Warum ist der GATe-Treiber langsam?

[achwas (Gast)]

guten abend,
in einem anderen Thread habe ich so eine ähnliche schaltung schonmal 
vorgestellt, jedoch unter einer anderen Fragestellung.

Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer 
als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.

Jemand einen konstruktiven tipp?

an hinz, bitte hier nicht schreiben

beste grüße
christian

[achwas (Gast)]

in der simulation insgesamt 33 us und miller plateau sehr klein im 
vergleich zum gemessenen bild

[Dussel (Gast)]

Ich bin da jetzt absolut nicht der Experte, aber soweit ich mitgekriegt 
habe, hat das Layout einen großen Einfluss. Das ist hier nicht zu sehen.

[achwas (Gast)]

hässlicher drahtaufbau, jedoch wurde darauf geachtet, dass die 
verbindungen opamp-treiber-mosfet direkt und so kurz wie möglich sind

[Roland E. (roland0815)]

achwas schrieb:
> guten abend,
> in einem anderen Thread habe ich so eine ähnliche schaltung schonmal
> vorgestellt, jedoch unter einer anderen Fragestellung.
>
> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer
> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.
>
> Jemand einen konstruktiven tipp?
>
> an hinz, bitte hier nicht schreiben
>
> beste grüße
> christian

Vergleiche mal bitte deine Zeitbasis in der Simulation und dem Oszi. Da 
liegen ein paar Größenordnungen dazwischen.

[achwas (Gast)]

danke für den hinweiß. beachte das dritte bild. simulation gibt 33 us 
für die schaltzeit.

[Roland E. (roland0815)]

achwas schrieb:
> danke für den hinweiß. beachte das dritte bild. simulation gibt 33 us
> für die schaltzeit.

PS: Nicht alle OPVs sind für den Komparatorbetrieb geeignet. Nebenbei: 
Woher soll die Geschwindigkeit kommen, wenn dein "Treiber" mit nur 2,9mA 
aufs gate geht. Da kannst du dir deine Transistoren sparen und direkt 
aus dem OPV gehen.

[Mark S. (voltwide)]

Roland E. schrieb:
> Nicht alle OPVs sind für den Komparatorbetrieb geeignet.

Über den LM358 hatte ich ja auch schon geschrieben. Das wurde 
offensichtlich ignoriert.

[Axel S. (a-za-z0-9)]

achwas schrieb:
> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer
> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.

Und was ist die Schaltung, die du aufgebaut hast?

Unabhängig davon ist ein LM358 eine ganz dämliche Wahl für einen 
schnellen Gate-Treiber. Dieses elektro-geriatrische Bauteil hat eine 
Slew-Rate von typisch 0.6V/µs, garantiert sind gar nur 0.3V/µs. Die 
Gatespannung von 0 auf 15V hochzufahren, würde also typisch 25µs bzw. 
pessimistisch 50µs dauern. Das ist nicht nur langsam, das ist ein 
schlechter Scherz.

[Michael K. (miccha)]

Was hast du in deiner live Schaltung fürn Kondensator C1 verwendet? Was 
für ESR hat dieser. Vielleicht liegt es daran das dieser in deiner 
Simulation 0Ohm hat, aber dein reeller deutlicher höher ist? Versuch 
doch C1 zu erhöhen vielleicht sogar durch einen low esr zu ersetzen. 
Auch sollte dieser nah am OP sein. Hast du nen Foto von deinem 
Drahtaufbau?

[achwas (Gast)]

Roland E. schrieb:
> achwas schrieb:
>> danke für den hinweiß. beachte das dritte bild. simulation gibt 33 us
>> für die schaltzeit.
>
> PS: Nicht alle OPVs sind für den Komparatorbetrieb geeignet. Nebenbei:
> Woher soll die Geschwindigkeit kommen, wenn dein "Treiber" mit nur 2,9mA
> aufs gate geht. Da kannst du dir deine Transistoren sparen und direkt
> aus dem OPV gehen.

ja genau aber woran siehst du das? ich habe das aus der gemssenen kurve 
berechnet. ich sehe das problem nicht ! bitte genauer

[achwas (Gast)]

Mark S. schrieb:
> Roland E. schrieb:
>> Nicht alle OPVs sind für den Komparatorbetrieb geeignet.
>
> Über den LM358 hatte ich ja auch schon geschrieben. Das wurde
> offensichtlich ignoriert.

Mark S. schrieb:
> Der LM358 ist viel zu langsam und kann keinen ausreichenden gatestrom
> liefern. Das zeigt das viel zu lange Miller-Plateau. Zwischen
> OPV-Ausgang und gate gehört ein gate-Ansteuerbaustein aka gate-driver,
> damit bekommen Deine IGBTs die Pulse die sie benötigen.

ja das habe ich auch schon gesehen aber ich verstehe nicht was du damit 
meinst. der hat ne slew rate von 0,3V/uS. damit sollten die 15V in 50uS 
erreicht sein. und er kann einen strom von min 20 mA sourcen sinken.
in der schaltung habe ich sowohl einen 1k widerstand am ausgang vom 
opamp verwendet als auch keinen widerstand. hat nichts gebracht. 
schließlich muss der opamp ja nur 0,25mA liefern, wegen der transistoren 
die ja eine stromverstärkung von min 400 haben. bei 100mA die maximal 
vom transistor kommen sind das somit  somit 100mA/400 = 0,25mA.

der irf740 hat eine gate charge von 53nC/100mA = 0,5uS ladezeit + die 
50uS die aus der slewrate kommen. so ganz grob überschlagen.
das erklärt nicht die 500uS schaltzeit

wo ist mein fehler?

warum eignet sich der LM358 sonst noch nicht als komparator? woran sehe 
ich das im datenblatt?

grüße
christian

[achwas (Gast)]

Michael K. schrieb:
> Was hast du in deiner live Schaltung fürn Kondensator C1
> verwendet? Was
> für ESR hat dieser. Vielleicht liegt es daran das dieser in deiner
> Simulation 0Ohm hat, aber dein reeller deutlicher höher ist? Versuch
> doch C1 zu erhöhen vielleicht sogar durch einen low esr zu ersetzen.
> Auch sollte dieser nah am OP sein. Hast du nen Foto von deinem
> Drahtaufbau?

danke für den hinweis. foto werde ich machen. esr messen. ist ein elko 
aus elektroschrott

[Mani W. (e-doc)]

Es liegt an der Spannungsversorgung, die sollte zuerst stabil anliegen,
dann erst wird angesteuert...

Sieht man ja schön im ersten Bild...

[achwas (Gast)]

Axel S. schrieb:
> achwas schrieb:
>> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer
>> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.
>
> Und was ist die Schaltung, die du aufgebaut hast?

motorsteuerung

[Roland E. (roland0815)]

achwas schrieb:
> ...
> schließlich muss der opamp ja nur 0,25mA liefern, wegen der transistoren
> die ja eine stromverstärkung von min 400 haben. bei 100mA die maximal
> vom transistor kommen sind das somit  somit 100mA/400 = 0,25mA.
>
> der irf740 hat eine gate charge von 53nC/100mA = 0,5uS ladezeit + die
> 50uS die aus der slewrate kommen. so ganz grob überschlagen.
> das erklärt nicht die 500uS schaltzeit
>
> wo ist mein fehler?
>
>...

Schaue dir bitte deine Spannungsversorgung für deinen OPV und die 
Transistoren an. Wo sollen da 100mA her kommen?

325V (Spitze) über 110kOhm (R4) auf 15V liefern 2,8mA (Spitze). Alle 
20ms.
Die paar Mikrofahrräder an C1 nach R4 helfen da auch nicht weiter. Da 
fehlen ein paar Nullen. Mindestens.

Besorge deinem OPV und den Transistoren erst mal eine, sagen wir 20V, 
Versorgung, welche 500mA dauernd und 1..2A Spitze für ein paar µs 
liefern kann. Dann kannst du auf dem Oszi auch in etwa das sehen, was 
deine Simulation ausspuckt. Und wenn du dann für den LM358 noch einen 
richtigen Komparator (keinen mit OC-Ausgang...) nimmst, klappts auch mit 
der Geschwindigkeit.

PS: <ALT>+<DRUCK> liefert nur das aktuelle Fenster...

PPS: Den Mosfet mit mehr als 10V am gate anzusteuern macht übrigens 
wenig Sinn. Also reichen auch 12V für den OPV und die Transistoren.

[achwas (Gast)]

habe nun den elko vermessen hat 3.3Ohm ESR. sollte also kein problem 
sein. habe dann 330uF parallel geschaltet. hat immer noch nichts 
geändert.

was mir aber aufgefallen ist, das miller plateau ist bei keinem 
schaltvorgang gleich breit. manchmal nur 50uS breit manchmal 400uS. 
hängt das von der anliegenden DS-Spannung ab? je nach dem wann gerade 
geschaltet wird bezogen auf den gleichgerichteten sinus der steckdose?
das ist sehr seltsam was hat das zu bedeuten das die schaltvorgänge 
random unterscheidlich lang sind?

achso und bild vom drahtaufbau ist mit dabei

[achwas (Gast)]

Mani W. schrieb:
> Es liegt an der Spannungsversorgung, die sollte zuerst stabil
> anliegen,
> dann erst wird angesteuert...
>
> Sieht man ja schön im ersten Bild...

das osziloskop sagt, dass am elko c1 stabil 18V+-300mV anliegen

[Christian S. (roehrenvorheizer)]

Vorbildlicher Aufbau, wartungsfreudig und ohne kalte Lötstellen. 
Nachahmenswert.

[achwas (Gast)]

Roland E. schrieb:
> ach R4 helfen da auch nicht weiter. Da
> fehlen ein paar Nullen. Mindestens

Roland E. schrieb:
> Schaue dir bitte deine Spannungsversorgung für deinen OPV und die
> Transistoren an. Wo sollen da 100mA her kommen?
>
> 325V (Spitze) über 110kOhm (R4) auf 15V liefern 2,8mA (Spitze). Alle
> 20ms.
> Die paar Mikrofahrräder an C1 nach R4 helfen da auch nicht weiter. Da
> fehlen ein paar Nullen. Mindestens.

ok danke für den hinweis. aber wie soll ich das verstehen.
mit 20uF = 20uC/V und einer gate ladung von 50 nC oder sagen wir mit 
leckströmen gerundet 0.1uC fällt die spannung bei einem schaltvorgang 
nicht mal um 0,5%. richtig? denn wenn ich 20uC entnehme sinkt die 
spannung um 1Volt ?!

und die schaltfrequenz ist in realität sogar noch langsamer als in der 
simulation, ca. 10-15 Hz. damit kommt die pulsierende 100Hz 
gleichspannung 10 mal zwischen jedem schaltvorgang vorbei und grüßt den 
kondesator.

und das oszi sagt das die spannung über C1 stabil auf 18V+-300mV liegt

[achwas (Gast)]

Christian S. schrieb:
> Vorbildlicher Aufbau, wartungsfreudig und ohne kalte Lötstellen.
> Nachahmenswert.

:D
ja wie macht ihr/du das denn? für DUT 5 platinen aus chinesien 
bestellen? paar wochen warten. dann feststellen das es nicht geht und 
die nächsten 5 bestellen? usw
wenn das ding läuft werde ich das vernünftig machen....

[Mani W. (e-doc)]

achwas schrieb:
> das osziloskop sagt, dass am elko c1 stabil 18V+-300mV anliegen

Aber nicht von Anfang an, siehe erstes Bild, die Gatespannung erreicht
erst beim dritten Impuls den Nennwert...

Und wo kommt das Gerippel auf der Null-Linie her?

[achwas (Gast)]

Mani W. schrieb:
> achwas schrieb:
>> das osziloskop sagt, dass am elko c1 stabil 18V+-300mV anliegen
>
> Aber nicht von Anfang an, siehe erstes Bild, die Gatespannung erreicht
> erst beim dritten Impuls den Nennwert...
>
> Und wo kommt das Gerippel auf der Null-Linie her?

achso ja in der realschaltung wird der Inv-eingang des OPamp über pullup 
auf pos-RAIL gezogen und das wird nach einer gewissen zeit durch einen 
transistor kurzgeschlossen.
siehe 4. bild. das ist die aufgebaute schaltung.

das ist auch nicht das problem. es geht darum das der schaltvorgang 
mitten im betrieb langsam ist. mal mehr mal weniger. 100-500us.

ja das gerippel ist sehr interessant. keine ahnung woher das kommt. das 
liegt auch zum größten teil unterhalb der 0V linie. sehr merkwürdig. 
simulationsfehler?

[Michael K. (miccha)]

1. Mess doch mal mit dem Oszi die Spannung an C2 während dem 
Schaltvorgang und den Ausgang deine Komperators.

2. Mir kommt die Komplimentärendstufe vom Aufbau komisch vor. versuch 
doch mal direkt die Mosfet zu treiben, nur zu sehen ob sich was ändert. 
Ich geh davon du hast keinen Mosfet Treiber Baustein übrig? zB. MIC4427

[achwas (Gast)]

so jetzt ist das gerippel weg. aber wird dsa daruch jetzt mit dem 
schalten besser werden????

[Mani W. (e-doc)]

Jetzt braucht es 0,8 Sekunden und 8 Takte für max. Gatespannung...

[achwas (Gast)]

Mani W. schrieb:
> Jetzt braucht es 0,8 Sekunden und 8 Takte für max. Gatespannung...


nochmal. der einschaltmoment ist nicht das problem. in der realschaltung 
in bild 4 wird verhindert das der opamp aussteuert bevor mindestens 8,2V 
versorgungsspannung erreicht sind. somit sieht der transistor beim 
ersten schaltvorgang genug spannung am gate.

das problem ist das der schaltvorgang (sehr willkürlich- schwer über 
single event messung zu sagen obs da nicht eine systematik gibt) mal 
schneller mal langsamer ist 100-500us. ich würde gerne verstehen warum.

eventuell muss ich tatsächlich die diode dazu nehmen oder vll sogar 
einen komplett galvanisch getrennten steuerkreis mit gemeinsamer masse 
um das rückkoppeln über die motorinduktivität beim schalten zu 
verhindern?

[achwas (Gast)]

Michael K. schrieb:
> 1. Mess doch mal mit dem Oszi die Spannung an C2 während dem
> Schaltvorgang und den Ausgang deine Komperators.
>
> 2. Mir kommt die Komplimentärendstufe vom Aufbau komisch vor. versuch
> doch mal direkt die Mosfet zu treiben, nur zu sehen ob sich was ändert.
> Ich geh davon du hast keinen Mosfet Treiber Baustein übrig? zB. MIC4427

zu 1

das habe ich gemacht spannung stabil +-300mV

zu 2.

habe ich hier geklaut
https://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber

ich habe vorher den mosfet direkt mit dem opamp gesteuert. hat genau so 
gut geklappt. daher wollte ich mit mehr dampf also über diesen einfachen 
treiber gehen macht aber keinen unterschied. irgendwo ist ein fehler

ich habe so einen treiber aber ich wollte beim ersten mal etwas lernen 
und es selbst aufbauen und verstehen wie das arbeitet usw bevor ich dann 
in zukunft einfach nur noch lego spiele ohne mir gedanken zu machen

[Christian S. (roehrenvorheizer)]

":D
ja wie macht ihr/du das denn? für DUT 5 platinen aus chinesien
bestellen? paar wochen warten. dann feststellen das es nicht geht und
die nächsten 5 bestellen? usw"

Ich  habe leider keine SMD-Linie zur Verfügung.

Also ich stelle hier keine Fotos mehr rein, da sie oft "nett" 
kommentiert werden, siehe:

Beitrag "TL494 peak current protection mit 3 Transistoren"
Beitrag "MC34063 Schaltungsvorstellung 5V Stepup-Konstantstromquelle 1A für 2x10W Power-LED"
Beitrag "MC34063 Stepup Pfeift laut, erzeugt Schwingungspakete"

mfg

[Thorsten S. (thosch)]

Und warum nimmst du keinen richtigen Gate-Treiber mit anständiger 
Versorgung?

Übliche Gate-Treiber-ICs treiben ca. 4A ins Gate.
Damit wird das Gate schnell umgeladen und die Schaltung quält sich nicht 
endlos mit dem Miller-Plateau ab.

Deine Schaltung mit den Kleinsignaltransistoren als Gate-Treiber ist ja 
kaum besser als der OpAmp selbst, zumal mit dem (mit 30Ω viel zu 
großen!) Widerstand in Reihe.

[Hubert H. (huhu)]

Hallo an alle,

wenn ich mir die Versorgung der Treiber lt. Plan ansehe ist dort ein 110 
k
Widerstand vorhanden.
Wie soll das richtig funktionieren ?

Guß

[Michael K. (miccha)]

Hubsi H. schrieb:
> Hallo an alle,
>
> wenn ich mir die Versorgung der Treiber lt. Plan ansehe ist dort ein 110
> k
> Widerstand vorhanden.
> Wie soll das richtig funktionieren ?
>
> Guß


Er hat doch geschrieben am Kondensator hat er seine 18V mit nur kleinen 
Einbrüchen. Der Kondensator stützt im Einschaltmoment.

Vielleicht den Kondensator an die Treiberstufe anbringen?

[good design practice (Gast)]

Zuerst den 20µF Elko (obwohl weniger reicht) parallel zu evtl. 0,47µF 
Folienkondensator direkt (als "C20+C30") über den Komplementärtreiber.

Hinter welchem zwar von mir aus auch die hohen 30 Ohm liegen dürfen
für - wie im Nachbarthread gesagt - nur 5-15Hz (sprich: Hertz!), wo
ich aber trotzdem max. halb so viel, gerne weniger, sehen würde, und
besagten Treiber schön steilflankig mit Strom über eine Größenordnung
höher als dem derzeitigen ("wegen theoretisch vorhandener hfe" als
ausreichend vermuteten solchen) ansteuern. + Ersatz C1 durch 100µF.

Das ist ein erster Ansatz, aber nur für diesen Schaltungsteil.


Zu_lernen_wie_etwas_funktioniert geht normalerweise jedenfalls so:

Von einzelnen Bauteilen über simple Grundschaltungen zu komplexerem
gehend (nur wer jedes Bauteil versteht, versteht ganze Schaltungen),
und dabei von anfang an "bewährte Designregeln" befolgend (weil ja
anderenfalls andauernd was schiefgeht - was gar nicht sein muß).

Reines Try-and-Error-weil-schon-immer-so-gemacht-und-kein-Bock-bei-
null-anzufangen ist "unvorhersehbar Lern-produktiv" - tut mir leid.

[hinz (Gast)]

Thorsten S. schrieb:
> zumal mit dem (mit 30Ω viel zu
> großen!) Widerstand in Reihe.

Der wird gar keine 30 Ohm haben, sondern ehr 300kOhm. Dazu passen dann 
die 400µs Millerplateau.

[hinz (Gast)]

good design practice schrieb:
> Reines Try-and-Error-weil-schon-immer-so-gemacht-und-kein-Bock-bei-
> null-anzufangen ist "unvorhersehbar Lern-produktiv" - tut mir leid.

Du hast ihn duchschaut.

[Elliot (Gast)]

achwas schrieb:
> was mir aber aufgefallen ist, das miller plateau ist bei keinem
> schaltvorgang gleich breit. manchmal nur 50uS breit manchmal 400uS.
> hängt das von der anliegenden DS-Spannung ab? je nach dem wann gerade
> geschaltet wird bezogen auf den gleichgerichteten sinus der steckdose?
> das ist sehr seltsam was hat das zu bedeuten das die schaltvorgänge
> random unterscheidlich lang sind?

Das bedeutet, daß der Miller-Effekt den Schaltvorgang bestimmt. Je 
weiter die Drainspannung fallen muss, umso länger dauert das, weil die 
Geschwindigkeit konstant ist. Eine schnelle Simu hier zeigt, daß mit 30K 
Gatevorwiderstand genau die von dir gemessenen Zeiten erreicht werden.

Hast du den Gatevorwiderstand mal nachgemessen? Evtl. 30R mit 30k 
verwechselt.

[Michael K. (miccha)]

Elliot schrieb:
> Eine schnelle Simu hier zeigt, daß mit 30K Gatevorwiderstand genau die
> von dir gemessenen Zeiten erreicht werden.

Genau das hat er auch schon erklärt, dass er mal kurze Zeiten mal 
längere hat:

achwas schrieb:
> zu sagen obs da nicht eine systematik gibt) mal schneller mal langsamer
> ist 100-500us. ich würde gerne verstehen warum

[Benjamin K. (bentschie)]

achwas schrieb:

> das problem ist das der schaltvorgang (sehr willkürlich- schwer über
> single event messung zu sagen obs da nicht eine systematik gibt) mal
> schneller mal langsamer ist 100-500us. ich würde gerne verstehen warum.

Na, ja. Typischerweise ist die Gatekapazität nicht das große Problem. 
Die Millerkapazität ist das Problem. Die bremst ja aktive dagegen. Und 
das in Abhängigkeit der DS-Spannung und Schaltgeschwindigkeit.
Ein richtiger Gate-Treiber hat nicht umsonst Pulsströme von 2A und mehr.

Ja, das mit dem Emmiterfolger geht auch. Das verwenden wir, wenn die 6A 
aus dem Treiber-IC nicht reichen. Da gehen dann auch mal 30A. Aber das 
ist nix für kleine Transistoren.

Normalerweise macht man das auch umgedreht. Der Treiber wird auf den 
maximalen denkbaren Treiberstrom ausgelegt. Der richtige Treiberstrom 
wird dann mit dem Gatevorwiderstand dimensioniert. Die 
Schaltgeschwindigkeit richtet sich dann nach EMV, Verlustleistung, 
Schaltüberspannung,....)

Nimm doch einen einfachen Mosfet-Treiber, z.B. TC4426/TC4427. Der kann 
1,5A und hat eingangsseitig Logikpegel.

[Falk B. (falk)]

achwas schrieb:

> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer
> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.

Und er ist Rotz. Ein LM358 als Komparator ist schnachlangsam. Die 
Emitterfolger bringen zwar einigermaßen Stromverstärkung, aber keinen 
Geschwindigkeitszuwach.

> Jemand einen konstruktiven tipp?

Gatewiderstand ist nicht 30Ohm
Emitter und Kollektor an den Ausgangstransistoren vertauscht, dann ist 
die Stromverstärkung deutlich kleiner.

Mach mal einen Test ohne das Gate mit einem Widerstand als Last, sagen 
wir 120R, macht 100mA.

[Tany (Gast)]

achwas schrieb:
> Ich habe hier einen Mosfet-treiber aufgebaut und der ist viel langsamer
> als in der simulation und ich komme einfach nicht drauf warum.
>
> Jemand einen konstruktiven tipp?

Ja, (Fertiger)MOSFET Treiber gibt's wie Sand im Meer. Warum muss du das 
Rad neu erfinden?

[good design practice (Gast)]

Tany schrieb:
> MOSFET Treiber gibt's wie Sand im Meer

Es geht noch viel besser:

Beitrag "Re: Motorsteuerung IGBT stirbt, why?"

War doch eine Art Ideallösung für das eigentliche Projekt.


hinz schrieb:
> good design practice schrieb:
>> Reines Try-and-Error-weil-schon-immer-so-gemacht-und-kein-Bock-bei-
>> null-anzufangen ist "unvorhersehbar Lern-produktiv" - tut mir leid.
>
> Du hast ihn duchschaut.

Sehr wahrscheinlich ist das so.

Ich kann mich nur nicht darüber freuen, weil's ihn null zu
interessieren scheint, bzw. er mir nicht glauben kann/will.

[achwas (Gast)]

also ich werde jetzt einen gate treiber nutzen aber ich kapiers einfach 
nicht und ich würde es gerne verstehen warum das nicht geht.

ich habe jetzt c2 durch 330uF ersetzt und zusätzlich so nahe wie möglich 
an der versorgung vom LM358 einen kerko 100n und folko 470n angebracht. 
an der treiberstufe habe ich auch einen kerko 100n angebracht.
außerdem habe ich dann versucht über einen separaten gleichrichter die 
steuerung zu versorgen um eventuelle einflüsse aus dem lastkreis zu 
minimieren.

der gate widerstand IST 30 ohm ! ich habe ihn zum testen auch mal 
kurzgeschlossen. kein unterschied

das signal kommt schon so langsam aus dem LM358 raus.
aber laut datenblatt kann der problemlos 0.3V/us steigen und dabei 7,5mA 
liefern. mit der stromverstärkung der treiber-transistoren sollten 
locker 100mA zur verfügung stehen. die versorgungsspannung an C2 ist 
stabil.

damit sollten ja für den anstieg 50us vergehen und der schaltvorgang 
sollte bei 100mA und 50nC total gate charge vom irf740 0,5us dauern.

ich messe aber teilweise 500us mit dem oszi. ist der LM358 so scheiße? 
warum macht der nicht das was im datenblatt steht?

an TANY
ich will es verstehen und was lernen beim ersten mal, dann benutze ich 
treiber steine

an falk b.
wie meinst du das mit dem gate widerstand? soll er nicht 30 Ohm sein? 
wieviel dann und warum? oder ist der bei mir nicht 30 ohm und du weißt 
es besser als ich was in schaltung verbaut ist

ich betreibe ja die transistoren nicht in rückwärtsrichtung oder was 
meisnt du mit colector und emitter vertauscht? die arbeiten doch ganz 
normal. der obere npn wird zum einschalten verwendet und hat Ube positiv 
und Uce positiv. der pnp umgekehrt, so wie es sein soll

ich sehe nicht den sinn warum ich diesen test machen sollte. die treiber 
ziehen ja nicht 100mA dauerlast sondern mit ca. 10 Hz pulsierend um 50 
nC zu laden.

[Uwe S. (bullshit-bingo)]

Hallo Christian! Falls du einen Account hast, so schreibe mir doch mal 
eine PN. Kann dir deine Fragen mit Leichtigkeit beantworten, denn es ist 
genau so einfach und offensichtlich, wie im ersten Thread. Aber wie du 
ja zur Genüge gesehen hast, sind Wahrheiten hier einfach nicht mehr gern 
gesehen.

[Mani W. (e-doc)]

achwas schrieb:
> ich messe aber teilweise 500us mit dem oszi. ist der LM358 so scheiße?

Teilweise bedeutet, dass in der Schaltung etwas nicht stabil bleibt...

Die Anode von D16 solltest Du an Plus der Vollweggleichrichtung hängen,
so nützt Du beide positive Halbwellen...

Der Spannungsteiler R17/R18 und der C4 wird schuld sein an dem Debakel,
mach mal R17 /R18 um das 10fache kleiner...

[foobar (Gast)]

Ich hab von der Materie wenig Ahnung, aber so erklär ich mir den Effekt:

Die Breite des Miller-Plateaus ist abhängig von Vds.  Vds ist bei dir 
eine gleichgerichtete (aber nicht geglättete) Wechselspannung von 325V. 
Die Breite des Plateaus ist also davon abhängig, zu welchem Zeitpunkt du 
den MOSFET einschaltest.

In der Simulation sind beide Takte (der Netzsinus und die PWM) 
phasensynchron fest gekoppelt - du bekommst immer die gleiche Vds zum 
Einschaltzeitpunkt (und scheinbar eine schön kleine, so dass das Plateau 
auch schmal ist).

In der Realität schaltest du zu einem zufälligen Zeitpunkt, erwischst 
eine zufällige Spannung und bekommst ein zufällig breites Plateau.

Just my 2¢ ...

[Christian K. (1337_pl)]

Mani W. schrieb:
> achwas schrieb:
>> ich messe aber teilweise 500us mit dem oszi. ist der LM358 so scheiße?
>
> Teilweise bedeutet, dass in der Schaltung etwas nicht stabil bleibt...
>
> Die Anode von D16 solltest Du an Plus der Vollweggleichrichtung hängen,
> so nützt Du beide positive Halbwellen...
>
> Der Spannungsteiler R17/R18 und der C4 wird schuld sein an dem Debakel,
> mach mal R17 /R18 um das 10fache kleiner...

das ist es nicht. würde das nicht stimmen, dann würde die 
versorgungsspannung komplett zusammenbrechen. R17/R18 bedienen nur den 
opto/snubber für C1.

das mit d16 habe ich gemacht.

jemand anderer hier hat mir zum widerholten mal per pn einen sehr guten 
tipp gegeben. leider wird er hier bekämpft, weil er womöglich viel 
kompetenter ist als alle anderen und der neid vieler einfach so 
gigantisch ist. wie traurig.
für die die es interessiert, kurz, R8 muss möglicherweise kleiner 
gewählt werden (leichter spannungseinbruch von Vcc hebt die schwache 
mittkoplung auf) und zwischen inv-eingang und masse muss ein widerstand 
gelegt werden. das werde ich morgen testen und berichten

[Christian K. (1337_pl)]

foobar schrieb:
> Ich hab von der Materie wenig Ahnung, aber so erklär ich mir den
> Effekt:
>
> Die Breite des Miller-Plateaus ist abhängig von Vds.  Vds ist bei dir
> eine gleichgerichtete (aber nicht geglättete) Wechselspannung von 325V.
> Die Breite des Plateaus ist also davon abhängig, zu welchem Zeitpunkt du
> den MOSFET einschaltest.
>
> In der Simulation sind beide Takte (der Netzsinus und die PWM)
> phasensynchron fest gekoppelt - du bekommst immer die gleiche Vds zum
> Einschaltzeitpunkt (und scheinbar eine schön kleine, so dass das Plateau
> auch schmal ist).
>
> In der Realität schaltest du zu einem zufälligen Zeitpunkt, erwischst
> eine zufällige Spannung und bekommst ein zufällig breites Plateau.
>
> Just my 2¢ ...

genau so ist es ! jetz verstehe ich. ich messe manchmal das was die 
simulation hergibt :D
mal gucken ob ich das maximum aus dem LM358 auskitzeln kann :-)

[foobar (Gast)]

> mal gucken ob ich das maximum aus dem LM358 auskitzeln kann :-)

Probier durch erstmal, im Nulldurchgang zu schalten - evtl sparst du dir 
dann das "kitzeln" ;-)

[Mani W. (e-doc)]

Christian K. schrieb:
> R8 muss möglicherweise kleiner
> gewählt werden

Ja, sehr gut möglich..

[hinz (Gast)]

Christian K. schrieb:
> jemand anderer hier hat mir zum widerholten mal per pn einen sehr guten
> tipp gegeben. leider wird er hier bekämpft, weil er womöglich viel
> kompetenter ist als alle anderen und der neid vieler einfach so
> gigantisch ist. wie traurig.

Du hast eine gigantische Verschwörung aufgedeckt!

[Tany (Gast)]

achwas schrieb:
> ich messe aber teilweise 500us mit dem oszi. ist der LM358 so scheiße?
> warum macht der nicht das was im datenblatt steht?

Dann studiere mal gründlich den Datenblatt.
Hinweis: Slewrate ist nicht konstant wie du annimmst, sondern viel 
abhängig von der Verstärkung, Frequenz, Last etc....

[achwas (Gast)]

für alle diees interessiert, es war so wie zuletzt gedacht.

ich habe zunächst das gehäuse des motors geerdet, um evententuelle 
electrostatische aufladungen zu vermeiden. ohne effekt

dann habe ich einen capacitance multiplier in den tachokreis gesetzt :
https://www.youtube.com/watch?v=wopmEyZKnYo

auch ohne nennenswerten effekt, jedoch hat der schaltvorgang angefangen 
im takt von ca 3 sek zuu schwingen :D. habe das wieder rückgängig 
gemacht

dann habe ich einen 1meg widerstand vom invertierenden eingang nach 
masse gelegt um eventuelles unvorhersagbares verhalten der dioden bei 
den sehr geringen strömen am opamp eingang zu minimieren. auch ohne 
effekt

dann habe ich den rückkoppelwiderstand R8 auf 1 meg reduziert und siehe 
da, der schaltvorgang wird sehr viel schneller. das miller plateau ist 
nur noch 15uS breit und die schaltflanke 20uS. ich weiß immer noch sehr 
langsam aber es ging mir darum herauszufinden warum der opamp nicht 
gemacht hat was er eigentlich laut datenblatt soll.
wenn die rückkopplung zu schwach ist und die versorgungsspannung nicht 
glatt und belastbar genug, dann ist die spannung zwischen den beiden 
eingängen am opamp nicht groß genug um voll auszusteuern. der LM358 
steuert gerade so viel aus wie die spannung über dem poti am positiven 
eingang beim  absinken noch ausreicht um auszusteuern.


@ foobar
ja daran habe ich auch schon gedacht. eventuell mach ich das auch 
noch...

[Wolfgang S. (Gast)]

Die Lösung ist, dass der Kollektor von Q1 an plus angeschlossen werden 
muss.
Für das Gate benötigst du einen hohen Strom und wenn der über 110kOhm 
kommt, dann kannst du lange warten bis der MOSFET richtig schaltet.

Wenn der Kollektor an plus ist, dann funktioniert auch die erste 
Schaltung.

[Uwe D. (monkye)]

Wolfgang S. schrieb:
> Die Lösung ist, dass der Kollektor von Q1 an plus angeschlossen werden
> muss.
Wo ist er denn jetzt Deiner Meinung nach angeschlossen? Es gibt halt 
zwei Kreise für die Versorgung....

> Für das Gate benötigst du einen hohen Strom und wenn der über 110kOhm
> kommt, dann kannst du lange warten bis der MOSFET richtig schaltet.
>
> Wenn der Kollektor an plus ist, dann funktioniert auch die erste
> Schaltung.

Die Feststellung gab es schon - nur ist die Stromversorgung in der Form 
suboptimal.

[Wolfgang S. (Gast)]

monkye blickt auch nicht durch.

[good design practice (Gast)]

Wolfgang S. schrieb:
> monkye blickt auch nicht durch.

Ich habe ehrlich gesagt eher den Eindruck, @Uwe hatte Dir nicht
zu heftig "über's Maul fahren fahren wollen", und sich auf einen
Hinweis beschränkt... den leider Du nicht durchschaut hast.


Welches besch... plus meinst Du? (...verschweigen zu müssen! ;-)

Bitte ("ich flehe Dich an")... erleuchte uns mit Deinem "+"-Punkt,
der NICHT auf gleichgerichteter Netzspannung liegt - wo isser?

Halte Dich keinesfalls zurück, ich (/wir?) will (/wollen?) ehrlich
gerne etwas dazulernen, falls das hierbei irgendwie möglich ist.