Linearbetrieb MOSFET gesucht

Wenn man sehr großzügig über die einer selbsternannten Weltfirma 
unwürdige Bilderqualität hinwegsieht, gibts auch was von 
Siemens/Infineon dazu.

Arno

IRFP260N.

Beim Linearbetrieb mit parallelen FETs benoetigt man je eine 
Ansteuerung. Dies da die Dinger nicht selbst-parallelisierend sind. Im 
Gegenteil. Der waermste FET hat die tiefste noetige Gatespannung, und 
uebernimmt daher mehr Strom. Eine Mitkopplung - bis zur Zerstoerung 
Aller.

muss es zwingend linear sein? oder ginge soetwas auch


PWM mit C Parallel im Shopperbetrieb auf R

das würde die verlustleistung in den R verschieben und den ribble 
geringhalten, wenn es nur darum geht gleichspannungsarbeit abzubauen.

für wechslespannung müstest du noch einen GR vorschalten.

taugt natürlich nicht für Audio und HF

http://dareal.info/test/

So als kleiner Denkanstoß ;)

http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs

Wozu ein OPV? Eine einfache Gatespannung mit Z-Diode  + Vorwideratand 
reicht. Nimm einen eher alten 200V MOSFET, der tut es, erst recht bei 
10mA.

@ Moje (Gast)

>Die Variante mit Z-Diode hat einen zu geringen Innenwiderstand und ist
>sehr temperaturempfindlich, die Variante hatte ich schon versucht.

Dann nimm einen Tl431 oder LM334. Etwa so.

Beitrag "Re: Spannungsversorgung mit hoher Spannungsdifferenz"

Beitrag "Re: LED's ohne vorwiderstand Oo"

>Kann ich den IRF740 ohne Probleme nehmen?

Naja, obwohl das Datenblatt von Fairchild keine DC Kennlinie im 
SOA-Diagramm hat, würde ich sagen das geht. Vor allem, da du nur 10mA 
brauchst.

@ Tany (Gast)

>laß dir nicht von einigen Panikmacher hier im Forum blenden.
>Ich habe sogar  mit IGBT getestet.
>für kleinen Strom sind die FETs flach genug für die Steuerung.

Eben. Die Steilheit wird bei recht hohen Strömen im Datenmblatt 
angegeben, beim IRF740 sind es min. 5,8S bei 6A. Bei 10mA ist es um 
Größenordnungen weniger, siehe quadratische Eingangskennlinie.

Hallo zusammen,

der IRF3305 scheint weit und breit der Einzige bei International 
Rectifier zu sein der explizit für den Linear Mode geeignet ist oder 
kennt jemand noch mehr.

Kann es sein das sich andere Hersteller darauf spezialisiert haben wie 
z.B. NXP ?


Bernd_Stein

Kennt hier wirklich niemand andere " Echte " Linear-Betrieb taugliche 
N-MOSFETs als den IRF 3305 ?


Bernd_Stein

@ Bernd Stein (bernd_stein)

>Kennt hier wirklich niemand andere " Echte " Linear-Betrieb taugliche
>N-MOSFETs als den IRF 3305 ?

Welche Randdaten soll er den haben? BUZ11 ist alt und robust, leicht 
verfügbar und für Linearbettrieb geeignet. Kann halt nur 55V

@ ArnoR (Gast)

>> Kennt hier wirklich niemand andere " Echte " Linear-Betrieb taugliche
>> N-MOSFETs als den IRF 3305 ?

>Das kann man eigentlich mit jedem Mosfet machen,

Nö, nicht jeder MOSFET ist für Linearbetrieb tauglich!

>IRF hat hier mal bei
>etlichen die DC-Kurven nachgetragen:

>http://www.irf.com/product-info/hi-rel/alerts/fv5-...

Das ist eine andere Sache.

ArnoR schrieb:
> Das kann man eigentlich mit jedem Mosfet machen, IRF hat hier mal bei
> etlichen die DC-Kurven nachgetragen:
>
> http://www.irf.com/product-info/hi-rel/alerts/fv5-p-09-01-a.pdf
>
Erstens funktioniert der Link nicht.
Zweitens denke ich das ich diesen vermutlich kenne und die Sache so sehe 
wie FALK

Falk Brunner schrieb:
> Nö, nicht jeder MOSFET ist für Linearbetrieb tauglich!
>
> Welche Randdaten soll er den haben? BUZ11 ist alt und robust, leicht
> verfügbar und für Linearbettrieb geeignet. Kann halt nur 55V
>
Seltsam das dies nicht im DB vermerkt ist das er für den Linear-Mode 
gedacht ist, so wie man es im DB vom IRF3305 lesen kann.
Kriterien sind meistens, das ich ihn bei Reichelt, ELPRO.org, evtl. 
SEGOR bestellen kann. SEGOR hat schon mal den IRF3305 nur leider 
bestelle ich meistens bei Reichelt und da ist es mir nicht wert diesen 
extra dort zu bestellen und sein Preis ist auch nicht ohne um meine 
Versuche hiermit zu fahren.

Die Schaltung funktioniert in der jeztigen Form für mich gut genug und 
ich habe den dort verwendeten N-MOSFET wegen dieser DC-Kurve verwendet 
und wegen seines Preises. Nur weiß ich halt nicht in wie fern sich 
irgend welche Betriebszustände ergeben, die diesen FET zerstören,
da er nicht explizit für den Linear-Bereich gedacht ist.

Beitrag "Stromsenke für NiCd / NiMH Einzelzellen bis 5 Ampere"


Bernd_Stein

testtest schrieb:
> IXYS hat einige Power-Mos für den Linearbetrieb.
> Reichelt hat z.B. diesen hier:
> 
http://www.reichelt.de/IXFK-180N10/3/index.html?&ACTION=3&LA=446&ARTICLE=90400&artnr=IXFK+180N10&SEARCH=ixys
>
Danke und könntest Du mir noch erklären, wo ran Du fest machst das 
dieser für den Linear-Betrieb geeignet ist ?

Habe mir das Datenblatt angesehen, die Kurven verlaufen schön linear,
aber ist dieser N-MOSFET deshalb für den Linear-Betrieb geeignet ?

Beim IRF3305 steht es ja eindeutig im DB ( siehe Anhang ).


Bernd_Stein

Wenn du einen Mosfet zum Stromregeln benutzen willst so daß er gleich 
auch noch richtig warm wird, ist es sehr hilfreich einen Blick auf die 
Transfercharakteristik zu werfen. ( Id/Vgs Kurven). Gute Hersteller 
geben diese bei mehreren Tj an.
Also, Schau mal drauf. Bei Punkt 1 sieht man, daß bei steigender Tj der 
Strom bei gleichbleibender Spannung auf das mehrfache ansteigen kann. 
Das bedeutet, falls ein kleiner Teil des Chips heißer ist, dann wird der 
noch mehr Strom abbekommen, und noch mehr Strom leiten usw. bis er dort 
durch die Eigenerwärmung total durchleitet (Si ist ein Halbleiter, 
gell?) und dadurch von Vgs unregelbar der Strom anfängt durchzufließen, 
und am Ende hast du einen schönen lauten Knall. (ich hab das miterleben 
können, als ich 400V LEDs mit Stromregelung betreiben wollte...) Das ist 
alles eine Positive Rückkoplung.
Wenn du aber auf Punkt 2 bist, da leiten die heißeren Teile weniger, und 
deshalb geht der Strom lieber auf die kälteren Stellen und er verteilt 
sich auf den ganzen Chip gleichmäßig. Also eine negative Rückkoplung.
Alles nur von der Vgs abhängig.

Nun, beim Stromregeln des Mosfets bist du meistens im unteren Vgs 
Bereich.

Ein Linearregelfähiger Mosfet hat den Übergang zw. positiver und 
negativer Temp rückkoplung sehr niedrig, wodurch die immer in der 
negativ rückgekoppelten Seite der Transferfunktion arbeiten.

Ohne ins Datenblatt zu schauen geht es eben nicht.


Der IXFK180N10 ist definitiv nicht dafür geeignet, und steht auch nicht 
so im Datenblatt.

Aber die anderen von Ixys haben eine Charakteristik, wo der Unterschied 
beim Strom nicht mehr so stark von Temperatur abhängig ist, und deshalb 
"geeignet für linearbetrieb" sind.
Suche mal nach Linear bei denen. da wirst du so manche geeignete finden.

@ Bernd Stein (bernd_stein)

>http://www.reichelt.de/IXFK-180N10/3/index.html?&A...

Für eine 5A Stromquelle bei min.0,9V braucht man keinen 8mOhm MOSFET. 
Ein oller BUZ11 mit 50mOhm reicht locker, schließlich ist der minimal 
nötig Widerstand gerade mal 5 Ohm!

Bernd Stein schrieb:
> der IRF3305 scheint weit und breit der Einzige bei International
> Rectifier zu sein der explizit für den Linear Mode geeignet ist oder
> kennt jemand noch mehr.

Gemacht für "Linear Gate Drive Applications", um das Datenblatt genau
zu zitieren.

Wenn du einen anderen Mosfet suchst, der ähnlich gut für solche
Anwendungen geeignet ist, solltest du bei IRF (inzwischen Infineon)
nachfragen, welche messbare Eigenschaft sie zu dieser Aussage hinreißen
lässt.

Es gibt keinen Mosfet, der ohne Wenn und Aber für den Betrieb im
Abschnürbereich geeignet ist, es gibt aber auch kaum einen, der dafür
absolut ungeeignet ist. Es gibt nur "besser geeignet" und "weniger gut
geeignet". Letztendlich geht es immer darum, das Bauteil innerhalb
seiner durch seine Bauweise definierten Grenzen zu betreiben, und diese
Grenzen sind durch Zahlen beschrieben, nicht durch Worte.

Leider werden diese Zahlen von den Herstellern oft verschwiegen oder
(absichtlich oder unabsichtlich) geschönt dargestellt.

ArnoR schrieb:
> Wenn im SOA-Diagramm eine DC-Kurve ist und der Sekundärdurchbruch (auch
> als Spirito-Effekt bekannt) berücksichtigt ist, dann kann man bis dahin
> Linearbetrieb machen.

So ist es. Etwas ausführlicher habe ich diesen Sachverhalt vor einiger
Zeit hier versucht zu beschreiben:

  Beitrag "Re: MOSFET Linearbetrieb möglich?"

Bernd Stein schrieb:
> Beitrag "Stromsenke für NiCd / NiMH Einzelzellen bis 5 Ampere"

Dort hast du den IRFB3806 verwendet. Der hat genauso wie der IRF3305 ein
SOA-Diagramm im Datenblatt, das die Grenzen des Sekundärdurchbruchs im
Abschnürbereich darstellt. Beim IRF3305 ist der DS-Spannungsbereich, in
dem der Drainstrom nur durch die Verlustleistung begrenzt wird, deutlich
breiter (bis 18V) als beim IRFB3806 (nur bis 6,5V). Ich vermute, dass
genau dieses den Datenblattschreiber dazu bewogen hat, den IRF3305 als
prädestiniert für "Linear Gate Drive Applications" anzupreisen.

Da du den Mosfet in einer Konstantstromsenke für die Entladung von NiXX-
Einzelzellen einsetzt, wird die DS-Spannung deutlich unterhalb von 6,5V
bleiben, so dass der IRFB3806 für deine Schaltung genauso gut geeignet
ist wie der IRF3305.

Falls du die Senke auch für höhere Spannungen nutzen möchtest, musst du
den genauen Verlauf der SOA-DC-Kurve insbesondere im Bereich rechts des
Knicks beachten. Da die Kurve dort ziemlich steil abfällt, ist es
ratsam, einen Mosfet auszuwählen, der den Knick oberhalb der maximal
auftretenden Spannung hat, da man dann den Sekundärdurchbruch sicher
ausschließen kann und man sich nur noch auf die Verlauf konzentrieren
muss.

Kriterien, um solche Mosfets schnell in den Auswahllisten der Hersteller
zu finden, sind die maximale DS-Spannung und der RDSon. Je höher diese
beiden Größen sind, desto höher liegt i.Allg. auch die Spannung, ab der
der Sekundärdurchbruch droht. Siehe auch hier:

  Beitrag "Re: MOSFET Linearbetrieb möglich?"

So beginnt der gefährliche Bereich beim IRL6283MTR (20V, 0,5mΩ) schon
bei 0,1V, beim IRFB812 (500V, 1750mΩ) hingegen erst bei 250V,


testtest schrieb:
> IXYS hat einige Power-Mos für den Linearbetrieb.
> Reichelt hat z.B. diesen hier:
> 
http://www.reichelt.de/IXFK-180N10/3/index.html?&ACTION=3&LA=446&ARTICLE=90400&artnr=IXFK+180N10&SEARCH=ixys

Gerade bei diesem Typ wäre ich sehr vorsichtig, denn im SOA-Diagramm ist
der Strom im DC-Betrieb nur durch RDSon, die Anschlussleitungen und die
Verlustleistung begrenzt. Die Gefahr des Sekundärdurchbruchs (der auch
dieser Mosfet ganz sicher unterliegt) ist in dem Diagramm ausgeblendet.
Da das Datenblatt auch sonst keinerlei Hinweise zum dauerhaften Betrieb
im Abschnürbereich enthält, kann nicht vorhergesagt werden, ob der
Mosfet in der Konstantstromsenke überlebt.

@ A.M (Gast)

>> Ein oller BUZ11 mit 50mOhm reicht locker, schließlich ist der minimal
>> nötig Widerstand gerade mal 5 Ohm!

>Ähhh. Bist Du sicher?

Ne :-0

>Nach dem Ohmschen Gesetz und 0,9V / 5Ohm komme ich auf 0,45A!

Jaja, R=U/I und nicht ander herum. Also 1/5 Ohm, knapp dran. BUZ11 
reicht immer noch.

Tany schrieb:
> So ises, mit einigen Ausnahmen von IXYS, z.B
> http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100556(IXTA-TP-TH80N075L2).pdf

Interessant, danke für den Hinweis.

Das Problem wird bei diesen Mosfets – neben ein paar Maßnahmen, um eine
gleichmäßigere Temperaturverteilung auf dem Die zu erzielen – dadurch
gelöst, dass jedem Einzelmosfet auf dem Die ein Widerstand vorgeschaltet
wird, der verhindert, dass die Ströme durch die Einzelmosfets zu stark
voneinander abweichen. Also im Prinzip genau so, wie man auch bei der
Parallelschaltung von BJTs macht.

Martin G. schrieb:
> Wenn du einen Mosfet zum Stromregeln benutzen willst so daß er gleich
> auch noch richtig warm wird, ist es sehr hilfreich einen Blick auf die
> Transfercharakteristik zu werfen. ( Id/Vgs Kurven). Gute Hersteller
> geben diese bei mehreren Tj an.
>
Danke.
Es sind jetzt so einige gute Antworten gekommen, die ich erstmal 
verdauen muß. Die Transferkennlinie hatte ich auch noch im Hinterkopf, 
dachte jedoch es wäre von Vorteil, wenn diese möglichst wenig 
auseinander driftet.
Deshalb dachte ich der IRFB3806 wäre gut geeignet da, er bei einer Ugs 
von ca. 5,5V bis ca. 8,2V wenig driftet. Und außerdem finde ich seinen 
Preis von 0,60 Euro für seine maximal *15,8mOhm* gut. Der IRFZ44N für 
0,44 Euro mit seinen *17,5mOhm* ist natürlich auch nicht zu verachten, 
aber bei ihm fehlt halt die DC-Kurve in der SOA ( Safe Operating Area ).


Bernd_Stein

@ Bernd Stein (bernd_stein)

>verdauen muß. Die Transferkennlinie hatte ich auch noch im Hinterkopf,
>dachte jedoch es wäre von Vorteil, wenn diese möglichst wenig
>auseinander driftet.

Denkste. Was sehen wir hier?

Bis ca. 5,5V UGS und dementsprechend 50A ID (bei 25V UDS), ist der 
Temperaturkoeefizient von UGS NEGATIV, so wie bei Bipolartransistoren. 
Sprich, bei steigender Temperatur sinkt die Spannung UGS die man 
braucht, um ID konstant zu halten. Umgekehr heißt das, ID steigt bei 
konstanter UGS. Sieht man leicht. Bei UGS von ca. 4,2V fließt bei 25°C 
ca. 1A Drainstrom. Bei 175°C sind es schon 10A! Und dreimal darf man 
raten, was der MOSFET allein macht, wenn er mehrer W Wärmeleistung 
umsetzen muss. Er wird warm und ID steigt damit automatisch, wenn UGS 
konstant gehalten wird.

Ergo -> Thermisches Wegdriften eines MOSFETs bis zur Zersörung.

>Deshalb dachte ich der IRFB3806 wäre gut geeignet da, er bei einer Ugs
>von ca. 5,5V bis ca. 8,2V wenig driftet.

Sicher, aber dann fließen schon mehr als 50A. In dem Bereich wird dein 
MOSFET in einer linearen Anwendung NIE betrieben.

Yalu X. schrieb:
> Etwas ausführlicher habe ich diesen Sachverhalt vor einiger
> Zeit hier versucht zu beschreiben:
>
>   Beitrag "Re: MOSFET Linearbetrieb möglich?"
>
Vielen Dank für diesen super erklärten Beitrag und Deine Erklärungen 
hier im Thread. Und natürlich auch ein Danke an alle Anderen, die hier 
ihren Beitrag geleistet haben.
Fühle mich bei meiner damaligen Wahl des IRFB 3806 bestätigt und sehe 
nun erstmal keinen Grund den N-MOSFET in meiner Konstantstromsenke auf 
den IRFP 3306 zu ändern, da ich den evtl. thermischen Vorteil des 
TO-247 Gehäuses noch nicht rechnerisch nachgegangen bin.

Beitrag "Re: Stromsenke für NiCd / NiMH Einzelzellen bis 5 Ampere"

Beitrag "Verlustleistungsabgabe der verschieden Halbleitergehäuse"


Bernd_Stein

Anfänger schrieb:
> Es ist sehr verwirrend, wenn man die Theorie von MOSFETs gerade erst
> lernt, dass ihr als Linearbetrieb den Betrieb im Sättigungsbereich
> bezeichnet

Lass dich nicht verwirren!

Leider werden diese Begriffe mitunter sogar von Fachleuten falsch
verwendet. Dabei ist ihre Bedeutung in einschlägigen Lehrbüchern,
technischen Lexika, Wikipedia usw. ganz klar definiert, und es wäre
eigentlich ein Einfaches, sie einmal nachzuschlagen, um hinterher
Bescheid zu wissen.

Ich habe ja hier im Forum schon mehrfach vorgschlagen, zur Entwirrung
statt "linearer Bereich" und "Sättigungsbereich" die gleichbedeutenden
Begriffe "ohmscher Bereich" und "Abschnürbereich" zu verwenden. Aber
auf mich hört ja keiner :)

Hallo zusammen,

habe mir den Artikel komplett durchgelesen und stehe jetzt etwas auf dem 
Schlauch.

" Die letzte Linie stellt den Fall für Gleichstrom (engl. Direct 
Current), also Dauerbelastung dar, hier sind bei 50V maximal 1,5A 
zulässig, was einer Dauerverlustleistung von 75W entspricht. "

https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#SOA_Diagramm

https://www.mikrocontroller.net/articles/Datei:SOA-BUZ11.png


Ich habe beim Untersuchen einer 24V/24Watt-LED-Stehlampe ( 49 LEDs, 7 
Stränge, je 7 LEDs in Reihe mit 2x 5R6 Vorwiderständen pro Strang ) 
einen von zwei parallel geschalteten NPN-Transen( 2SD1898 im SOT-89 
Gehäuse ) abgeschossen. Leider auch zwei LEDs, die ich durch 
3V0-Z-Dioden ersetzt habe, welche in dieser Schaltungsanordnung ca. 3,2V 
Spannungsfall hervorrufen.

Diese NPN sind für max. 1A ausgelegt und da mir die Parallelschaltung 
ohne Emitterwiderstand auch nicht gefällt ( B mit B, C mit C und E mit E 
auf GND ) bin ich auf die Suche nach einem N-Channel MOSFET gegangen.

Diese sind ja im ON-Betrieb besser in dieser Art Beschaltung, also ohne 
Source-Widerstand, parallel zu betreiben.

Ich bin zuerst auf den 2SK3065 gestossen ( 60V/2A ).

Der Satz aus dem Mikrocontroller-Artikel zur SOA bei MOSFETs macht mich 
etwas unsicher. Der FET welcher die LEDs bei einer Betriebsspannung von 
24V mit einem LED-Strom von ca. 1A schaltet, hat sicherlich nicht seinen 
in Rot umkreisten Arbeitspunkt, so wie ich es momentan aus dem Artikel 
verstehe.


Bernd_Stein

Bernd S. schrieb:

> Der FET welcher die LEDs bei einer Betriebsspannung von
> 24V mit einem LED-Strom von ca. 1A schaltet, hat sicherlich
> nicht seinen in Rot umkreisten Arbeitspunkt

Natürlich nicht. Er schaltet die LED ja. Es liegen entweder die vollen 
24V am MOSFET, dann fließt aber kein Strom. Oder es fließt der volle 
Strom von 1A, dann liegt von den 24V aber der größte Teil an den LED an 
und am MOSFET nur ein sehr kleiner Anteil (1A × R_ds_on des MOSFET).

Noch anders gesagt: es gibt zwei Arbeitspunkte deines MOSFET. Der rot 
eingekringelte Punkt im Diagramm ist keiner der beiden.

Axel S. schrieb:
> Es liegen entweder die vollen
> 24V am MOSFET, dann fließt aber kein Strom. Oder es fließt der volle
> Strom von 1A, dann liegt von den 24V aber der größte Teil an den LED an
> und am MOSFET nur ein sehr kleiner Anteil (1A × R_ds_on des MOSFET).
>
Gästen antworte ich grundsätzlich nicht.

OK, dann muss man also die Sache wahrscheinlich so angehen :

Im ON-Betrieb fällt am D-S-Kanal bei einem Ampere ca. 0,3V ab.
Das ist eine Verlustleistung von ca. 0,3W.
O,5W ist für eine 0,7 Dicke und 40x40mm Alukernplatine angegeben. Das 
bedeutet, ich muss schonmal zwei hiervon auf die hoffentlich FR4 mit 
1,5mm Platine parallel schalten, also wie gehabt nur jetzt als N-MOS und 
nicht als BJT-NPN.

Bei 2A scheitert aber irgendwie meine Vermutung.
Dort scheint die D-S-Spannung im Bereich von 0,65V - 1,00V zu variieren 
und wenn diese 1,3W bis 2W überschritten werden, muss der Drainstrom 
verringert werden. Aber hier passt es absolut nicht mehr mit den 0,5W 
maximaler Verlustleistung am FET bei 25°C Gehäusetemperatur.

Wieder einmal kann man also die Highlight-Angaben des DB ( 60V/2A ) in 
der Praxis total vergessen.
Aber zwei parallel auf einer 1,5mm FR4-Platine bei 0,35µm Kupferauflage 
mit den Mindest PAD-Abmaßen müsste bei meinen 1A hinhauen.
Die BJT-NPN ( 2SD1898 Marking -> DF ) haben es ja auch geschafft und mit 
den N-MOSFET kann es ja nur besser werden.


P.S.
Die Lampe kann man auch Dimmen.


Bernd_Stein

Bernd S. schrieb:
> Bei 2A scheitert aber irgendwie meine Vermutung.
> Dort scheint die D-S-Spannung im Bereich von 0,65V - 1,00V zu variieren
> und wenn diese 1,3W bis 2W überschritten werden, muss der Drainstrom
> verringert werden. Aber hier passt es absolut nicht mehr mit den 0,5W
> maximaler Verlustleistung am FET bei 25°C Gehäusetemperatur.
>
Da bisher niemand etwas zu dieser Sache geschrieben hat und mir der 
Logic Level N-MOSFET BSS606N ( 60V/3,2A ) von Infineon irgendwie 
lieber ist, werde ich ihn einfach mal bestellen und durch Versuche die 
Kennlienien erforschen.

Erstens bekomme ich ihn günstiger als den 2SK3065, zweitens hat das DB 
realistischere und besser Kennwerte angegeben.

Zum Beispiel steht dort deutlich, dass der dauerhafte Drainstrom nur 
noch 2,6A bei 70°C Umgebungstemperatur beträgt und man kann auch sehen, 
dass sich dann die maximale Verlustleistung um ca. 0,65W bewegt, die man 
dem Kleinen zumuten kann. Es wird auch die Verlustleistung bei minimalem 
Footprint angegeben.

Da ja jetzt feststeht das der 24V-Arbeitspunkt im Schalterbetrieb 
quatsch ist, sieht man im RDS-ON Bereich der DC-Kurve, dass hier die 
DS-Spannung nur minimal im Vergleich zum 2SK3065 schwankt und ich mit 
einem Ampere sehr gut im sicheren Bereich liege.

Also ein viel übersichtlicheres DB meine Meinung nach und besser 
geeignet als der 2SK3065 für diesen Anwendungsfall.

Der mittlere Screenshot kann gelöscht werden ist das falsche Bild.
Das mit dem Bestellen kann dauern, da Reichelt nicht bemüht ist diesen 
Artikel neu aufzunehmen und die Versandkosten bei anderen Distributoren 
exorbitant hoch sind. Bei Infineon selbst können anscheinend nur Firmen 
kaufen.

https://www.mikrocontroller.net/articles/Reichelt-Wishlist#Einzeltransistoren_und_Diode


https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/12v-800v-small-signal-mosfet/?filterValues=~(522~(~%27SOT-89))&visibleColumnIds=name,productStatusInfo,orderOnline,opn,551,522,869_max,559_93_max,559_90_max,547_136_nom,478_min,478_max,830,529,284_min,284_max,681_nom


Bernd_Stein

Arno - der Neue schrieb:
> Arno H. schrieb:
>>...
>
> Weil dein .pdf nicht das Original ist. Sieht eigentlich ein Blinder auf
> 10m Entfernung.  :-)   Dein .pdf wurde nochmal durch den Wolf gedreht
> und die Bildqualität geschrumpft. Erkennt man nicht nur an den Bildern
> sondern auch an anderen Merkmalen. Position des Logos, Dicke der oberen
> Linien, letzter Schriftzug usw.

Neun Jahre später in Deutschland und diese Firma hat es immer noch nicht 
gerafft. Zeige mir Blinden bitte den Unterschied ohne deine rosa Brille:
https://www.infineon.com/dgdl/AutomotiveMOSFETsinLinearApplication-ThermalInstability.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4188af12622

Arno