guten abend,
in einem anderen Thread habe ich so eine ähnliche schaltung schonmal
vorgestellt, jedoch unter einer anderen Fragestellung.
Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer
als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.
Jemand einen konstruktiven tipp?
an hinz, bitte hier nicht schreiben
beste grüße
christian
achwas schrieb:> guten abend,> in einem anderen Thread habe ich so eine ähnliche schaltung schonmal> vorgestellt, jedoch unter einer anderen Fragestellung.>> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.>> Jemand einen konstruktiven tipp?>> an hinz, bitte hier nicht schreiben>> beste grüße> christian
Vergleiche mal bitte deine Zeitbasis in der Simulation und dem Oszi. Da
liegen ein paar Größenordnungen dazwischen.
achwas schrieb:> danke für den hinweiß. beachte das dritte bild. simulation gibt 33 us> für die schaltzeit.
PS: Nicht alle OPVs sind für den Komparatorbetrieb geeignet. Nebenbei:
Woher soll die Geschwindigkeit kommen, wenn dein "Treiber" mit nur 2,9mA
aufs gate geht. Da kannst du dir deine Transistoren sparen und direkt
aus dem OPV gehen.
Roland E. schrieb:> Nicht alle OPVs sind für den Komparatorbetrieb geeignet.
Über den LM358 hatte ich ja auch schon geschrieben. Das wurde
offensichtlich ignoriert.
achwas schrieb:> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.
Und was ist die Schaltung, die du aufgebaut hast?
Unabhängig davon ist ein LM358 eine ganz dämliche Wahl für einen
schnellen Gate-Treiber. Dieses elektro-geriatrische Bauteil hat eine
Slew-Rate von typisch 0.6V/µs, garantiert sind gar nur 0.3V/µs. Die
Gatespannung von 0 auf 15V hochzufahren, würde also typisch 25µs bzw.
pessimistisch 50µs dauern. Das ist nicht nur langsam, das ist ein
schlechter Scherz.
Was hast du in deiner live Schaltung fürn Kondensator C1 verwendet? Was
für ESR hat dieser. Vielleicht liegt es daran das dieser in deiner
Simulation 0Ohm hat, aber dein reeller deutlicher höher ist? Versuch
doch C1 zu erhöhen vielleicht sogar durch einen low esr zu ersetzen.
Auch sollte dieser nah am OP sein. Hast du nen Foto von deinem
Drahtaufbau?
Roland E. schrieb:> achwas schrieb:>> danke für den hinweiß. beachte das dritte bild. simulation gibt 33 us>> für die schaltzeit.>> PS: Nicht alle OPVs sind für den Komparatorbetrieb geeignet. Nebenbei:> Woher soll die Geschwindigkeit kommen, wenn dein "Treiber" mit nur 2,9mA> aufs gate geht. Da kannst du dir deine Transistoren sparen und direkt> aus dem OPV gehen.
ja genau aber woran siehst du das? ich habe das aus der gemssenen kurve
berechnet. ich sehe das problem nicht ! bitte genauer
Mark S. schrieb:> Roland E. schrieb:>> Nicht alle OPVs sind für den Komparatorbetrieb geeignet.>> Über den LM358 hatte ich ja auch schon geschrieben. Das wurde> offensichtlich ignoriert.Mark S. schrieb:> Der LM358 ist viel zu langsam und kann keinen ausreichenden gatestrom> liefern. Das zeigt das viel zu lange Miller-Plateau. Zwischen> OPV-Ausgang und gate gehört ein gate-Ansteuerbaustein aka gate-driver,> damit bekommen Deine IGBTs die Pulse die sie benötigen.
ja das habe ich auch schon gesehen aber ich verstehe nicht was du damit
meinst. der hat ne slew rate von 0,3V/uS. damit sollten die 15V in 50uS
erreicht sein. und er kann einen strom von min 20 mA sourcen sinken.
in der schaltung habe ich sowohl einen 1k widerstand am ausgang vom
opamp verwendet als auch keinen widerstand. hat nichts gebracht.
schließlich muss der opamp ja nur 0,25mA liefern, wegen der transistoren
die ja eine stromverstärkung von min 400 haben. bei 100mA die maximal
vom transistor kommen sind das somit somit 100mA/400 = 0,25mA.
der irf740 hat eine gate charge von 53nC/100mA = 0,5uS ladezeit + die
50uS die aus der slewrate kommen. so ganz grob überschlagen.
das erklärt nicht die 500uS schaltzeit
wo ist mein fehler?
warum eignet sich der LM358 sonst noch nicht als komparator? woran sehe
ich das im datenblatt?
grüße
christian
Michael K. schrieb:> Was hast du in deiner live Schaltung fürn Kondensator C1> verwendet? Was> für ESR hat dieser. Vielleicht liegt es daran das dieser in deiner> Simulation 0Ohm hat, aber dein reeller deutlicher höher ist? Versuch> doch C1 zu erhöhen vielleicht sogar durch einen low esr zu ersetzen.> Auch sollte dieser nah am OP sein. Hast du nen Foto von deinem> Drahtaufbau?
danke für den hinweis. foto werde ich machen. esr messen. ist ein elko
aus elektroschrott
Axel S. schrieb:> achwas schrieb:>> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer>> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.>> Und was ist die Schaltung, die du aufgebaut hast?
motorsteuerung
achwas schrieb:> ...> schließlich muss der opamp ja nur 0,25mA liefern, wegen der transistoren> die ja eine stromverstärkung von min 400 haben. bei 100mA die maximal> vom transistor kommen sind das somit somit 100mA/400 = 0,25mA.>> der irf740 hat eine gate charge von 53nC/100mA = 0,5uS ladezeit + die> 50uS die aus der slewrate kommen. so ganz grob überschlagen.> das erklärt nicht die 500uS schaltzeit>> wo ist mein fehler?>>...
Schaue dir bitte deine Spannungsversorgung für deinen OPV und die
Transistoren an. Wo sollen da 100mA her kommen?
325V (Spitze) über 110kOhm (R4) auf 15V liefern 2,8mA (Spitze). Alle
20ms.
Die paar Mikrofahrräder an C1 nach R4 helfen da auch nicht weiter. Da
fehlen ein paar Nullen. Mindestens.
Besorge deinem OPV und den Transistoren erst mal eine, sagen wir 20V,
Versorgung, welche 500mA dauernd und 1..2A Spitze für ein paar µs
liefern kann. Dann kannst du auf dem Oszi auch in etwa das sehen, was
deine Simulation ausspuckt. Und wenn du dann für den LM358 noch einen
richtigen Komparator (keinen mit OC-Ausgang...) nimmst, klappts auch mit
der Geschwindigkeit.
PS: <ALT>+<DRUCK> liefert nur das aktuelle Fenster...
PPS: Den Mosfet mit mehr als 10V am gate anzusteuern macht übrigens
wenig Sinn. Also reichen auch 12V für den OPV und die Transistoren.
habe nun den elko vermessen hat 3.3Ohm ESR. sollte also kein problem
sein. habe dann 330uF parallel geschaltet. hat immer noch nichts
geändert.
was mir aber aufgefallen ist, das miller plateau ist bei keinem
schaltvorgang gleich breit. manchmal nur 50uS breit manchmal 400uS.
hängt das von der anliegenden DS-Spannung ab? je nach dem wann gerade
geschaltet wird bezogen auf den gleichgerichteten sinus der steckdose?
das ist sehr seltsam was hat das zu bedeuten das die schaltvorgänge
random unterscheidlich lang sind?
achso und bild vom drahtaufbau ist mit dabei
Mani W. schrieb:> Es liegt an der Spannungsversorgung, die sollte zuerst stabil> anliegen,> dann erst wird angesteuert...>> Sieht man ja schön im ersten Bild...
das osziloskop sagt, dass am elko c1 stabil 18V+-300mV anliegen
Roland E. schrieb:> ach R4 helfen da auch nicht weiter. Da> fehlen ein paar Nullen. MindestensRoland E. schrieb:> Schaue dir bitte deine Spannungsversorgung für deinen OPV und die> Transistoren an. Wo sollen da 100mA her kommen?>> 325V (Spitze) über 110kOhm (R4) auf 15V liefern 2,8mA (Spitze). Alle> 20ms.> Die paar Mikrofahrräder an C1 nach R4 helfen da auch nicht weiter. Da> fehlen ein paar Nullen. Mindestens.
ok danke für den hinweis. aber wie soll ich das verstehen.
mit 20uF = 20uC/V und einer gate ladung von 50 nC oder sagen wir mit
leckströmen gerundet 0.1uC fällt die spannung bei einem schaltvorgang
nicht mal um 0,5%. richtig? denn wenn ich 20uC entnehme sinkt die
spannung um 1Volt ?!
und die schaltfrequenz ist in realität sogar noch langsamer als in der
simulation, ca. 10-15 Hz. damit kommt die pulsierende 100Hz
gleichspannung 10 mal zwischen jedem schaltvorgang vorbei und grüßt den
kondesator.
und das oszi sagt das die spannung über C1 stabil auf 18V+-300mV liegt
Christian S. schrieb:> Vorbildlicher Aufbau, wartungsfreudig und ohne kalte Lötstellen.> Nachahmenswert.
:D
ja wie macht ihr/du das denn? für DUT 5 platinen aus chinesien
bestellen? paar wochen warten. dann feststellen das es nicht geht und
die nächsten 5 bestellen? usw
wenn das ding läuft werde ich das vernünftig machen....
achwas schrieb:> das osziloskop sagt, dass am elko c1 stabil 18V+-300mV anliegen
Aber nicht von Anfang an, siehe erstes Bild, die Gatespannung erreicht
erst beim dritten Impuls den Nennwert...
Und wo kommt das Gerippel auf der Null-Linie her?
Mani W. schrieb:> achwas schrieb:>> das osziloskop sagt, dass am elko c1 stabil 18V+-300mV anliegen>> Aber nicht von Anfang an, siehe erstes Bild, die Gatespannung erreicht> erst beim dritten Impuls den Nennwert...>> Und wo kommt das Gerippel auf der Null-Linie her?
achso ja in der realschaltung wird der Inv-eingang des OPamp über pullup
auf pos-RAIL gezogen und das wird nach einer gewissen zeit durch einen
transistor kurzgeschlossen.
siehe 4. bild. das ist die aufgebaute schaltung.
das ist auch nicht das problem. es geht darum das der schaltvorgang
mitten im betrieb langsam ist. mal mehr mal weniger. 100-500us.
ja das gerippel ist sehr interessant. keine ahnung woher das kommt. das
liegt auch zum größten teil unterhalb der 0V linie. sehr merkwürdig.
simulationsfehler?
1. Mess doch mal mit dem Oszi die Spannung an C2 während dem
Schaltvorgang und den Ausgang deine Komperators.
2. Mir kommt die Komplimentärendstufe vom Aufbau komisch vor. versuch
doch mal direkt die Mosfet zu treiben, nur zu sehen ob sich was ändert.
Ich geh davon du hast keinen Mosfet Treiber Baustein übrig? zB. MIC4427
Mani W. schrieb:> Jetzt braucht es 0,8 Sekunden und 8 Takte für max. Gatespannung...
nochmal. der einschaltmoment ist nicht das problem. in der realschaltung
in bild 4 wird verhindert das der opamp aussteuert bevor mindestens 8,2V
versorgungsspannung erreicht sind. somit sieht der transistor beim
ersten schaltvorgang genug spannung am gate.
das problem ist das der schaltvorgang (sehr willkürlich- schwer über
single event messung zu sagen obs da nicht eine systematik gibt) mal
schneller mal langsamer ist 100-500us. ich würde gerne verstehen warum.
eventuell muss ich tatsächlich die diode dazu nehmen oder vll sogar
einen komplett galvanisch getrennten steuerkreis mit gemeinsamer masse
um das rückkoppeln über die motorinduktivität beim schalten zu
verhindern?
Michael K. schrieb:> 1. Mess doch mal mit dem Oszi die Spannung an C2 während dem> Schaltvorgang und den Ausgang deine Komperators.>> 2. Mir kommt die Komplimentärendstufe vom Aufbau komisch vor. versuch> doch mal direkt die Mosfet zu treiben, nur zu sehen ob sich was ändert.> Ich geh davon du hast keinen Mosfet Treiber Baustein übrig? zB. MIC4427
zu 1
das habe ich gemacht spannung stabil +-300mV
zu 2.
habe ich hier geklaut
https://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber
ich habe vorher den mosfet direkt mit dem opamp gesteuert. hat genau so
gut geklappt. daher wollte ich mit mehr dampf also über diesen einfachen
treiber gehen macht aber keinen unterschied. irgendwo ist ein fehler
ich habe so einen treiber aber ich wollte beim ersten mal etwas lernen
und es selbst aufbauen und verstehen wie das arbeitet usw bevor ich dann
in zukunft einfach nur noch lego spiele ohne mir gedanken zu machen
Und warum nimmst du keinen richtigen Gate-Treiber mit anständiger
Versorgung?
Übliche Gate-Treiber-ICs treiben ca. 4A ins Gate.
Damit wird das Gate schnell umgeladen und die Schaltung quält sich nicht
endlos mit dem Miller-Plateau ab.
Deine Schaltung mit den Kleinsignaltransistoren als Gate-Treiber ist ja
kaum besser als der OpAmp selbst, zumal mit dem (mit 30Ω viel zu
großen!) Widerstand in Reihe.
Hallo an alle,
wenn ich mir die Versorgung der Treiber lt. Plan ansehe ist dort ein 110
k
Widerstand vorhanden.
Wie soll das richtig funktionieren ?
Guß
Hubsi H. schrieb:> Hallo an alle,>> wenn ich mir die Versorgung der Treiber lt. Plan ansehe ist dort ein 110> k> Widerstand vorhanden.> Wie soll das richtig funktionieren ?>> Guß
Er hat doch geschrieben am Kondensator hat er seine 18V mit nur kleinen
Einbrüchen. Der Kondensator stützt im Einschaltmoment.
Vielleicht den Kondensator an die Treiberstufe anbringen?
Zuerst den 20µF Elko (obwohl weniger reicht) parallel zu evtl. 0,47µF
Folienkondensator direkt (als "C20+C30") über den Komplementärtreiber.
Hinter welchem zwar von mir aus auch die hohen 30 Ohm liegen dürfen
für - wie im Nachbarthread gesagt - nur 5-15Hz (sprich: Hertz!), wo
ich aber trotzdem max. halb so viel, gerne weniger, sehen würde, und
besagten Treiber schön steilflankig mit Strom über eine Größenordnung
höher als dem derzeitigen ("wegen theoretisch vorhandener hfe" als
ausreichend vermuteten solchen) ansteuern. + Ersatz C1 durch 100µF.
Das ist ein erster Ansatz, aber nur für diesen Schaltungsteil.
Zu_lernen_wie_etwas_funktioniert geht normalerweise jedenfalls so:
Von einzelnen Bauteilen über simple Grundschaltungen zu komplexerem
gehend (nur wer jedes Bauteil versteht, versteht ganze Schaltungen),
und dabei von anfang an "bewährte Designregeln" befolgend (weil ja
anderenfalls andauernd was schiefgeht - was gar nicht sein muß).
Reines Try-and-Error-weil-schon-immer-so-gemacht-und-kein-Bock-bei-
null-anzufangen ist "unvorhersehbar Lern-produktiv" - tut mir leid.
Thorsten S. schrieb:> zumal mit dem (mit 30Ω viel zu> großen!) Widerstand in Reihe.
Der wird gar keine 30 Ohm haben, sondern ehr 300kOhm. Dazu passen dann
die 400µs Millerplateau.
good design practice schrieb:> Reines Try-and-Error-weil-schon-immer-so-gemacht-und-kein-Bock-bei-> null-anzufangen ist "unvorhersehbar Lern-produktiv" - tut mir leid.
Du hast ihn duchschaut.
achwas schrieb:> was mir aber aufgefallen ist, das miller plateau ist bei keinem> schaltvorgang gleich breit. manchmal nur 50uS breit manchmal 400uS.> hängt das von der anliegenden DS-Spannung ab? je nach dem wann gerade> geschaltet wird bezogen auf den gleichgerichteten sinus der steckdose?> das ist sehr seltsam was hat das zu bedeuten das die schaltvorgänge> random unterscheidlich lang sind?
Das bedeutet, daß der Miller-Effekt den Schaltvorgang bestimmt. Je
weiter die Drainspannung fallen muss, umso länger dauert das, weil die
Geschwindigkeit konstant ist. Eine schnelle Simu hier zeigt, daß mit 30K
Gatevorwiderstand genau die von dir gemessenen Zeiten erreicht werden.
Hast du den Gatevorwiderstand mal nachgemessen? Evtl. 30R mit 30k
verwechselt.
Elliot schrieb:> Eine schnelle Simu hier zeigt, daß mit 30K Gatevorwiderstand genau die> von dir gemessenen Zeiten erreicht werden.
Genau das hat er auch schon erklärt, dass er mal kurze Zeiten mal
längere hat:
achwas schrieb:> zu sagen obs da nicht eine systematik gibt) mal schneller mal langsamer> ist 100-500us. ich würde gerne verstehen warum
achwas schrieb:> das problem ist das der schaltvorgang (sehr willkürlich- schwer über> single event messung zu sagen obs da nicht eine systematik gibt) mal> schneller mal langsamer ist 100-500us. ich würde gerne verstehen warum.
Na, ja. Typischerweise ist die Gatekapazität nicht das große Problem.
Die Millerkapazität ist das Problem. Die bremst ja aktive dagegen. Und
das in Abhängigkeit der DS-Spannung und Schaltgeschwindigkeit.
Ein richtiger Gate-Treiber hat nicht umsonst Pulsströme von 2A und mehr.
Ja, das mit dem Emmiterfolger geht auch. Das verwenden wir, wenn die 6A
aus dem Treiber-IC nicht reichen. Da gehen dann auch mal 30A. Aber das
ist nix für kleine Transistoren.
Normalerweise macht man das auch umgedreht. Der Treiber wird auf den
maximalen denkbaren Treiberstrom ausgelegt. Der richtige Treiberstrom
wird dann mit dem Gatevorwiderstand dimensioniert. Die
Schaltgeschwindigkeit richtet sich dann nach EMV, Verlustleistung,
Schaltüberspannung,....)
Nimm doch einen einfachen Mosfet-Treiber, z.B. TC4426/TC4427. Der kann
1,5A und hat eingangsseitig Logikpegel.
achwas schrieb:> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.
Und er ist Rotz. Ein LM358 als Komparator ist schnachlangsam. Die
Emitterfolger bringen zwar einigermaßen Stromverstärkung, aber keinen
Geschwindigkeitszuwach.
> Jemand einen konstruktiven tipp?
Gatewiderstand ist nicht 30Ohm
Emitter und Kollektor an den Ausgangstransistoren vertauscht, dann ist
die Stromverstärkung deutlich kleiner.
Mach mal einen Test ohne das Gate mit einem Widerstand als Last, sagen
wir 120R, macht 100mA.
achwas schrieb:> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.>> Jemand einen konstruktiven tipp?
Ja, (Fertiger)MOSFET Treiber gibt's wie Sand im Meer. Warum muss du das
Rad neu erfinden?
Tany schrieb:> MOSFET Treiber gibt's wie Sand im Meer
Es geht noch viel besser:
Beitrag "Re: Motorsteuerung IGBT stirbt, why?"
War doch eine Art Ideallösung für das eigentliche Projekt.
hinz schrieb:> good design practice schrieb:>> Reines Try-and-Error-weil-schon-immer-so-gemacht-und-kein-Bock-bei->> null-anzufangen ist "unvorhersehbar Lern-produktiv" - tut mir leid.>> Du hast ihn duchschaut.
Sehr wahrscheinlich ist das so.
Ich kann mich nur nicht darüber freuen, weil's ihn null zu
interessieren scheint, bzw. er mir nicht glauben kann/will.
also ich werde jetzt einen gate treiber nutzen aber ich kapiers einfach
nicht und ich würde es gerne verstehen warum das nicht geht.
ich habe jetzt c2 durch 330uF ersetzt und zusätzlich so nahe wie möglich
an der versorgung vom LM358 einen kerko 100n und folko 470n angebracht.
an der treiberstufe habe ich auch einen kerko 100n angebracht.
außerdem habe ich dann versucht über einen separaten gleichrichter die
steuerung zu versorgen um eventuelle einflüsse aus dem lastkreis zu
minimieren.
der gate widerstand IST 30 ohm ! ich habe ihn zum testen auch mal
kurzgeschlossen. kein unterschied
das signal kommt schon so langsam aus dem LM358 raus.
aber laut datenblatt kann der problemlos 0.3V/us steigen und dabei 7,5mA
liefern. mit der stromverstärkung der treiber-transistoren sollten
locker 100mA zur verfügung stehen. die versorgungsspannung an C2 ist
stabil.
damit sollten ja für den anstieg 50us vergehen und der schaltvorgang
sollte bei 100mA und 50nC total gate charge vom irf740 0,5us dauern.
ich messe aber teilweise 500us mit dem oszi. ist der LM358 so scheiße?
warum macht der nicht das was im datenblatt steht?
an TANY
ich will es verstehen und was lernen beim ersten mal, dann benutze ich
treiber steine
an falk b.
wie meinst du das mit dem gate widerstand? soll er nicht 30 Ohm sein?
wieviel dann und warum? oder ist der bei mir nicht 30 ohm und du weißt
es besser als ich was in schaltung verbaut ist
ich betreibe ja die transistoren nicht in rückwärtsrichtung oder was
meisnt du mit colector und emitter vertauscht? die arbeiten doch ganz
normal. der obere npn wird zum einschalten verwendet und hat Ube positiv
und Uce positiv. der pnp umgekehrt, so wie es sein soll
ich sehe nicht den sinn warum ich diesen test machen sollte. die treiber
ziehen ja nicht 100mA dauerlast sondern mit ca. 10 Hz pulsierend um 50
nC zu laden.
Hallo Christian! Falls du einen Account hast, so schreibe mir doch mal
eine PN. Kann dir deine Fragen mit Leichtigkeit beantworten, denn es ist
genau so einfach und offensichtlich, wie im ersten Thread. Aber wie du
ja zur Genüge gesehen hast, sind Wahrheiten hier einfach nicht mehr gern
gesehen.
achwas schrieb:> ich messe aber teilweise 500us mit dem oszi. ist der LM358 so scheiße?
Teilweise bedeutet, dass in der Schaltung etwas nicht stabil bleibt...
Die Anode von D16 solltest Du an Plus der Vollweggleichrichtung hängen,
so nützt Du beide positive Halbwellen...
Der Spannungsteiler R17/R18 und der C4 wird schuld sein an dem Debakel,
mach mal R17 /R18 um das 10fache kleiner...
Ich hab von der Materie wenig Ahnung, aber so erklär ich mir den Effekt:
Die Breite des Miller-Plateaus ist abhängig von Vds. Vds ist bei dir
eine gleichgerichtete (aber nicht geglättete) Wechselspannung von 325V.
Die Breite des Plateaus ist also davon abhängig, zu welchem Zeitpunkt du
den MOSFET einschaltest.
In der Simulation sind beide Takte (der Netzsinus und die PWM)
phasensynchron fest gekoppelt - du bekommst immer die gleiche Vds zum
Einschaltzeitpunkt (und scheinbar eine schön kleine, so dass das Plateau
auch schmal ist).
In der Realität schaltest du zu einem zufälligen Zeitpunkt, erwischst
eine zufällige Spannung und bekommst ein zufällig breites Plateau.
Just my 2¢ ...
Mani W. schrieb:> achwas schrieb:>> ich messe aber teilweise 500us mit dem oszi. ist der LM358 so scheiße?>> Teilweise bedeutet, dass in der Schaltung etwas nicht stabil bleibt...>> Die Anode von D16 solltest Du an Plus der Vollweggleichrichtung hängen,> so nützt Du beide positive Halbwellen...>> Der Spannungsteiler R17/R18 und der C4 wird schuld sein an dem Debakel,> mach mal R17 /R18 um das 10fache kleiner...
das ist es nicht. würde das nicht stimmen, dann würde die
versorgungsspannung komplett zusammenbrechen. R17/R18 bedienen nur den
opto/snubber für C1.
das mit d16 habe ich gemacht.
jemand anderer hier hat mir zum widerholten mal per pn einen sehr guten
tipp gegeben. leider wird er hier bekämpft, weil er womöglich viel
kompetenter ist als alle anderen und der neid vieler einfach so
gigantisch ist. wie traurig.
für die die es interessiert, kurz, R8 muss möglicherweise kleiner
gewählt werden (leichter spannungseinbruch von Vcc hebt die schwache
mittkoplung auf) und zwischen inv-eingang und masse muss ein widerstand
gelegt werden. das werde ich morgen testen und berichten
foobar schrieb:> Ich hab von der Materie wenig Ahnung, aber so erklär ich mir den> Effekt:>> Die Breite des Miller-Plateaus ist abhängig von Vds. Vds ist bei dir> eine gleichgerichtete (aber nicht geglättete) Wechselspannung von 325V.> Die Breite des Plateaus ist also davon abhängig, zu welchem Zeitpunkt du> den MOSFET einschaltest.>> In der Simulation sind beide Takte (der Netzsinus und die PWM)> phasensynchron fest gekoppelt - du bekommst immer die gleiche Vds zum> Einschaltzeitpunkt (und scheinbar eine schön kleine, so dass das Plateau> auch schmal ist).>> In der Realität schaltest du zu einem zufälligen Zeitpunkt, erwischst> eine zufällige Spannung und bekommst ein zufällig breites Plateau.>> Just my 2¢ ...
genau so ist es ! jetz verstehe ich. ich messe manchmal das was die
simulation hergibt :D
mal gucken ob ich das maximum aus dem LM358 auskitzeln kann :-)
> mal gucken ob ich das maximum aus dem LM358 auskitzeln kann :-)
Probier durch erstmal, im Nulldurchgang zu schalten - evtl sparst du dir
dann das "kitzeln" ;-)
Christian K. schrieb:> jemand anderer hier hat mir zum widerholten mal per pn einen sehr guten> tipp gegeben. leider wird er hier bekämpft, weil er womöglich viel> kompetenter ist als alle anderen und der neid vieler einfach so> gigantisch ist. wie traurig.
Du hast eine gigantische Verschwörung aufgedeckt!
achwas schrieb:> ich messe aber teilweise 500us mit dem oszi. ist der LM358 so scheiße?> warum macht der nicht das was im datenblatt steht?
Dann studiere mal gründlich den Datenblatt.
Hinweis: Slewrate ist nicht konstant wie du annimmst, sondern viel
abhängig von der Verstärkung, Frequenz, Last etc....
für alle diees interessiert, es war so wie zuletzt gedacht.
ich habe zunächst das gehäuse des motors geerdet, um evententuelle
electrostatische aufladungen zu vermeiden. ohne effekt
dann habe ich einen capacitance multiplier in den tachokreis gesetzt :
https://www.youtube.com/watch?v=wopmEyZKnYo
auch ohne nennenswerten effekt, jedoch hat der schaltvorgang angefangen
im takt von ca 3 sek zuu schwingen :D. habe das wieder rückgängig
gemacht
dann habe ich einen 1meg widerstand vom invertierenden eingang nach
masse gelegt um eventuelles unvorhersagbares verhalten der dioden bei
den sehr geringen strömen am opamp eingang zu minimieren. auch ohne
effekt
dann habe ich den rückkoppelwiderstand R8 auf 1 meg reduziert und siehe
da, der schaltvorgang wird sehr viel schneller. das miller plateau ist
nur noch 15uS breit und die schaltflanke 20uS. ich weiß immer noch sehr
langsam aber es ging mir darum herauszufinden warum der opamp nicht
gemacht hat was er eigentlich laut datenblatt soll.
wenn die rückkopplung zu schwach ist und die versorgungsspannung nicht
glatt und belastbar genug, dann ist die spannung zwischen den beiden
eingängen am opamp nicht groß genug um voll auszusteuern. der LM358
steuert gerade so viel aus wie die spannung über dem poti am positiven
eingang beim absinken noch ausreicht um auszusteuern.
@ foobar
ja daran habe ich auch schon gedacht. eventuell mach ich das auch
noch...
Die Lösung ist, dass der Kollektor von Q1 an plus angeschlossen werden
muss.
Für das Gate benötigst du einen hohen Strom und wenn der über 110kOhm
kommt, dann kannst du lange warten bis der MOSFET richtig schaltet.
Wenn der Kollektor an plus ist, dann funktioniert auch die erste
Schaltung.
Wolfgang S. schrieb:> Die Lösung ist, dass der Kollektor von Q1 an plus angeschlossen werden> muss.
Wo ist er denn jetzt Deiner Meinung nach angeschlossen? Es gibt halt
zwei Kreise für die Versorgung....
> Für das Gate benötigst du einen hohen Strom und wenn der über 110kOhm> kommt, dann kannst du lange warten bis der MOSFET richtig schaltet.>> Wenn der Kollektor an plus ist, dann funktioniert auch die erste> Schaltung.
Die Feststellung gab es schon - nur ist die Stromversorgung in der Form
suboptimal.
Wolfgang S. schrieb:> monkye blickt auch nicht durch.
Ich habe ehrlich gesagt eher den Eindruck, @Uwe hatte Dir nicht
zu heftig "über's Maul fahren fahren wollen", und sich auf einen
Hinweis beschränkt... den leider Du nicht durchschaut hast.
Welches besch... plus meinst Du? (...verschweigen zu müssen! ;-)
Bitte ("ich flehe Dich an")... erleuchte uns mit Deinem "+"-Punkt,
der NICHT auf gleichgerichteter Netzspannung liegt - wo isser?
Halte Dich keinesfalls zurück, ich (/wir?) will (/wollen?) ehrlich
gerne etwas dazulernen, falls das hierbei irgendwie möglich ist.
