Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET Linearbetrieb möglich?


Announcement: there is an English version of this forum on EmbDev.net. Posts you create there will be displayed on Mikrocontroller.net and EmbDev.net.
von Alex K. (ko-j)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hallo,

ich hab mich mal in der MOSFET-Übersicht von mikrocontroller.net 
umgeschaut und nach einen MOSFET gesucht,
bei dem der Linearbetrieb möglich ist.
Ich habe mich dort für den IRLZ34N entschieden.

Es steht zwar dabei, dass der Linearbetrieb möglich ist aber mir ist 
wichtiger, dass ich diese Information auch im Datenblatt finden kann.
Nur nach was muss ich da suchen oder wo steht das?

Hier mal das Datenblatt:
http://www.mikrocontroller.net/part/IRLZ34N

Gruß
Alex

von STK500-Besitzer (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Alex K. schrieb:
> Nur nach was muss ich da suchen oder wo steht das?

In allen Diagrammen, die Idrain oder Uds auf Ugs beziehen.

von Di P. (drpepper) Benutzerseite


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Fig. 1

von Alex K. (ko-j)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Jetzt habt ihr mich verwirrt.

Di Pi schrieb:
> Fig. 1

Hier bezieht sich Idrain auf Uds und nicht auf Ugs
sowie hier geschrieben:
STK500-Besitzer schrieb:
> In allen Diagrammen, die Idrain oder Uds auf Ugs beziehen.

Ich hab mal das Datenblatt vom IRLIZ44N mit dem IRLZ34N verglichen
und mir ist kein Unterschied bei den Diagrammen aufgefallen.
Liegt das daran, dass der IRLIZ44N für den Linearbetrieb geeignet ist 
und dies in der MOSFET-Übersicht nur nicht beschrieben wurde?

von Falk B. (falk)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert

von Di P. (drpepper) Benutzerseite


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Alex K. schrieb:
> Jetzt habt ihr mich verwirrt.
>
> Di Pi schrieb:
>> Fig. 1
>
> Hier bezieht sich Idrain auf Uds und nicht auf Ugs
> sowie hier geschrieben...

Doch. U_GS ist als Schar aufgetragen

von Alex K. (ko-j)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Falk Brunner schrieb:
> http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs

Dort steht, dass wenn im SOA-Diagramm eine Linie für DC eingezeichnet 
ist,
dass der MOSFET auch linear betrieben werden kann.
Aber im Datenblatt vom IRLZ34N finde ich diese Linie in dem Diagragmm 
nicht.

Nochmal zu Fig. 1 wie sähe dieses Diagramm aus, wenn der MOSFET für den 
Linearbetrieb geeignet ist oder nicht?

von STK500-Besitzer (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Alex K. schrieb:
> Nochmal zu Fig. 1 wie sähe dieses Diagramm aus, wenn der MOSFET für den
> Linearbetrieb geeignet ist oder nicht?

Fig.1 ist doof bzw. nicht für den Linearbetrieb nicht derart interessant 
(wichtig schon, aber darum kann man sich später kümmern)
Fig.3 zeigt die Abhängigkeit zwischen Ugs und Ids, also wie die Spannung 
zwischen Gate und Source den Kanal steuert: Je größer Ugs, umso größer 
Ids.
Ids ist dann auch noch von Uds abhängig, also der Versorgungsspannung 
des MOSFET.

von Alex K. (ko-j)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
STK500-Besitzer schrieb:
> Fig.3 zeigt die Abhängigkeit zwischen Ugs und Ids, also wie die Spannung
> zwischen Gate und Source den Kanal steuert: Je größer Ugs, umso größer
> Ids.

Und was sagt mir das jetzt über den Linearbetrieb aus?
Wie sähe dieses Diagramm aus, wenn der MOSFET nicht für den 
Linearbetrieb geeignet währe?

von Tany (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Alex K. schrieb:

> Und was sagt mir das jetzt über den Linearbetrieb aus?
> Wie sähe dieses Diagramm aus, wenn der MOSFET nicht für den
> Linearbetrieb geeignet währe?

Du muß nur darauf achten, daß die Verlustleistung von 68W nicht 
überschritten wird. Unter realer Bedingung im Linearbetrieb ca. 20-30W

Gruß

von Alex K. (ko-j)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ist dann mit jedem MOSFET der Linearbetrieb möglich,
wenn man die maximale Verlustleistung nicht überschreitet?

von Tany (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Alex K. schrieb:
> Ist dann mit jedem MOSFET der Linearbetrieb möglich,
> wenn man die maximale Verlustleistung nicht überschreitet?

Prinzip ja.

http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs

"Weiterhin muss man beachten, dass viele der heutigen 
HochleistungsMOSFETs intern eine Parallelschaltung vieler kleiner 
MOSFET-Zellen (z.B. sogenannte Trench-FET) sind, und somit oft für den 
Linearbetrieb ungeeignet sind. Denn auch dort können einzelne Zellen 
überhitzen und durchbrennen (Hot Spot)"

von Beatbuzzer (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
> Alex K. schrieb:
> Ist dann mit jedem MOSFET der Linearbetrieb möglich,
> wenn man die maximale Verlustleistung nicht überschreitet?

Nein. SOA-Diagramm entscheidet. Hiel mal das Datenblatt von good old BUZ 
11:
http://www.radiotechnika.hu/images/BUZ11.pdf

Fig. 4 zeigt das SOA-Diagramm (Safe operating ares). Dort ist die nicht 
gestrichelte DC-Linie zu sehen, welche zeigt was im Linearbetrieb geht.

Der IRLZ34N hat da keine DC-Linie, weshalb zumindest ich ihn nicht 
linear betreiben würde.

von Di P. (drpepper) Benutzerseite


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Tany schrieb:
> Du muß nur darauf achten, daß die Verlustleistung von 68W nicht
> überschritten wird. Unter realer Bedingung im Linearbetrieb ca. 20-30W

Dann aber auch unbedingt auf die richtige Wärmesenke achten! Ohne 
weiteren Kühlkörper bekommst du sonst 62 °C/W an der junction.

von Tany (Gast)


Bewertung
-2 lesenswert
nicht lesenswert
Beatbuzzer schrieb:

> Fig. 4 zeigt das SOA-Diagramm (Safe operating ares). Dort ist die nicht
> gestrichelte DC-Linie zu sehen, welche zeigt was im Linearbetrieb geht.
>
> Der IRLZ34N hat da keine DC-Linie, weshalb zumindest ich ihn nicht
> linear betreiben würde.

Jeder MOSFET hat 3 Betriebsmodis: Sperr, Linear und Schalter!

von Guido C. (guidoanalog)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hallo,

wie Du in dem Artikel 
http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs 
sicher bereits gelesen hast "vergessen die Hersteller auch manchmal die 
DC Kennlinie reinzuschreiben" (frei zitiert). Wie Du dem Artikel 
ebenfalls entnehmen kannst hat International Rectifier dies bei einigen 
MOSFETs nachgeholt. Siehe
Beitrag "Re: Dummy-Load Maximalstrom Problem" bzw.
http://www.irf.com/product-info/hi-rel/alerts/fv5-p-09-01-A.pdf
Ist dort kein passender MOSFET für Dich dabei? Falls nicht hast Du zwei 
Möglichkeiten:
1. Beim Hersteller bezüglich der DC-Kennlinie des IRLZ34N nachfragen.
2. MOSFET außerhalb der (offiziellen) Spezifikation des Herstellers 
betreiben.

Mit freundlichen Grüßen
Guido

von Lothar M. (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Beatbuzzer schrieb:
> Der IRLZ34N hat da keine DC-Linie, weshalb zumindest ich ihn nicht
> linear betreiben würde.
Das ist aber eine krude Logik. Zudem wird jeder Mosfet ob seiner 
begrenzten Schaltgeschwindigkeit immer auch linear betrieben. Der 
Schaltbetrieb ist lediglich ein Ausnahmefall vom Linearbetrieb.

Es gilt im Linearbetrieb lediglich, die Verlustleistung so gut 
abzuführen, dass die maximale Sperrschichttemperatur niemals 
überschritten wird. In die ganzen Kurven im us-Bereich kommt dann nur 
noch das Energieaufnahmevermögen des Chips und des Gehäuses selber. Denn 
bei einem Puls mit einer Schaltleistung von 80A bei 40V (=3,2kW) fängt 
der Die und/oder das umliegende Plastik die entstehende Energie auf...

von Guido C. (guidoanalog)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hallo,

Lothar Miller schrieb:
> Es gilt im Linearbetrieb lediglich, die Verlustleistung so gut
> abzuführen, dass die maximale Sperrschichttemperatur niemals
> überschritten wird.

genau da "liegt der Hund begraben".

Mit freundlichen Grüßen
Guido

von Beatbuzzer (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
> Es gilt im Linearbetrieb lediglich, die Verlustleistung so gut
> abzuführen, dass die maximale Sperrschichttemperatur niemals
> überschritten wird.

Aber was sagt uns die DC-Linie und dieser Text...

> "Weiterhin muss man beachten, dass viele der heutigen
> HochleistungsMOSFETs intern eine Parallelschaltung vieler kleiner
> MOSFET-Zellen (z.B. sogenannte Trench-FET) sind, und somit oft für den
> Linearbetrieb ungeeignet sind. Denn auch dort können einzelne Zellen
> überhitzen und durchbrennen (Hot Spot)"

...dann, wenn von Dir genanntes gilt? Wie kann ich sicher sein, dass es 
durch unsymmetrische Stromverteilung intern nicht schon hotspots gibt, 
obwohl das Gehäuse selbst noch in einem akzeptablen Temperaturbereich 
liegt?

von Falk B. (falk)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@ Lothar Miller (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite

>Das ist aber eine krude Logik. Zudem wird jeder Mosfet ob seiner
>begrenzten Schaltgeschwindigkeit immer auch linear betrieben.

Aber nur kurzzeitig.

> Der
>Schaltbetrieb ist lediglich ein Ausnahmefall vom Linearbetrieb.

Naja.

>Es gilt im Linearbetrieb lediglich, die Verlustleistung so gut
>abzuführen, dass die maximale Sperrschichttemperatur niemals
>überschritten wird.

Nein! Du bekommst einen expliziten Schalttransistor auch mit deutlich 
weniger Leistung kaputt! Das ist ja der Knackpunkt!

von Yalu X. (yalu) (Moderator)


Angehängte Dateien:

Bewertung
15 lesenswert
nicht lesenswert
Alex K. schrieb:
> ich hab mich mal in der MOSFET-Übersicht von mikrocontroller.net
> umgeschaut und nach einen MOSFET gesucht,
> bei dem der Linearbetrieb möglich ist.

Nein, wenn ich dich richtig verstehe, möchtest du den Mosfet im
Sättigungsbereich betreiben. Die beiden Begriffe Linear- und
Sättigungsbereich werden immer wieder durcheinandergewürfelt, obwohl es
klare Definitionen dafür gibt:

  http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor#Ausgangskennlinienfeld

Da die Begriffe sogar in Veröffentlichungen von Angestellten von
Halbleiterherstellern falsch genutzt werden, gewöhnt man sie sich im
Zusammenhang mit Mosfets am besten komplett ab und nimmt stattdessen die
Begriffe "ohmscher Bereich" und "Abschnürbereich", die die jeweiligen
Sachverhalte zudem wesentlich besser treffen.

Genug der Begrifflichkeiten, du möchtest den Mosfet also im
Abschnürbereich betreiben.

Das kann man prinzipiell mit jedem Mosfet tun, man muss dabei aber
gewisse Grenzwerte beachten, die in vielen Datenblättern leider nur
unzureichend dargestellt sind.

Wie schon geschrieben wurde, ist das SOA-Diagramm die maßgebliche
Informationsquelle. Da Leistungsmosfets üblicherweise als Schalter
betrieben werden, sind diese Diagramme aber oft unvollständig und damit
bei der Auslegung des Mosfets für den Dauereinsatz im Abschnürbereich
nicht anwendbar.

Die beiden entscheidenden Punkte wurden schon genannt bzw. angedeutet:

1. Das Diagramm muss eine DC-Kurve enthalten.

2. Das Diagramm muss das Auftreten lokaler thermischer Instabilitäten
   innerhalb des Mosfets (Hotspots, Spirito-Effekt¹) berücksichtigen.


In älteren IRF-Datenblättern fehlt oft die DC-Kurve.

Selbst wenn die DC-Kurve eingezeichnet ist, wird oft der Spirito-Effekt
nicht berücksichtigt. Man erkennt dies daran, dass der abfallende Ast
der DC-Kurve in der doppeltlogarithmischen Darstellung eine Gerade ist,
bei der ein UDS-Anstieg um eine Dekade einen ID-Abfall um ebenfalls
eine Dekade bewirkt. Das Produkt aus UDS und ID ist damit konstant und
entspricht der in "Absolute Maximum Ratings" angegeben maximalen
Verlustleistung. Ist der Spirito-Effekt berücksichtigt, fällt für die
längeren Impulsdauern und DC der rechte Teil der abfallenden Kurven um
mehr als 1 Dekade/Dekade ab. Dadurch entsteht ein zusätzlicher Knick in
den Kurven.

Ist einer der beiden Punkte (DC-Kurve und Spirito-Effekt) im Diagramm
nicht dargestellt, sollte man den Mosfet im Abschnürbereich überhaupt
nicht dauerhaft oder nur mir viel Sicherheitsabstand zur angegebenen
DC-Kurve betreiben.

Der Spirito-Effekt ensteht dadurch, dass bei nur schwach aufgesteuertem
Mosfet der Temperaturkoeffizient von ID positiv ist. Dadurch nehmen
diejenigen der auf dem Die parallelgeschalteten Einzelmosfets, die
sowieso schon etwas wärmer als ihre Nachbarn sind, einen größeren Anteil
des Gesamtstroms auf, was sie noch wärmer werden lässt. Das Ganze führt
dann zu einem so genannten "thermal run-away", durch den den Mosfet
zerstört oder zumindest beschädigt werden kann.

Im Schaltbetrieb stellt dies kein Problem dar, da im ohmschen Bereich
der Temperaturkoeffizient von ID negativ ist und für eine gleichmäßige
Aufteilung des Gesamtstroms auf die Einzelmosfets sorgt.


Ich habe mal zwei vorbildliche SOA-Diagramme angehängt, die man guten
Gewissens für die Auslegung der entsprechenden Mosfets verwenden kann:

Im Diagramm des FDP030N06 von Fairchild kann man sehr schön viele
unterschiedliche Begrenzungen der SOA erkennen. Ich habe sie mal alle
mit unterschiedlichen Farben markiert:
gelb:    maximal zulässiges UDS
cyan:    maximal zulässiges ID
violett: Gesamtverlustleistung UDS·ID, abhängig von der Impulsdauer
grün:    RDSon
rot:     Spirito-Effekt
blau:    maximaler Strom durch die Bond-Drähte²

Bei DC-Betrieb ist die SOA (hellgrüne Fläche) somit durch nicht weniger
als 5 Kriterien begrenzt.

Die Knicke zwischen den violetten und den roten Kurven entstehen an den
Stellen, wo der Temperaturkoeffizient von ID sein Vorzeichen wechselt.

Allerdings sind die Begrenzungen durch den Spirito-Effekt etwas
idealisiert als Geraden dargestellt, tatsächlich sollten die Kurven in
diesen Bereichen etwas nach unten durchhängen. Im Diagramm des
IRFS3806 von IRF sehen die Kurven realistischer aus.


————————
¹) benannt nach P. Spirito, der diesen Effekt 2002 in einem IEEE-Artikel
   ausführlich beschrieben hat

²) Insbesondere die Begrenzung durch den maximalen Strom durch die
   Bond-Drähte ist auch so ein Punkt, der vielen nicht bewusst ist und
   auch (und vor allem) im Schaltbetrieb zu bösen Überraschungen führen
   kann, obwohl die Grenzwerte für Verlustleistung und Drain-Strom
   eingehalten werden.

: Bearbeitet durch Moderator
von Jörg E. (jackfritt)


Bewertung
1 lesenswert
nicht lesenswert
@Yalu
Vielen Dank für diesen absolut genialen Beitrag.
Nach solchen Info suche ich schon länger.
Diesen Beitrag sollte man, wenn noch nicht geschehen, mit in den
MosFET Artikel aufnehmen.
Wäre meines Erachtens eine Bereicherung.
Frohes neues weiterhin ;)

von Yalu X. (yalu) (Moderator)


Bewertung
1 lesenswert
nicht lesenswert
Noch ein kleiner Tipp:

Wenn man unter den Mosfets, deren SOA-Diagramme den Spirito-Effekt
berücksichtigen, beim besten Willen keinen passenden Typ findet, nimmt
man am besten einen, dessen UDSmax um einen deutlichen Faktor über dem
tatsächlich erforderlichen Wert liegt.

Warum das?

Schaut man sich die SOA-Diagramme in meinem letzten Beitrag an, erkennt
man, dass beim FDP030N06 im DC-Betrieb der Spirito-Effekt erst bei UDS >
3V, beim IRFS3806 sogar erst bei UDS > 6,5V eintritt. Beide Mosfets
haben ein UDSmax von 60V. Betreibt man nun beide mit 10V, d.h. mit etwa
17% des Grenzwerts, kann man bei beiden immerhin noch 20% der maximal
zulässigen Verlustleistung ausschöpfen. So arg viel mehr Verlustleistung
möchte man den Teilen meist sowieso nicht zumuten, weil man sonst die
Wärme nicht mehr vernünftig abgeleitet bekommt.

Wenn man nicht 10V, sondern 40V braucht, nimmt man einen Mosfet für 240V
und hat bei ebenfalls 20% der maximalen Verlustleistung eine sehr gute
Chance, den Mosfet nicht kaputt zu machen. Mit dem IRFS3806 hingegen
würde man bei 40V gerade einmal 1,7% ausschöpfen können, da man hier
schon sehr tief in den Spirito-Bereich gerät.

von MaWin (Gast)


Bewertung
-3 lesenswert
nicht lesenswert
Yalu X. schrieb:
> benannt nach P. Spirito, der diesen Effekt 2002 in einem IEEE-Artikel
>    ausführlich beschrieben hat

Der nichts anderes als der als second breakdown bereits bei 
Bipolartransistor bekannte Mechanismus ist, der auch seit der 
Anfangszeit der Leistungs-MOSFETs bekannt war, siehe hot spots, nur Herr 
Spirito wusste wohl nichts davon, und als DC Kurve aufgeführt wurde.
Da MOSFETs extrem häufig als Schalter eingesetzt werden und meist dafür 
designt werden und vor allem Firmen wie IR bei Datenblättern gerne lügen 
(siehe Pmax), lässt man die DC Kurve einfach weg wenn sie zu schlecht 
ausfällt und nie getestet wird.

von Ulrich (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Die Chancen einen für den Linearbetrieb geeigenten MOSFET zu finden 
steigen, wenn man bei den eher älteren Typen für höhere Spannungen 
(ruhig 400 oder 600 V Typen, auch wenn man nur 20 V braucht) sucht. Dazu 
auch besser gleich einer im relativ großen Gehäuse, damit man die Wärme 
gut weg bekommt.

Der IRLZ34 scheint da recht schlecht geeignet zu sein - da fehlt schon 
die 100 ms Kurve (jedenfalls in dem Datenblatt das ich habe). Etwas 
Leistung im Linearbetrieb geht immer, aber ggf. nur eine sehr geringe 
Leistung.

von Yalu X. (yalu) (Moderator)


Bewertung
2 lesenswert
nicht lesenswert
MaWin schrieb:
> Yalu X. schrieb:
>> benannt nach P. Spirito, der diesen Effekt 2002 in einem IEEE-Artikel
>>    ausführlich beschrieben hat
>
> Der nichts anderes als der als second breakdown bereits bei
> Bipolartransistor bekannte Mechanismus ist,

Das stimmt nicht. Den von BJTs bekannten second breakdown weisen Mosfets
grundsätzlich nicht auf. Es gibt dafür einen anderen Effekt, der von
außen betrachtet ähnliche Auswirkungen, aber eine andere Ursache hat.

Google einfach mal nach

  power mosfet second breakdown

dann wirst du viele Artikel finden, die dir den Unterschied erklären.

> der auch seit der Anfangszeit der Leistungs-MOSFETs bekannt war, siehe
> hot spots,

Dieser andere Effekt wurde schon Anfang der 80er Jahre entdeckt, das
ist richtig.

> nur Herr Spirito wusste wohl nichts davon,

Ich gehe schon davon aus, dass er etwas davon wusste, sonst hätte er
sich sicher nicht damit beschäftigt ;-)

In seinen Arbeiten geht es vor allem um die analytische Modellierung des
Effekts in zellulär aufgebauten Mosfets. Ob seine Ergebnisse es
rechtfertigen, dass der Effekt nach ihm benannt wurde, kann ich nicht
beurteilen. Aber irgendeinen Namen muss man dem Kind halt geben, und in
der einschlägigen Literatur ist in letzter Zeit eben immer häufiger vom
"Spirito-Effekt" die Rede. Ihn einfach "second breakdown" zu nennen,
wäre jedenfalls irreführend bis falsch.

> Da MOSFETs extrem häufig als Schalter eingesetzt werden und meist dafür
> designt werden und vor allem Firmen wie IR bei Datenblättern gerne lügen
> (siehe Pmax), lässt man die DC Kurve einfach weg wenn sie zu schlecht
> ausfällt und nie getestet wird.

Bewusst gelogen wird in den Datenblättern normalerweise nicht, da ein
Halbleiterhersteller ziemlich gewaltig eins auf den Deckel bekommt, wenn
seine Bauteile innerhalb ihrer Spezifikationen betrieben werden und
trotzdem kaputt gehen. Ich weiß jetzt nicht, was du an der Pmax-Angabe
als gelogen empfindest. Vielleicht hast du einfach noch nicht ganz
verstanden, was dieser Parameter bedeutet.

Du hast aber damit recht, dass oft einige (negative oder aufwendig zu
testende) Eigenschaften in den Datenblättern verschwiegen werden. Wenn
bspw. im SOA-Diagramm die DC-Kurve fehlt, heißt das dann einfach, dass
der Mosfet nicht dauerhaft im Abschnürbereich betrieben werden darf. Tut
dies jemand trotzdem, und der Mosfet raucht deswegen ab, ist das sein
eigenes Problem und nicht das des Herstellers.

von MaWin (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
> > Der nichts anderes als der als second breakdown bereits bei
> > Bipolartransistor bekannte Mechanismus ist,
> Das stimmt nicht. Den von BJTs bekannten second breakdown weisen Mosfets
> grundsätzlich nicht auf.

Doch, es ist genau derselbe Mechanismus:
Lokale Überhitzung wegen negativem TempCo.

Bei bipolaren heisst er second breakdown, beim MOSFET möchten ihn manche 
Leute nicht so nennen, er ist es aber.

von A. K. (prx)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Yalu X. schrieb:
> dann wirst du viele Artikel finden, die dir den Unterschied erklären.

Wobei ich einen fand, der explizit das Spirito-Limit unter diesem Namen 
erwähnte, es im kommentierten SOA-Diagramm indes als "secondary 
breakdown limited" bezeichnet. ;-)

Also ob das nun technologisch identisch ist oder nicht, das darf man 
wohl akademisch sehen. In der Praxis ähnelt sich das doch ziemlich.

: Bearbeitet durch User
von Yalu X. (yalu) (Moderator)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Nennt es wie ihr wollt. In den meisten Fällen dürfte so oder so klar
sein, was damit gemeint ist :)

Edit:

Man könnte ihn auch einfach "Kaputt-Effekt" nennen, denn letztendlich
ist in den meisten Fällen der Transistor hinterher hinüber :D

: Bearbeitet durch Moderator
von Matthias K. (matthias_k23)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@ Yalu X
gelungener Beitrag, sehr gut erklärt.
Ja! Gute Idee diesen Beitrag in euren MOSFET-Artikel einzubetten !!!
musste mir dies alles im letzten Jahr selbst erarbeiten ...

Dass die Begriffe "ohmscher Bereich" und "Abschnürbereich", die 
jeweiligen
Sachverhalte zudem wesentlich besser treffen, dem kann ich mich nur 
anschliessen. Am MOSFET bewirken Spannungspotentiale die Effekt, an 
bipolaren Transistoren sind es Ströme ...
Sättigung liegt vor wenn genug Ladungsträger einströmten, woher auch 
immer,  so vor da mein Grundverständnis


Habe auch bemerkt das einige Hersteller diese SOA nicht in ihrem 
Datenblatt aufführen ... und ich stellte fest, das ich genau diese ja 
eigentlich unabdingbar brauche ...
Mein Fazit war letztendlich:
Wer sich also nicht die Mühe macht, sie darzustellen ist entweder faul 
oder hat was zu verbergen.
Und faul sind die nicht, die Hersteller.

von Abdul K. (ehydra) Benutzerseite


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Da gibt es nix zu verbergen, neuere MOSFETs haben einfach prinzipiell 
einen anderen für Schaltbetrieb weiter optimierten Aufbau, das heißt 
möglichst kleiner Chip für bestimmtes Rds bei einer Vgs. Und das 
zunehmend mit optimierter Gate-Charge, denn die wird mit steigenden 
Frequenzen immer wichtiger. Und die wachsen ja ständig, wie alle wissen.

Nett wäre es natürlich, wenn die Hersteller einfach für Linearbetrieb 
verwendbar auf die erste Seite knallen würden. Denn man weiß nicht nach 
welcher Strategie der interne Chip entworfen wurde. Allenfalls wenn man 
sich damit sehr lange beschäftigt und dann die Daten im Datenblatt auf 
eine Topologie des Chipentwurfs fitten kann.

Als Daumenregel vielleicht Ptot im Linearbetrieb gleich 10% von Ptot im 
Schaltbetrieb.

von Hp M. (nachtmix)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Yalu X. schrieb:
>> nur Herr Spirito wusste wohl nichts davon,
>
> Ich gehe schon davon aus, dass er etwas davon wusste, sonst hätte er
> sich sicher nicht damit beschäftigt ;-)

https://de.wikipedia.org/wiki/Fran%C3%A7ois_Spirito

von Di P. (drpepper) Benutzerseite


Bewertung
3 lesenswert
nicht lesenswert
Störung der Totenruhe ist eine Ordnungswidrigkeit!

: Bearbeitet durch User
von Homo Habilis (Gast)


Bewertung
-3 lesenswert
nicht lesenswert
Dieser Tatbestand liegt - forenforensisch beweisbar - nicht vor. 
Vielmehr wurde zuerst durch einen Moderator (also gerichtlich 
angeordnet) eine Exhumination, gefolgt von einer Reanimation, 
durchgeführt.

Daß Hp dann zu einem wiedererweckten Thema auch etwas schrieb, und 
dessen Ungereimtheiten aufdecken wollte, fällt allerhöchstens unter den 
Tatbestand "Zombie-Thread-Korrektur", und auch das nur mit sehr viel 
"schlechtem Willen".

Bitte also erst gründlich - mit festem Griff an der eigenen Nase - die 
Rechtmäßigkeit solch erschütternder Anschuldigungen prüfen.

von M. K. (sylaina)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Homo Habilis schrieb:
> Dieser Tatbestand liegt - forenforensisch beweisbar - nicht vor.
> Vielmehr wurde zuerst durch einen Moderator (also gerichtlich
> angeordnet) eine Exhumination, gefolgt von einer Reanimation,
> durchgeführt.

Putz dir mal die Brille ;) :D

von Homo Habilis (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hatte das hier

Beitrag "Re: Linearbetrieb MOSFET gesucht"

als Zombie-Erweckung betrachtet. Allerdings nur durch zufällige 
Erinnerung an den Thread, mich interessiert dieses Thema, und den hatte 
ich noch im Kopf.

Seit Yalus Verlinkung könnte man den (schon damals noch nicht wirklich 
verfaulten) Thread ja als Zombie betrachten (von einem später herbei 
geführten Tod des Untoten habe ich keine Kenntnis...), aber zugegeben: 
Spinnen muß man ja schon für sowas! (lach... oder halt statt auf der 
Brille eher Flecken in der Realität haben)

MfG

von Fisch (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert

von Ferdi (Gast)


Angehängte Dateien:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hi Leute! Ich bin über die MOSFET-Übersicht hierher gekommen und möchte 
mich erstmal für die super Beschreibung bezüglich des SOA-Diagramms 
bedanken.

Jetzt habe ich aber dann eine Frage: In der Übversicht wird der IRF540 
mit "Linearbetrieb möglich" beschrieben. Im SOA-Diagramm des Bauteils 
ist jedoch nichts von einer DC-Kurve zu sehen. Woher weiß man das also 
hier?

Danke!

von MaWin (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert

von Heinzelmann (Gast)


Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
IRLZ34N Datenblatt Figure 3 ist die Lösung des Rätsels:
Bei Ugs kleiner 3.5V ist die Temperaturkennlinie negativ. Das heißt, 
Hotspots konnen entstehen. Über 3.5V positiv.
Damit der MOSFET keine Hotspots erzeugen kann, muß er 
Temperaturkennlinien, haben bei dem der Schnittpunkt aller 
Temperaturkennlinien bei NULL Volt Ugs liegt.

Antwort schreiben

Die Angabe einer E-Mail-Adresse ist freiwillig. Wenn Sie automatisch per E-Mail über Antworten auf Ihren Beitrag informiert werden möchten, melden Sie sich bitte an.

Wichtige Regeln - erst lesen, dann posten!

  • Groß- und Kleinschreibung verwenden
  • Längeren Sourcecode nicht im Text einfügen, sondern als Dateianhang

Formatierung (mehr Informationen...)

  • [c]C-Code[/c]
  • [avrasm]AVR-Assembler-Code[/avrasm]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] - Link zu Artikel
  • Verweis auf anderen Beitrag einfügen: Rechtsklick auf Beitragstitel,
    "Adresse kopieren", und in den Text einfügen




Bild automatisch verkleinern, falls nötig
Bitte das JPG-Format nur für Fotos und Scans verwenden!
Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder
GIF-Format hochladen. Siehe Bildformate.
Hinweis: der ursprüngliche Beitrag ist mehr als 6 Monate alt.
Bitte hier nur auf die ursprüngliche Frage antworten,
für neue Fragen einen neuen Beitrag erstellen.

Mit dem Abschicken bestätigst du, die Nutzungsbedingungen anzuerkennen.