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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Linearbetrieb MOSFET gesucht


Autor: Chris (Gast)
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Hallo,

ich suche für den Aufbaue einer Konstantstromsenke nach einem MOS der 
für Linearbetrieb geeignet ist. Mir ist da z.B. IRF3305 bekannt, der 
speziell dafür ausgelegt ist. Da ich den aber nicht bekomme würde ich 
gerne einen anderen aussuchen. Wie sucht man da denn am besten? 
Irgendwie ist es sehr mühsam bei Farnell für alle 1000 passenden Typen 
ins Datenblatt zu sehen. Und ist es überhaupt nötig? Im Moment nutze ich 
einen IRF540N, womit es prinzipiell auch funktioniert. Spricht da was 
dagegen? Worin unterscheiden sich die verschiedenen Typen, warum sind 
welche für Linearbetrieb gedacht und andere nicht?

Für meinen Aufbau brauche ich möglichste einen mit Loch zum 
festschrauben an den Kühler, wie z.B. TO-220. Er sollte mindestens 50 V 
aushalten und 4 A. Mehr schadet nicht.

Autor: MaWin (Gast)
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> Er sollte mindestens 50 V aushalten und 4 A. Mehr schadet nicht.

Ähem, 200 W ?

Und wovon träumst du nachts ?

Siehe http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm
"MOSFETs im Linearbetrieb (also 'nicht ganz durchgeschaltet') verhalten 
sich ab einer bestimmten Ugs gerade umgekehrt (der wärmste FET bekommt 
noch mehr Strom...)" und das passiert ggf. auch auf einem grossen Chip, 
der HotSpot wird noch heisser und "legiert durch". Es passiert nicht bei 
den MOSFETs, die für Linearbetrieb im Datenblatt gekennzeichnet sind 
(IRF hat dazu eine AppNote, Nummer hab ich nicht notiert).

Du wirst aber sowieso mehrere parallel schalten müssen, und da empfehlen 
sich laterale MOSFETs wie BUZ900-903 2SK176 2SJ56 2SK1058 2SJ162 weil 
sie eine niedrigere Uthgs haben, und entsprechend nicht so grosse 
Stromverteilungswiderstände benötigen. Oder du steuerst jeden MOSFET 
einzeln per OpAmp über seinen eigenen Shunt an.

Autor: Chris (Gast)
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Naja, wenn ich die maximale Leistung aber auf 100 W begrenze sollte ich 
mit einem hinkommen. Soweit ich weiß bestehen Power MOS aus lauter 
einzelnen kleinen transistoren die parallel sind. Wenns so ist wie du 
schreibst, dass bei zu kleinen Vgs die heißeren den Strom übernehemen 
dann macht das Sinn mit dem örtlichen durchlegieren. Da muss ich wohl um 
es einfach zu halten wirklich bei einem bleiben die dafür den geeigneten 
aussuchen. Fragt sich nur wie ich ihn finde. AppNotes hab ich bisher 
noch nicht gefunden, aber ich such weiter.

Autor: Arno H. (arno_h)
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Wenn man sehr großzügig über die einer selbsternannten Weltfirma 
unwürdige Bilderqualität hinwegsieht, gibts auch was von 
Siemens/Infineon dazu.

Arno

Autor: MaWin (Gast)
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> auf 100 W begrenze sollte ich mit einem hinkommen.

Nein.

Autor: ... (Gast)
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Autor: Chris (Gast)
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Also wenn ich die Zusammenfassung aus dem irf Dokument recht verstehe 
ists ok das Bauteil im Linearbetrieb zu fahren, solange ich in der SOA 
bleibe.

Vielen Danke auf jeden Fall für die Hinweise und Dokumente, da hab ich 
jetzt noch was zum studieren, das war genau das was ich gebraucht habe!

Autor: Marko B. (glagnar)
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Autor: MaWin (Gast)
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Ja (zu ...  und Chris).

Autor: mhh (Gast)
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MaWin schrieb:
> 2SK176 2SJ56

Hast Du die noch rumliegen? Nehme ich gern ab, brauche ich für die 
Reparatur einer Endstufe.

Autor: MaWin (Gast)
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> Hast Du die noch rumliegen?

Nö, aber die anderen genannten sind durchaus eine Ersatz.

Autor: Zwölf Mal Acht (hacky)
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Beim Linearbetrieb mit parallelen FETs benoetigt man je eine 
Ansteuerung. Dies da die Dinger nicht selbst-parallelisierend sind. Im 
Gegenteil. Der waermste FET hat die tiefste noetige Gatespannung, und 
uebernimmt daher mehr Strom. Eine Mitkopplung - bis zur Zerstoerung 
Aller.

Autor: Chris (Gast)
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So langsam glaube ich auch dass ich um mehrere parallele MOSFETs nicht 
herumkomme. Die hohe Leistung wäre zwar auch im Linearbetrieb möglich, 
nicht aber bei den hohen Spannungen. Fragt sich nur ob ich meine 
Konstantstromsenke dann nicht doch besser mit einem großen 
Bipolartransistor aufbauen sollte. Nur schade dass meine eigentlich gut 
funktionierende Schaltung dann hinfällig wäre :-(

Autor: Winfried J. (Firma: Nisch-Aufzüge) (winne)
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muss es zwingend linear sein? oder ginge soetwas auch


PWM mit C Parallel im Shopperbetrieb auf R

das würde die verlustleistung in den R verschieben und den ribble 
geringhalten, wenn es nur darum geht gleichspannungsarbeit abzubauen.

für wechslespannung müstest du noch einen GR vorschalten.

taugt natürlich nicht für Audio und HF

Autor: Chris (Gast)
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In die Richtung hab ich auch schon überlegt, aber da ist dann halt immer 
ein Ripple und es geht darum Geräteausgänge zu testen. Wenn ich mir dann 
durch einen Ripple Schwierigkeiten einfange wärs auch nicht gut.

Autor: Erik D. (dareal)
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http://dareal.info/test/

So als kleiner Denkanstoß ;)

Autor: Chris (Gast)
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Mittlerweile habe ich mir überlegt dass ich den MOS ja gegen einen 
Bipolartransistor ersetzen könnte. Ich habe eine Schaltung aufgebaut, 
die im Prinzip der aus dem Link unter "Grundschaltung ELV EL 2010" 
entspricht, nur eben mit Bipolar Dalington BDW83. Leider schwingt die 
Schaltung nur. Bisher habe ich noch kein Mittel dagegen gefunden. Ich 
kann mir gut vorstellen dass die Schwingneigung größer ist, weil der 
Ausgang des OP in einem viel kleineren Rahmen regeln muss als beim MOS, 
und weil der MOS eine Gate-Source Kapazität hat die das abdämpft. Hat 
jemand eine Idee wie ich das stabil bekomme?

Autor: Marcus (Gast)
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Hallo,

Schwingneigung bedeutet ja eigentlich immer eine zu große 
Gesamtverstärkung.
Also P runter.. Spannungteiler vor die Basis. Aber ob du damit deinen 
Darligton ruhig bekommst ??
Gegebenenfalls noch einen I bzw. und/oder einen D-Anteil mit dazu.

Frequenz der Schwingung messen und irgendwo im Regelzweig einen Tiefpass 
einbauen. Ist allerdings die schlechteste Lösung da du damit deiner 
Regelstrecke noch eine Ordnung mehr verpasst. Es sei denn du hast 
HF-Schwingungen. Dann wirds Interessant. -> anderes Layout, gezielte 
Masseführung, kürzeste Verbindungen...

Gruß
Marcus

Autor: Wolle (Gast)
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Hallo,

hast du das Projekt mit der elektronischen Last noch realisiert / fertig 
gestellt?

Ich stehe nämlich vor den selben Poblemen wie du Sie beschrieben hast.
Vllt. kannst du mir mit deinen Erfahrungen weiter helfen.

MfG

Autor: Christian S (Gast)
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Hallo!
Ich wollte jetzt dafür nicht extra ein neues Thema aufmachen.. aber 
könntet ihr mir erklären, was die beiden Kondensatoren in der angefügten 
Schaltung bewirken bzw. Konsequenzen des Weglassens wären?

Gruß

Autor: Düsendieb (Gast)
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Christian S schrieb:
> Ich wollte jetzt dafür nicht extra ein neues Thema aufmachen..

Mache es dennoch

Autor: Moje (Gast)
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Hallo,

der Thread ist schon uralt, trotzdem brauche ich Hilfe.

Ich brauche eine Konstantstromquelle für einen E88CC 
Differenzverstärker.

Die Uds liegt bei 100V, der Strom bei 10mA, macht 1W Verlustleistung. 
Ich habe erstmal den IRFP240 vorgesehen, da ich ihn noch hier habe (habe 
schon mehrere Festspannungsregler damit verwirklicht). Ich habe mir aber 
sagen lassen, er sei sehr steil und stellt deshalb hohe Anforderungen an 
den OPAmp, weshalb ich mich für den LT1006 entschieden habe.

Gibt es Alternativen an MOSFETs, die für Linearbetrieb ausgelegt sind, 
meine Anforderungen an Spannung und Strom erfüllen und Lineartauglich 
sind?
Es wäre auch gut, wenn die Anforderung an den OPAmp nicht so hoch wäre.

Grüße, Thomas

Autor: Falk Brunner (falk)
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http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linear...

Wozu ein OPV? Eine einfache Gatespannung mit Z-Diode  + Vorwideratand 
reicht. Nimm einen eher alten 200V MOSFET, der tut es, erst recht bei 
10mA.

Autor: Moje (Gast)
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Hallo,

Die Variante mit Z-Diode hat einen zu geringen Innenwiderstand und ist 
sehr temperaturempfindlich, die Variante hatte ich schon versucht.

Kann ich den IRF740 ohne Probleme nehmen?

Grüße, Thomas

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Moje (Gast)

>Die Variante mit Z-Diode hat einen zu geringen Innenwiderstand und ist
>sehr temperaturempfindlich, die Variante hatte ich schon versucht.

Dann nimm einen Tl431 oder LM334. Etwa so.

Beitrag "Re: Spannungsversorgung mit hoher Spannungsdifferenz"

Beitrag "Re: LED's ohne vorwiderstand Oo"

>Kann ich den IRF740 ohne Probleme nehmen?

Naja, obwohl das Datenblatt von Fairchild keine DC Kennlinie im 
SOA-Diagramm hat, würde ich sagen das geht. Vor allem, da du nur 10mA 
brauchst.

Autor: Moje (Gast)
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Hallo,

laut ST-Datenblatt des IRF740 geht Linearbetrieb:

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/SGSThoms...

Die Konstantstromquellen als fertige ICs können keine 100V ab, deshalb 
fallen die von vorn herein raus.

Grüße, Thomas

Autor: Tany (Gast)
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nimmt doch IRFP240, der ist gut für dein Zweck. Der Vorschlag mit 431er 
ist sehr gut, falls du nicht zur Hand hast, einfach ein npn.

Autor: Moje (Gast)
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Hallo,

den IRFP240 wollte ich nehmen, aber man sagte mir, er sei zu steil und 
würde deshalb zu Oszillation neigen.. deshalb suche ich Typen, die 
weniger steil sind, wie den IRF740.

Grüße, Thomas

Autor: Tany (Gast)
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laß dir nicht von einigen Panikmacher hier im Forum blenden.
Ich habe sogar  mit IGBT getestet.
für kleinen Strom sind die FETs flach genug für die Steuerung.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Tany (Gast)

>laß dir nicht von einigen Panikmacher hier im Forum blenden.
>Ich habe sogar  mit IGBT getestet.
>für kleinen Strom sind die FETs flach genug für die Steuerung.

Eben. Die Steilheit wird bei recht hohen Strömen im Datenmblatt 
angegeben, beim IRF740 sind es min. 5,8S bei 6A. Bei 10mA ist es um 
Größenordnungen weniger, siehe quadratische Eingangskennlinie.

Autor: Bernd Stein (bernd_stein)
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Hallo zusammen,

der IRF3305 scheint weit und breit der Einzige bei International 
Rectifier zu sein der explizit für den Linear Mode geeignet ist oder 
kennt jemand noch mehr.

Kann es sein das sich andere Hersteller darauf spezialisiert haben wie 
z.B. NXP ?


Bernd_Stein

Autor: Bernd Stein (bernd_stein)
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Kennt hier wirklich niemand andere " Echte " Linear-Betrieb taugliche 
N-MOSFETs als den IRF 3305 ?


Bernd_Stein

: Bearbeitet durch User
Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Bernd Stein (bernd_stein)

>Kennt hier wirklich niemand andere " Echte " Linear-Betrieb taugliche
>N-MOSFETs als den IRF 3305 ?

Welche Randdaten soll er den haben? BUZ11 ist alt und robust, leicht 
verfügbar und für Linearbettrieb geeignet. Kann halt nur 55V

Autor: ArnoR (Gast)
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Bernd Stein schrieb:
> Kennt hier wirklich niemand andere " Echte " Linear-Betrieb taugliche
> N-MOSFETs als den IRF 3305 ?

Das kann man eigentlich mit jedem Mosfet machen, IRF hat hier mal bei 
etlichen die DC-Kurven nachgetragen:

http://www.irf.com/product-info/hi-rel/alerts/fv5-...

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ ArnoR (Gast)

>> Kennt hier wirklich niemand andere " Echte " Linear-Betrieb taugliche
>> N-MOSFETs als den IRF 3305 ?

>Das kann man eigentlich mit jedem Mosfet machen,

Nö, nicht jeder MOSFET ist für Linearbetrieb tauglich!

>IRF hat hier mal bei
>etlichen die DC-Kurven nachgetragen:

>http://www.irf.com/product-info/hi-rel/alerts/fv5-...

Das ist eine andere Sache.

Autor: ArnoR (Gast)
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Falk Brunner schrieb:
>>Das kann man eigentlich mit jedem Mosfet machen,
>
> Nö, nicht jeder MOSFET ist für Linearbetrieb tauglich!

Wenn im SOA-Diagramm eine DC-Kurve ist und der Sekundärdurchbruch (auch 
als Spirito-Effekt bekannt) berücksichtigt ist, dann kann man bis dahin 
Linearbetrieb machen.

>>IRF hat hier mal bei
>>etlichen die DC-Kurven nachgetragen:
>
>>http://www.irf.com/product-info/hi-rel/alerts/fv5-...
>
> Das ist eine andere Sache.

Nö, da findet man die Kurven.

Autor: Bernd Stein (bernd_stein)
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ArnoR schrieb:
> Das kann man eigentlich mit jedem Mosfet machen, IRF hat hier mal bei
> etlichen die DC-Kurven nachgetragen:
>
> http://www.irf.com/product-info/hi-rel/alerts/fv5-...
>
Erstens funktioniert der Link nicht.
Zweitens denke ich das ich diesen vermutlich kenne und die Sache so sehe 
wie FALK

Falk Brunner schrieb:
> Nö, nicht jeder MOSFET ist für Linearbetrieb tauglich!
>
> Welche Randdaten soll er den haben? BUZ11 ist alt und robust, leicht
> verfügbar und für Linearbettrieb geeignet. Kann halt nur 55V
>
Seltsam das dies nicht im DB vermerkt ist das er für den Linear-Mode 
gedacht ist, so wie man es im DB vom IRF3305 lesen kann.
Kriterien sind meistens, das ich ihn bei Reichelt, ELPRO.org, evtl. 
SEGOR bestellen kann. SEGOR hat schon mal den IRF3305 nur leider 
bestelle ich meistens bei Reichelt und da ist es mir nicht wert diesen 
extra dort zu bestellen und sein Preis ist auch nicht ohne um meine 
Versuche hiermit zu fahren.

Die Schaltung funktioniert in der jeztigen Form für mich gut genug und 
ich habe den dort verwendeten N-MOSFET wegen dieser DC-Kurve verwendet 
und wegen seines Preises. Nur weiß ich halt nicht in wie fern sich 
irgend welche Betriebszustände ergeben, die diesen FET zerstören,
da er nicht explizit für den Linear-Bereich gedacht ist.

Beitrag "Stromsenke für NiCd / NiMH Einzelzellen bis 5 Ampere"


Bernd_Stein

: Bearbeitet durch User
Autor: testtest (Gast)
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IXYS hat einige Power-Mos für den Linearbetrieb.
Reichelt hat z.B. diesen hier:
http://www.reichelt.de/IXFK-180N10/3/index.html?&A...

Autor: Bernd Stein (bernd_stein)
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testtest schrieb:
> IXYS hat einige Power-Mos für den Linearbetrieb.
> Reichelt hat z.B. diesen hier:
> 
http://www.reichelt.de/IXFK-180N10/3/index.html?&A...
>
Danke und könntest Du mir noch erklären, wo ran Du fest machst das 
dieser für den Linear-Betrieb geeignet ist ?

Habe mir das Datenblatt angesehen, die Kurven verlaufen schön linear,
aber ist dieser N-MOSFET deshalb für den Linear-Betrieb geeignet ?

Beim IRF3305 steht es ja eindeutig im DB ( siehe Anhang ).


Bernd_Stein

Autor: Martin G. (Firma: http://www.gyurma.de) (martin_g)
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Wenn du einen Mosfet zum Stromregeln benutzen willst so daß er gleich 
auch noch richtig warm wird, ist es sehr hilfreich einen Blick auf die 
Transfercharakteristik zu werfen. ( Id/Vgs Kurven). Gute Hersteller 
geben diese bei mehreren Tj an.
Also, Schau mal drauf. Bei Punkt 1 sieht man, daß bei steigender Tj der 
Strom bei gleichbleibender Spannung auf das mehrfache ansteigen kann. 
Das bedeutet, falls ein kleiner Teil des Chips heißer ist, dann wird der 
noch mehr Strom abbekommen, und noch mehr Strom leiten usw. bis er dort 
durch die Eigenerwärmung total durchleitet (Si ist ein Halbleiter, 
gell?) und dadurch von Vgs unregelbar der Strom anfängt durchzufließen, 
und am Ende hast du einen schönen lauten Knall. (ich hab das miterleben 
können, als ich 400V LEDs mit Stromregelung betreiben wollte...) Das ist 
alles eine Positive Rückkoplung.
Wenn du aber auf Punkt 2 bist, da leiten die heißeren Teile weniger, und 
deshalb geht der Strom lieber auf die kälteren Stellen und er verteilt 
sich auf den ganzen Chip gleichmäßig. Also eine negative Rückkoplung.
Alles nur von der Vgs abhängig.

Nun, beim Stromregeln des Mosfets bist du meistens im unteren Vgs 
Bereich.

Ein Linearregelfähiger Mosfet hat den Übergang zw. positiver und 
negativer Temp rückkoplung sehr niedrig, wodurch die immer in der 
negativ rückgekoppelten Seite der Transferfunktion arbeiten.

Ohne ins Datenblatt zu schauen geht es eben nicht.


Der IXFK180N10 ist definitiv nicht dafür geeignet, und steht auch nicht 
so im Datenblatt.

Aber die anderen von Ixys haben eine Charakteristik, wo der Unterschied 
beim Strom nicht mehr so stark von Temperatur abhängig ist, und deshalb 
"geeignet für linearbetrieb" sind.
Suche mal nach Linear bei denen. da wirst du so manche geeignete finden.

Autor: Pumuckl (Gast)
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Falk Brunner schrieb:
> BUZ11 ist alt und robust, leicht
> verfügbar und für Linearbettrieb geeignet.

Nicht jeder BUZ11 - bei denen von STM ist die DC-Linie nicht vorhanden 
(nicht spezifiziert).

Autor: Stefan (Gast)
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Pumuckl schrieb:
> Nicht jeder BUZ11 - bei denen von STM ist die DC-Linie nicht vorhanden
> (nicht spezifiziert).

Im bei Reichelt bereitgestellten STM BUZ11 Datenblatt sehe ich im SOA 
Diagramm unter der 10 ms Linie eine durchgezogene Linie und unten in der 
Fläche, die ganz von durchgezogenen Linien begrenzt ist, steht "D.C. 
OPERATION".
Die Beschriftung der y-Achse des Diagramms scheint allerdings um eine 
Größenordnung falsch zu sein

Autor: Pumuckl (Gast)
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Stefan schrieb:
> Im bei Reichelt bereitgestellten STM BUZ11 Datenblatt sehe ich im SOA
> Diagramm unter der 10 ms Linie eine durchgezogene Linie und unten in der
> Fläche, die ganz von durchgezogenen Linien begrenzt ist, steht "D.C.
> OPERATION".

Ja, Du hast Recht. Das ist die DC-Linie - die Beschriftung ist nur 
unten.

Mein Fehler :-)

Stefan schrieb:
> Die Beschriftung der y-Achse des Diagramms scheint allerdings um eine
> Größenordnung falsch zu sein

Dito!

Im Datenblatt vom BUZ11A ist sie allerdings korrekt beschriftet wurden.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Bernd Stein (bernd_stein)

>http://www.reichelt.de/IXFK-180N10/3/index.html?&A...

Für eine 5A Stromquelle bei min.0,9V braucht man keinen 8mOhm MOSFET. 
Ein oller BUZ11 mit 50mOhm reicht locker, schließlich ist der minimal 
nötig Widerstand gerade mal 5 Ohm!

Autor: Yalu X. (yalu) (Moderator)
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Bernd Stein schrieb:
> der IRF3305 scheint weit und breit der Einzige bei International
> Rectifier zu sein der explizit für den Linear Mode geeignet ist oder
> kennt jemand noch mehr.

Gemacht für "Linear Gate Drive Applications", um das Datenblatt genau
zu zitieren.

Wenn du einen anderen Mosfet suchst, der ähnlich gut für solche
Anwendungen geeignet ist, solltest du bei IRF (inzwischen Infineon)
nachfragen, welche messbare Eigenschaft sie zu dieser Aussage hinreißen
lässt.

Es gibt keinen Mosfet, der ohne Wenn und Aber für den Betrieb im
Abschnürbereich geeignet ist, es gibt aber auch kaum einen, der dafür
absolut ungeeignet ist. Es gibt nur "besser geeignet" und "weniger gut
geeignet". Letztendlich geht es immer darum, das Bauteil innerhalb
seiner durch seine Bauweise definierten Grenzen zu betreiben, und diese
Grenzen sind durch Zahlen beschrieben, nicht durch Worte.

Leider werden diese Zahlen von den Herstellern oft verschwiegen oder
(absichtlich oder unabsichtlich) geschönt dargestellt.

ArnoR schrieb:
> Wenn im SOA-Diagramm eine DC-Kurve ist und der Sekundärdurchbruch (auch
> als Spirito-Effekt bekannt) berücksichtigt ist, dann kann man bis dahin
> Linearbetrieb machen.

So ist es. Etwas ausführlicher habe ich diesen Sachverhalt vor einiger
Zeit hier versucht zu beschreiben:

  Beitrag "Re: MOSFET Linearbetrieb möglich?"

Bernd Stein schrieb:
> Beitrag "Stromsenke für NiCd / NiMH Einzelzellen bis 5 Ampere"

Dort hast du den IRFB3806 verwendet. Der hat genauso wie der IRF3305 ein
SOA-Diagramm im Datenblatt, das die Grenzen des Sekundärdurchbruchs im
Abschnürbereich darstellt. Beim IRF3305 ist der DS-Spannungsbereich, in
dem der Drainstrom nur durch die Verlustleistung begrenzt wird, deutlich
breiter (bis 18V) als beim IRFB3806 (nur bis 6,5V). Ich vermute, dass
genau dieses den Datenblattschreiber dazu bewogen hat, den IRF3305 als
prädestiniert für "Linear Gate Drive Applications" anzupreisen.

Da du den Mosfet in einer Konstantstromsenke für die Entladung von NiXX-
Einzelzellen einsetzt, wird die DS-Spannung deutlich unterhalb von 6,5V
bleiben, so dass der IRFB3806 für deine Schaltung genauso gut geeignet
ist wie der IRF3305.

Falls du die Senke auch für höhere Spannungen nutzen möchtest, musst du
den genauen Verlauf der SOA-DC-Kurve insbesondere im Bereich rechts des
Knicks beachten. Da die Kurve dort ziemlich steil abfällt, ist es
ratsam, einen Mosfet auszuwählen, der den Knick oberhalb der maximal
auftretenden Spannung hat, da man dann den Sekundärdurchbruch sicher
ausschließen kann und man sich nur noch auf die Verlauf konzentrieren
muss.

Kriterien, um solche Mosfets schnell in den Auswahllisten der Hersteller
zu finden, sind die maximale DS-Spannung und der RDSon. Je höher diese
beiden Größen sind, desto höher liegt i.Allg. auch die Spannung, ab der
der Sekundärdurchbruch droht. Siehe auch hier:

  Beitrag "Re: MOSFET Linearbetrieb möglich?"

So beginnt der gefährliche Bereich beim IRL6283MTR (20V, 0,5mΩ) schon
bei 0,1V, beim IRFB812 (500V, 1750mΩ) hingegen erst bei 250V,


testtest schrieb:
> IXYS hat einige Power-Mos für den Linearbetrieb.
> Reichelt hat z.B. diesen hier:
> 
http://www.reichelt.de/IXFK-180N10/3/index.html?&A...

Gerade bei diesem Typ wäre ich sehr vorsichtig, denn im SOA-Diagramm ist
der Strom im DC-Betrieb nur durch RDSon, die Anschlussleitungen und die
Verlustleistung begrenzt. Die Gefahr des Sekundärdurchbruchs (der auch
dieser Mosfet ganz sicher unterliegt) ist in dem Diagramm ausgeblendet.
Da das Datenblatt auch sonst keinerlei Hinweise zum dauerhaften Betrieb
im Abschnürbereich enthält, kann nicht vorhergesagt werden, ob der
Mosfet in der Konstantstromsenke überlebt.

Autor: A.M (Gast)
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Falk Brunner schrieb:
> Für eine 5A Stromquelle bei min.0,9V braucht man keinen 8mOhm MOSFET.
> Ein oller BUZ11 mit 50mOhm reicht locker, schließlich ist der minimal
> nötig Widerstand gerade mal 5 Ohm!

Ähhh. Bist Du sicher?
Nach dem Ohmschen Gesetz und 0,9V / 5Ohm komme ich auf 0,45A!

www

Autor: Tany (Gast)
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Yalu X. schrieb:
> Es gibt keinen Mosfet, der ohne Wenn und Aber für den Betrieb im
> Abschnürbereich geeignet ist, es gibt aber auch kaum einen, der dafür
> absolut ungeeignet ist. Es gibt nur "besser geeignet" und "weniger gut
> geeignet". Letztendlich geht es immer darum, das Bauteil innerhalb
> seiner durch seine Bauweise definierten Grenzen zu betreiben, und diese
> Grenzen sind durch Zahlen beschrieben, nicht durch Worte.

So ises, mit einigen Ausnahmen von IXYS, z.B
http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100556(IXTA-TP-...
Leider viel zu teuer.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ A.M (Gast)

>> Ein oller BUZ11 mit 50mOhm reicht locker, schließlich ist der minimal
>> nötig Widerstand gerade mal 5 Ohm!

>Ähhh. Bist Du sicher?

Ne :-0

>Nach dem Ohmschen Gesetz und 0,9V / 5Ohm komme ich auf 0,45A!

Jaja, R=U/I und nicht ander herum. Also 1/5 Ohm, knapp dran. BUZ11 
reicht immer noch.

Autor: Yalu X. (yalu) (Moderator)
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Tany schrieb:
> So ises, mit einigen Ausnahmen von IXYS, z.B
> http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100556(IXTA-TP-...

Interessant, danke für den Hinweis.

Das Problem wird bei diesen Mosfets – neben ein paar Maßnahmen, um eine
gleichmäßigere Temperaturverteilung auf dem Die zu erzielen – dadurch
gelöst, dass jedem Einzelmosfet auf dem Die ein Widerstand vorgeschaltet
wird, der verhindert, dass die Ströme durch die Einzelmosfets zu stark
voneinander abweichen. Also im Prinzip genau so, wie man auch bei der
Parallelschaltung von BJTs macht.

Autor: soul eye (souleye)
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Stefan schrieb:

> Im bei Reichelt bereitgestellten STM BUZ11 Datenblatt (...)

Vorsicht Falle: Von welchem Hersteller sind denn die von Reichelt 
gelieferten BUZ11? Ist da ein Lieferant angezogen, oder behält man 
sich wie so oft freie Auswahl vor?

Wenn Du ein Bauteil von Schingschangschong Semiconductor hat, dann ist 
das STM-Datenblatt nur moderat hilfreich. Deswegen sind wir zu RS 
Components zurück. Etwas teuerer, aber man weiss exakt, was man bekommt.

Autor: Stefan (Gast)
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Keine Ahnung welche BUZ11 Reichelt liefert, mir ging's nur um das 
Datenblatt des STM BUZ11. Ich konnte auf der st.com Website nichts zum 
BUZ11 finden (produzieren die den überhaupt noch?), daher der Hinweis 
auf Reichelt wo das Datenblatt ganz schnell zu finden ist.

Autor: Bernd Stein (bernd_stein)
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Martin G. schrieb:
> Wenn du einen Mosfet zum Stromregeln benutzen willst so daß er gleich
> auch noch richtig warm wird, ist es sehr hilfreich einen Blick auf die
> Transfercharakteristik zu werfen. ( Id/Vgs Kurven). Gute Hersteller
> geben diese bei mehreren Tj an.
>
Danke.
Es sind jetzt so einige gute Antworten gekommen, die ich erstmal 
verdauen muß. Die Transferkennlinie hatte ich auch noch im Hinterkopf, 
dachte jedoch es wäre von Vorteil, wenn diese möglichst wenig 
auseinander driftet.
Deshalb dachte ich der IRFB3806 wäre gut geeignet da, er bei einer Ugs 
von ca. 5,5V bis ca. 8,2V wenig driftet. Und außerdem finde ich seinen 
Preis von 0,60 Euro für seine maximal *15,8mOhm* gut. Der IRFZ44N für 
0,44 Euro mit seinen *17,5mOhm* ist natürlich auch nicht zu verachten, 
aber bei ihm fehlt halt die DC-Kurve in der SOA ( Safe Operating Area ).


Bernd_Stein

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Bernd Stein (bernd_stein)

>verdauen muß. Die Transferkennlinie hatte ich auch noch im Hinterkopf,
>dachte jedoch es wäre von Vorteil, wenn diese möglichst wenig
>auseinander driftet.

Denkste. Was sehen wir hier?

Bis ca. 5,5V UGS und dementsprechend 50A ID (bei 25V UDS), ist der 
Temperaturkoeefizient von UGS NEGATIV, so wie bei Bipolartransistoren. 
Sprich, bei steigender Temperatur sinkt die Spannung UGS die man 
braucht, um ID konstant zu halten. Umgekehr heißt das, ID steigt bei 
konstanter UGS. Sieht man leicht. Bei UGS von ca. 4,2V fließt bei 25°C 
ca. 1A Drainstrom. Bei 175°C sind es schon 10A! Und dreimal darf man 
raten, was der MOSFET allein macht, wenn er mehrer W Wärmeleistung 
umsetzen muss. Er wird warm und ID steigt damit automatisch, wenn UGS 
konstant gehalten wird.

Ergo -> Thermisches Wegdriften eines MOSFETs bis zur Zersörung.

>Deshalb dachte ich der IRFB3806 wäre gut geeignet da, er bei einer Ugs
>von ca. 5,5V bis ca. 8,2V wenig driftet.

Sicher, aber dann fließen schon mehr als 50A. In dem Bereich wird dein 
MOSFET in einer linearen Anwendung NIE betrieben.

Autor: Tany (Gast)
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Bernd Stein schrieb:
> der IRFB3806 wäre gut geeignet da, er bei einer Ugs
> von ca. 5,5V bis ca. 8,2V wenig driftet

WOW, satte 30A mindestens!
wie lange hält der durch?

Autor: Bernd Stein (bernd_stein)
Datum:

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Yalu X. schrieb:
> Etwas ausführlicher habe ich diesen Sachverhalt vor einiger
> Zeit hier versucht zu beschreiben:
>
>   Beitrag "Re: MOSFET Linearbetrieb möglich?"
>
Vielen Dank für diesen super erklärten Beitrag und Deine Erklärungen 
hier im Thread. Und natürlich auch ein Danke an alle Anderen, die hier 
ihren Beitrag geleistet haben.
Fühle mich bei meiner damaligen Wahl des IRFB 3806 bestätigt und sehe 
nun erstmal keinen Grund den N-MOSFET in meiner Konstantstromsenke auf 
den IRFP 3306 zu ändern, da ich den evtl. thermischen Vorteil des 
TO-247 Gehäuses noch nicht rechnerisch nachgegangen bin.

Beitrag "Re: Stromsenke für NiCd / NiMH Einzelzellen bis 5 Ampere"

Beitrag "Verlustleistungsabgabe der verschieden Halbleitergehäuse"


Bernd_Stein

Autor: Anfänger (Gast)
Datum:

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Es ist sehr verwirrend, wenn man die Theorie von MOSFETs gerade erst 
lernt, dass ihr als Linearbetrieb den Betrieb im Sättigungsbereich 
bezeichnet, während der Betrieb des MOSFETs als Schalter im linearen 
Bereich passiert.

Autor: Yalu X. (yalu) (Moderator)
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Anfänger schrieb:
> Es ist sehr verwirrend, wenn man die Theorie von MOSFETs gerade erst
> lernt, dass ihr als Linearbetrieb den Betrieb im Sättigungsbereich
> bezeichnet

Lass dich nicht verwirren!

Leider werden diese Begriffe mitunter sogar von Fachleuten falsch
verwendet. Dabei ist ihre Bedeutung in einschlägigen Lehrbüchern,
technischen Lexika, Wikipedia usw. ganz klar definiert, und es wäre
eigentlich ein Einfaches, sie einmal nachzuschlagen, um hinterher
Bescheid zu wissen.

Ich habe ja hier im Forum schon mehrfach vorgschlagen, zur Entwirrung
statt "linearer Bereich" und "Sättigungsbereich" die gleichbedeutenden
Begriffe "ohmscher Bereich" und "Abschnürbereich" zu verwenden. Aber
auf mich hört ja keiner :)

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