begrenzungen der SOA erkennen. Ich habe sie mal alle mit unterschiedlichen Farben markiert:
1 | gelb: maximal zulässiges UDS |
2 | cyan: maximal zulässiges ID |
3 | violett: Gesamtverlustleistung UDS·ID, abhängig von der Impulsdauer |
4 | grün: RDSon |
5 | rot: Spirito-Effekt |
6 | blau: maximaler Strom durch die Bond-Drähte² |
Bei DC-Betrieb ist die SOA (hellgrüne Fläche) somit durch nicht weniger als 5 Kriterien begrenzt. Die Knicke zwischen den violetten und den roten Kurven entstehen an den Stellen, wo der Temperaturkoeffizient von ID sein Vorzeichen wechselt. Allerdings sind die Begrenzungen durch den Spirito-Effekt etwas idealisiert als Geraden dargestellt, tatsächlich sollten die Kurven in diesen Bereichen etwas nach unten durchhängen. Im Diagramm des IRFS3806 von IRF sehen die Kurven realistischer aus. ———————— ¹) benannt nach P. Spirito, der diesen Effekt 2002 in einem IEEE-Artikel ausführlich beschrieben hat ²) Insbesondere die Begrenzung durch den maximalen Strom durch die Bond-Drähte ist auch so ein Punkt, der vielen nicht bewusst ist und auch (und vor allem) im Schaltbetrieb zu bösen Überraschungen führen kann, obwohl die Grenzwerte für Verlustleistung und Drain-Strom eingehalten werden.
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@Yalu Vielen Dank für diesen absolut genialen Beitrag. Nach solchen Info suche ich schon länger. Diesen Beitrag sollte man, wenn noch nicht geschehen, mit in den MosFET Artikel aufnehmen. Wäre meines Erachtens eine Bereicherung. Frohes neues weiterhin ;)
Noch ein kleiner Tipp: Wenn man unter den Mosfets, deren SOA-Diagramme den Spirito-Effekt berücksichtigen, beim besten Willen keinen passenden Typ findet, nimmt man am besten einen, dessen UDSmax um einen deutlichen Faktor über dem tatsächlich erforderlichen Wert liegt. Warum das? Schaut man sich die SOA-Diagramme in meinem letzten Beitrag an, erkennt man, dass beim FDP030N06 im DC-Betrieb der Spirito-Effekt erst bei UDS > 3V, beim IRFS3806 sogar erst bei UDS > 6,5V eintritt. Beide Mosfets haben ein UDSmax von 60V. Betreibt man nun beide mit 10V, d.h. mit etwa 17% des Grenzwerts, kann man bei beiden immerhin noch 20% der maximal zulässigen Verlustleistung ausschöpfen. So arg viel mehr Verlustleistung möchte man den Teilen meist sowieso nicht zumuten, weil man sonst die Wärme nicht mehr vernünftig abgeleitet bekommt. Wenn man nicht 10V, sondern 40V braucht, nimmt man einen Mosfet für 240V und hat bei ebenfalls 20% der maximalen Verlustleistung eine sehr gute Chance, den Mosfet nicht kaputt zu machen. Mit dem IRFS3806 hingegen würde man bei 40V gerade einmal 1,7% ausschöpfen können, da man hier schon sehr tief in den Spirito-Bereich gerät.
Yalu X. schrieb: > benannt nach P. Spirito, der diesen Effekt 2002 in einem IEEE-Artikel > ausführlich beschrieben hat Der nichts anderes als der als second breakdown bereits bei Bipolartransistor bekannte Mechanismus ist, der auch seit der Anfangszeit der Leistungs-MOSFETs bekannt war, siehe hot spots, nur Herr Spirito wusste wohl nichts davon, und als DC Kurve aufgeführt wurde. Da MOSFETs extrem häufig als Schalter eingesetzt werden und meist dafür designt werden und vor allem Firmen wie IR bei Datenblättern gerne lügen (siehe Pmax), lässt man die DC Kurve einfach weg wenn sie zu schlecht ausfällt und nie getestet wird.
Die Chancen einen für den Linearbetrieb geeigenten MOSFET zu finden steigen, wenn man bei den eher älteren Typen für höhere Spannungen (ruhig 400 oder 600 V Typen, auch wenn man nur 20 V braucht) sucht. Dazu auch besser gleich einer im relativ großen Gehäuse, damit man die Wärme gut weg bekommt. Der IRLZ34 scheint da recht schlecht geeignet zu sein - da fehlt schon die 100 ms Kurve (jedenfalls in dem Datenblatt das ich habe). Etwas Leistung im Linearbetrieb geht immer, aber ggf. nur eine sehr geringe Leistung.
MaWin schrieb: > Yalu X. schrieb: >> benannt nach P. Spirito, der diesen Effekt 2002 in einem IEEE-Artikel >> ausführlich beschrieben hat > > Der nichts anderes als der als second breakdown bereits bei > Bipolartransistor bekannte Mechanismus ist, Das stimmt nicht. Den von BJTs bekannten second breakdown weisen Mosfets grundsätzlich nicht auf. Es gibt dafür einen anderen Effekt, der von außen betrachtet ähnliche Auswirkungen, aber eine andere Ursache hat. Google einfach mal nach power mosfet second breakdown dann wirst du viele Artikel finden, die dir den Unterschied erklären. > der auch seit der Anfangszeit der Leistungs-MOSFETs bekannt war, siehe > hot spots, Dieser andere Effekt wurde schon Anfang der 80er Jahre entdeckt, das ist richtig. > nur Herr Spirito wusste wohl nichts davon, Ich gehe schon davon aus, dass er etwas davon wusste, sonst hätte er sich sicher nicht damit beschäftigt ;-) In seinen Arbeiten geht es vor allem um die analytische Modellierung des Effekts in zellulär aufgebauten Mosfets. Ob seine Ergebnisse es rechtfertigen, dass der Effekt nach ihm benannt wurde, kann ich nicht beurteilen. Aber irgendeinen Namen muss man dem Kind halt geben, und in der einschlägigen Literatur ist in letzter Zeit eben immer häufiger vom "Spirito-Effekt" die Rede. Ihn einfach "second breakdown" zu nennen, wäre jedenfalls irreführend bis falsch. > Da MOSFETs extrem häufig als Schalter eingesetzt werden und meist dafür > designt werden und vor allem Firmen wie IR bei Datenblättern gerne lügen > (siehe Pmax), lässt man die DC Kurve einfach weg wenn sie zu schlecht > ausfällt und nie getestet wird. Bewusst gelogen wird in den Datenblättern normalerweise nicht, da ein Halbleiterhersteller ziemlich gewaltig eins auf den Deckel bekommt, wenn seine Bauteile innerhalb ihrer Spezifikationen betrieben werden und trotzdem kaputt gehen. Ich weiß jetzt nicht, was du an der Pmax-Angabe als gelogen empfindest. Vielleicht hast du einfach noch nicht ganz verstanden, was dieser Parameter bedeutet. Du hast aber damit recht, dass oft einige (negative oder aufwendig zu testende) Eigenschaften in den Datenblättern verschwiegen werden. Wenn bspw. im SOA-Diagramm die DC-Kurve fehlt, heißt das dann einfach, dass der Mosfet nicht dauerhaft im Abschnürbereich betrieben werden darf. Tut dies jemand trotzdem, und der Mosfet raucht deswegen ab, ist das sein eigenes Problem und nicht das des Herstellers.
> > Der nichts anderes als der als second breakdown bereits bei > > Bipolartransistor bekannte Mechanismus ist, > Das stimmt nicht. Den von BJTs bekannten second breakdown weisen Mosfets > grundsätzlich nicht auf. Doch, es ist genau derselbe Mechanismus: Lokale Überhitzung wegen negativem TempCo. Bei bipolaren heisst er second breakdown, beim MOSFET möchten ihn manche Leute nicht so nennen, er ist es aber.
Yalu X. schrieb: > dann wirst du viele Artikel finden, die dir den Unterschied erklären. Wobei ich einen fand, der explizit das Spirito-Limit unter diesem Namen erwähnte, es im kommentierten SOA-Diagramm indes als "secondary breakdown limited" bezeichnet. ;-) Also ob das nun technologisch identisch ist oder nicht, das darf man wohl akademisch sehen. In der Praxis ähnelt sich das doch ziemlich.
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Nennt es wie ihr wollt. In den meisten Fällen dürfte so oder so klar sein, was damit gemeint ist :) Edit: Man könnte ihn auch einfach "Kaputt-Effekt" nennen, denn letztendlich ist in den meisten Fällen der Transistor hinterher hinüber :D
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@ Yalu X gelungener Beitrag, sehr gut erklärt. Ja! Gute Idee diesen Beitrag in euren MOSFET-Artikel einzubetten !!! musste mir dies alles im letzten Jahr selbst erarbeiten ... Dass die Begriffe "ohmscher Bereich" und "Abschnürbereich", die jeweiligen Sachverhalte zudem wesentlich besser treffen, dem kann ich mich nur anschliessen. Am MOSFET bewirken Spannungspotentiale die Effekt, an bipolaren Transistoren sind es Ströme ... Sättigung liegt vor wenn genug Ladungsträger einströmten, woher auch immer, so vor da mein Grundverständnis Habe auch bemerkt das einige Hersteller diese SOA nicht in ihrem Datenblatt aufführen ... und ich stellte fest, das ich genau diese ja eigentlich unabdingbar brauche ... Mein Fazit war letztendlich: Wer sich also nicht die Mühe macht, sie darzustellen ist entweder faul oder hat was zu verbergen. Und faul sind die nicht, die Hersteller.
Da gibt es nix zu verbergen, neuere MOSFETs haben einfach prinzipiell einen anderen für Schaltbetrieb weiter optimierten Aufbau, das heißt möglichst kleiner Chip für bestimmtes Rds bei einer Vgs. Und das zunehmend mit optimierter Gate-Charge, denn die wird mit steigenden Frequenzen immer wichtiger. Und die wachsen ja ständig, wie alle wissen. Nett wäre es natürlich, wenn die Hersteller einfach für Linearbetrieb verwendbar auf die erste Seite knallen würden. Denn man weiß nicht nach welcher Strategie der interne Chip entworfen wurde. Allenfalls wenn man sich damit sehr lange beschäftigt und dann die Daten im Datenblatt auf eine Topologie des Chipentwurfs fitten kann. Als Daumenregel vielleicht Ptot im Linearbetrieb gleich 10% von Ptot im Schaltbetrieb.
Yalu X. schrieb: >> nur Herr Spirito wusste wohl nichts davon, > > Ich gehe schon davon aus, dass er etwas davon wusste, sonst hätte er > sich sicher nicht damit beschäftigt ;-) https://de.wikipedia.org/wiki/Fran%C3%A7ois_Spirito
Störung der Totenruhe ist eine Ordnungswidrigkeit!
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Dieser Tatbestand liegt - forenforensisch beweisbar - nicht vor. Vielmehr wurde zuerst durch einen Moderator (also gerichtlich angeordnet) eine Exhumination, gefolgt von einer Reanimation, durchgeführt. Daß Hp dann zu einem wiedererweckten Thema auch etwas schrieb, und dessen Ungereimtheiten aufdecken wollte, fällt allerhöchstens unter den Tatbestand "Zombie-Thread-Korrektur", und auch das nur mit sehr viel "schlechtem Willen". Bitte also erst gründlich - mit festem Griff an der eigenen Nase - die Rechtmäßigkeit solch erschütternder Anschuldigungen prüfen.
Homo Habilis schrieb: > Dieser Tatbestand liegt - forenforensisch beweisbar - nicht vor. > Vielmehr wurde zuerst durch einen Moderator (also gerichtlich > angeordnet) eine Exhumination, gefolgt von einer Reanimation, > durchgeführt. Putz dir mal die Brille ;) :D
Hatte das hier Beitrag "Re: Linearbetrieb MOSFET gesucht" als Zombie-Erweckung betrachtet. Allerdings nur durch zufällige Erinnerung an den Thread, mich interessiert dieses Thema, und den hatte ich noch im Kopf. Seit Yalus Verlinkung könnte man den (schon damals noch nicht wirklich verfaulten) Thread ja als Zombie betrachten (von einem später herbei geführten Tod des Untoten habe ich keine Kenntnis...), aber zugegeben: Spinnen muß man ja schon für sowas! (lach... oder halt statt auf der Brille eher Flecken in der Realität haben) MfG
Hi Leute! Ich bin über die MOSFET-Übersicht hierher gekommen und möchte mich erstmal für die super Beschreibung bezüglich des SOA-Diagramms bedanken. Jetzt habe ich aber dann eine Frage: In der Übversicht wird der IRF540 mit "Linearbetrieb möglich" beschrieben. Im SOA-Diagramm des Bauteils ist jedoch nichts von einer DC-Kurve zu sehen. Woher weiß man das also hier? Danke!
IRLZ34N Datenblatt Figure 3 ist die Lösung des Rätsels: Bei Ugs kleiner 3.5V ist die Temperaturkennlinie negativ. Das heißt, Hotspots konnen entstehen. Über 3.5V positiv. Damit der MOSFET keine Hotspots erzeugen kann, muß er Temperaturkennlinien, haben bei dem der Schnittpunkt aller Temperaturkennlinien bei NULL Volt Ugs liegt.
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