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lt1153.pdf
TPC08 LTC1153 • TPC09 Standby Supply Current Supply Current ON Input ON Threshold Voltage 50 1000 2.4 V = 0V V = 5V 45 IN 900 IN 2.2 V 40 800 E 2.0 A A A ( 35 (700 L 1.8 N 30 N600 V 1.6 R R D U 25 U500 O 1.4 C C S VS= 5V L 20 L400 R 1.2 P P VS= 12V H VS= 18V S 15 V = 18V S300 T 1.O 10 S 200 P 0.8 V =
in „TPS61175 Overccurent Protection Mode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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04_TLV272CDR.pdf
4 3 ) SR - z 3.5 2.5 H VDD= 10 V SR + t 3 V = 5 V c DD s 2 d 2.5 / r VDD = 2.7 V ( h 2 t 1.5 d R w w n 1.5 l a S 1 AV= 1 n 1 R = 10 kW a L G 0.5 0.5 CL= 50 pF TA= 25°C 0 0 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 80
in „TLV272 Rail to Rail Problem DIODES“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schaltplan.pdf
1 C10µF R1R R%42 TPA3255 C1 1 35V C2 2 25V C3 3 100V C4 4 100V C5 5 25V 4 C1 9 1 3 1 7 2 100x200 2 0805 2 0805 2 0805 2 0805 C100nF C100nF C 10µF 21C 2X2C 2X3C 2X4C 2X5C C9 9 100V Z C13 1 100V C17 1 25V 2 0805 3 0805 7 0805 2X9C 231C 2Z1C 1
in „TPA3255, Fehler LED nach 1s“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LP171WP4-TLB3.pdf
5N JOH▯*EFOUJGJDBUJPO▯▯▯X BT▯OPU▯VTFE ▯ ▯ ▯▯▯▯ ▯▯▯▯ ▯▯ 4UBOEBSE▯5N JOH▯*EFOUJGJDBUJPO▯▯▯X BT▯OPU▯VTFE ▯ ▯ ▯▯▯▯ ▯▯▯▯ ▯▯ 4UBOEBSE▯5N JOH▯*EFOUJGJDBUJPO▯▯▯X BT▯OPU▯VTFE ▯ ▯ ▯▯▯▯ ▯▯▯▯ Ver. 1.0 Jun. 25, 2007
in „Ansteuerung eines Panels (LP171WP4-TLB3)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MAX4617-MAX4619.pdf
using a Channels (single +5V supply) X single +5V supply. Guaranteed Low Off-Leakage Current: 4 1nA at +25°C 6 Guaranteed Low On-Leakage Current: 1 1nA at +25°C 8 +2V to +5.5V Single-Supply Operation M TTL/CMOS-Logic Compatible ________________________Applications Low Crosstalk: <-96dB A Battery-Operated
in „CMOS analog multiplexer MAX4619“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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TL431A_432A.pdf
TEMPERATURE 2600 5 V = V R1 = 10 kΩ 2580 KA ref R2 = ∞ KA = 10 mA Vref= 2550 mV‡ IKA = 10 mA m 2560 4 − µ e 2540 − a n l r 3 V 2520 u c V = 2495 mV ‡ C n 2500 ref c r e e 2480 e 2 R e f R r 2460 f V ‡ I 2440 Vref= 2440 mV 1 2420 0 240−75 −50 −25 0 25 50 75 100 125 −75 −50 −25 0 25 50 75 100 125 T − Free-Air
in „Spannung mit Bezug +Ub messen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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XLampXT-E.pdf
BY DATE APP'D FO R M A TIO N O F C R E E , IN C . TH IS P LO T +.10 +.0039 IE D , R E P R O D U C E D O R D IS C LO S E D TO A N Y 2.38 .0937 Ko E R S O N W ITH O U TTH E W R ITTE N C O N S E N T 10.25 12.30 [.484] +.10 4.39 [.173
in „Verkaufe Restbestände Cree LEDs XT-E XTEAWT-00-0000-00000BFE4“ · Markt ·
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STS7C4F30_STripFET.pdf
STS7C4F30L N-CHANNEL 30V - 0.018 - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 - 4A SO-8 STripFET™ POWER MOSFET TYPE V DSS RDS(on) D STS7C4F30L(N-Channel) 30 V <0.022 7 A STS7C4F30L(P-Channel) 30 V <0.080 4 A ■ TYPICAL R
in „[S] STS7C4F30L StripFET“ · Markt ·
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Endsufe_class_d.pdf
/2.6C B R26 0V 0V C C k 0 1 R 3 IC8B 1N4148DO35-7 6 FET_DRIVER_IN_LOW/4.2D D3 4 IC7 TLV3502 7805L 0 3 1 R 0 3 VI VO 1 GND 2 V - D 3 D C18 C19 8 2 47k 100k +C21 2 0 100n 100n +C22 R1 1 R28 R25 10 /25V 10 /25V 1 IC8A 5 7 FET_DRIVER_IN_HIGH/4.2C 2 TLV3502 7 0 C23 R 4 100n -15V E E 1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8 A V A 1 + + C24 C26 KK1 2200 /25V 100n SK104-PAD 0V 0V 0V + C25 C27 2200 /25V 100n B B 5 - FEDDBACK_OUTPUT/1.8C 5 + V 5 8 n C D4 2 7 C R35 C 4 BAT43 4,7
in „Class-D-Verstärker diskret - Lernprojekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Weidezaun_S03_4093.pdf
/1,2A 0,F1ext44743221 RS4BL10087.pdPCB21_GEH85_58_33_I77_52_23+5X24+In R13 1N4D21 R31_10x2M5kV) 2M0 0,25W 200V KS1206 DVM1_500V V , 0V 13 DP2 T2+T3+T4 8 T61_16VABL551 PCB70_50_PAD24_18 SL90Ua1N4007 X22+Out 1ye 100V Ri100k 6 9
in „Weidezaun gegen Schnecken mit Netztrafo und Rohr DN160 für Hobbygärtner“ · Projekte & Code ·
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tps2020_1_.pdf
CHARACTERISTICS TURNON DELAY TIME TURNOFF DELAY TIME vs vs OUTPUT VOLTAGE INPUT VOLTAGE 7.5 18 TA= 25°C TA= 25°C 7 CL= 1 µF C = 1 µF s s L − − e 6.5 e 17.5 i i T T a 6 a e e D D o 5.5 o 17 n n u u T 5 T ) − o f d 4.5 ( 16.5 t t 4 3.5 16 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 VI− Input Voltage
in „DC/DC als Sicherung für AT90USB <-> PC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ADG714_715.pdf
Positive Supply Current REV. D –9– ADG714/ADG715–Typical PerformanceCharacteristics 8 8 VDD = 3V TA= 25 C V = GND 7 VSS= GND 7 SS 6 V = 2.7V 6 DD +85 C +25 C – 5 E 5 C C N VDD = 3.3V N T 4 T 4 I V DD= 4.5V I E E –40 C R 3 VDD = 5.5V R 3 N N O O 2 2 1 1 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VD, VS,
in „Arduino Uno & ADG714 via SPI funktioniert nur sporadisch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lpc2468board.pdf
1 2 3 4 5 6 7 8 Input voltage: 12..24V (9.6..28.8V) V1 A A X1 SS24 N1 1 2 6 2 VIN FB 3 BOOST 3 4 7 C1 ON / OFF 10n L1 733-334 4 DR127-470-R 8 GND 1 GND SW VCC LM2676S-ADJ C2 R1 R2 3.3 V power supply 100n 4k7
in „NXP verschenkt ARM-Chips“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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73493.pdf
Drain Current Capacitance 10 1.8 ) D = 20 A ( 8 e 1.5 VGS = 10 V a VDS = 20 V c o n V s d c 6 VDS = 32 V s z u R a S n m 1.2 t O o e 4 ) ( a ( G D S r 0.9 G 2 V 0 0.6 0 40 80 120 160 200 240 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 175 Q g Total Gate Charge (nC) T J Junction Temperature (°C
in „Messungen mit DMM Dual-Slope Verfahren am PMOS“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SN75468D.pdf
COLLECTOR CURRENT COLLECTOR CURRENT (ONE DARLINGTON) (TWO DARLINGTONS PARALLELED) 2.5 V V 2.5 – – g 2.25 TA= 25⋅C e 2.25 TA= 25⋅C l a II= 250 mA V 2 o 2 n I = 250 mA V i 1.75 I o 1.75 II= 350 mA r II= 350 mA t t r a 1.5 II= 500 mA a 1.5 r S t 1.25 e 1.25 i i II= 500 mA E 1 m 1 r r c 0.75 t e e 0.75 o l
in „SPDIF/PCM über 3W Luxeon LED -> Treiber für MOSFET gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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162399-da-01-en-IRF_4905.pdf
n - 5.0V e - 5.0V r BOTTOM - 4.5V r BOTTOM - 4.5V u 100 u 100 C C e e r r u u S S - - t - n i -4.5V a 10 -4.5V a 10 r r , , D D - - 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T = 25°C T = 175°C 1 c A 1 C A 0.1
in „High Side Switch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF4905_TO220.pdf
n - 5.0V e - 5.0V r BOTTOM - 4.5V r BOTTOM - 4.5V u 100 u 100 C C e e r r u u S S - - t - n i -4.5V a 10 -4.5V a 10 r r , , D D - - 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T = 25°C T = 175°C 1 c A 1 C A 0.1
in „FET Frage (n oder p)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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pcm2912a.pdf
14. Stop Band Characteristic Figure 15. Passband Characteristic 7.6.7 ADC All specifications at T = 25°C, VA BUS = 5 V, f = 4S.1 kHz, f = 1 kHz, anIN16-bit data, unless otherwise noted. 0.010 96 - e o0.009 N B 94 + - o0.008 R SNR r N t d 92 D0.007 a c e Dynamic Range n n m0.006 a a c 90 l m t0.005 n T
in „Impedanzanpassung MAX9814 <-> PCM2912A“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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marantz-sr8200-9200-service-manual.pdf
6 5 1 2 2 5 4 2 A 3 K 1 2 2 5 4 2 A 2 K 1 2 2 5 4 2 A 1 K 1 1 8 0 0 3 100/25V 8 0 0 3 1 8 0 0 3 V 8 8 V 8 10p C199 10p 10p 3 3 C361 3 2 C261 31 C161 K 5 0 3 K 5 0 2 K5 0 1 0 0 0 0 0 0 0 N N N N M M Q 0 0 M M Q 0 1
in „MARANZ RC3200 datenkabel belegung gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ZXM61N02F.pdf
Drain-Source Voltage (V) Output Characteristics Output Characteristics 10 t 1.6 ) VDS10V S RDS(on) A G t V 1.4 n n V =4.5V r 1 a 1.2 ID=0.93A u n C ( i T=150°C D 1.0 r T=25°C R D d 0.8 VGSVDS - 0.1 s I =250µA I a 0.6 r 0.01 o 0.4 VGS(th) 1.5 2.5 3.5 4.5 N -100 0 100 200 V GS - Gate-Source Voltage (V) T - Junction
in „74LS109 Toggelt nicht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage (V) Output Characteristics Output Characteristics 10 t 1.6 ) VDS10V S RDS(on) A G t V 1.4 n n V =4.5V r 1 a 1.2 ID=0.93A u n C ( i T=150°C D 1.0 r T=25°C R D d 0.8 VGSVDS - 0.1 s I =250µA I a 0.6 r 0.01 o 0.4 VGS(th) 1.5 2.5 3.5 4.5 N -100 0 100 200 V GS - Gate-Source Voltage (V) T - Junction
in „ESP8266 Module mit Batterie betreiben - Strom sparen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage (V) Output Characteristics Output Characteristics 10 t 1.6 ) VDS10V S RDS(on) A G t V 1.4 n n V =4.5V r 1 a 1.2 ID=0.93A u n C ( i T=150°C D 1.0 r T=25°C R D d 0.8 VGSVDS - 0.1 s I =250µA I a 0.6 r 0.01 o 0.4 VGS(th) 1.5 2.5 3.5 4.5 N -100 0 100 200 V GS - Gate-Source Voltage (V) T - Junction
in „Wellenlänge Infrarot Leuchtdiode?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage (V) Output Characteristics Output Characteristics 10 t 1.6 ) VDS10V S RDS(on) A G t V 1.4 n n V =4.5V r 1 a 1.2 ID=0.93A u n C ( i T=150°C D 1.0 r T=25°C R D d 0.8 VGSVDS - 0.1 s I =250µA I a 0.6 r 0.01 o 0.4 VGS(th) 1.5 2.5 3.5 4.5 N -100 0 100 200 V GS - Gate-Source Voltage (V) T - Junction
in „3.3V MOSFET ersetzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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nFET_ZXM61N02FTA-1.pdf
Drain-Source Voltage (V) Output Characteristics Output Characteristics 10 t 1.6 ) VDS10V S RDS(on) A G t V 1.4 n n V =4.5V r 1 a 1.2 ID=0.93A u n C ( i T=150°C D 1.0 r T=25°C R D d 0.8 VGSVDS - 0.1 s I =250µA I a 0.6 r 0.01 o 0.4 VGS(th) 1.5 2.5 3.5 4.5 N -100 0 100 200 V GS - Gate-Source Voltage (V) T - Junction
in „ATtiny13A: ESP8266 ein- und ausschalten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage (V) Output Characteristics Output Characteristics 10 t 1.6 ) VDS10V S RDS(on) A G t V 1.4 n n V =4.5V r 1 a 1.2 ID=0.93A u n C ( i T=150°C D 1.0 r T=25°C R D d 0.8 VGSVDS - 0.1 s I =250µA I a 0.6 r 0.01 o 0.4 VGS(th) 1.5 2.5 3.5 4.5 N -100 0 100 200 V GS - Gate-Source Voltage (V) T - Junction
in „richtiger n-Kanal MOSFET, 3,3V soll 5V und 100mA schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage (V) Output Characteristics Output Characteristics 10 t 1.6 ) VDS10V S RDS(on) A G t V 1.4 n n V =4.5V r 1 a 1.2 ID=0.93A u n C ( i T=150°C D 1.0 r T=25°C R D d 0.8 VGSVDS - 0.1 s I =250µA I a 0.6 r 0.01 o 0.4 VGS(th) 1.5 2.5 3.5 4.5 N -100 0 100 200 V GS - Gate-Source Voltage (V) T - Junction
in „RaspiPi mit 3,3V einen 5V Kreis wie schalten?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MC34064.pdf
versus Collector Current ) ( G 400 3.6 T O 380 3.2 V 360 VCC = 5.0 V A2.8 S chg= Idischg ( E 340 T2.4 S 320 E I R2.0 L 300 U N Y1.6 E 280 P R 260 U1.2 C = 1.0 nF C , Pin 7 = V ,) 240 C0.8 CC n I0.4 Pin 2 = Gnd s 220 K 200 0 VI -55 -25 0 25 50 75 100 125 0 5.0 10 15 20 25 30 35 40 T , AMBIENT TEMPERATURE
in „Negative Spannung in positive invertieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf_1404.pdf
175°C 2 www.irf.com IRF1404 1000 VGS 1000 VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V ) 7.0V ) 7.0V t 6.0V ( 6.0V n 5.0V n 5.0V r BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V u u C C c c u u 4.5V S100 o100 o 4.5V o - - i i r r D , ,D D I I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH ° 10 T J 25 C 10 T J 175 C 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS , Drain-to-Source
in „Pulsschweisgerät mit Auto Batt Schaltungs Verbesserung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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top247.pdf
- C3 C14 200 820 µF L1 0.1 µF 19 V BR1 25 V 200 µH 50 V @ 3.6 A RS805 UF4006 8A 600 V C2 C4 RTN D4 820 µF R1 820 µF L2 R11 1N4148 25 V 270 Ω 25 V 820 µH 2 MΩ U2 R4 2A 1/2 W R8 PC817A 31.6 kΩ C1 T1 4.7 Ω 1% 150 µF C15 1 kΩ R5 C6 400 V TOPSwitch-GX
in „Hilfe bei Reparatur SNT Laderegler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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top247.pdf
- C3 C14 200 820 µF L1 0.1 µF 19 V BR1 25 V 200 µH 50 V @ 3.6 A RS805 UF4006 8A 600 V C2 C4 RTN D4 820 µF R1 820 µF L2 R11 1N4148 25 V 270 Ω 25 V 820 µH 2 MΩ U2 R4 2A 1/2 W R8 PC817A 31.6 kΩ C1 T1 4.7 Ω 1% 150 µF C15 1 kΩ R5 C6 400 V TOPSwitch-GX
in „Hilfe bei Reparatur SNT Laderegler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LM2576-D.pdf
1.2 E I = 500 mA E ILoad= 500 mA N 0.6 Normalized at T = 25°C N 1.0 T J 25°C H J A C 0.4 C 0.8 G 0.2 E 0.6 3.3 V, 5.0 V and ADJ T A L 0 L 0.4 V −0.2 V U U 0.2 T −0.4 P 0 12 V and 15 V U U ,t−0.6 ,−0.2 o o V −0.8 V −0.4 −1.0 −0.6 −50 −
in „Platine als Kühlkörper“ · Platinen ·
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LM2576_On.PDF
1.2 E I = 500 mA E ILoad= 500 mA N 0.6 Normalized at T = 25°C N 1.0 T J 25°C H J A C 0.4 C 0.8 G 0.2 E 0.6 3.3 V, 5.0 V and ADJ T A L 0 L 0.4 V −0.2 V U U 0.2 T −0.4 P 0 12 V and 15 V U U ,t−0.6 ,−0.2 o o V −0.8 V −0.4 −1.0 −0.6 −50 −
in „Ruhige negative Spannung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DC02EN.pdf
101.8mm [4] M4 x 6.35 DP20M-11 118.5mm 8.000 mm 25.4 mm 25.0 mm 2.5 mm DP on 27.5 52 mm 8.000 mm 25.4 mm N/A 7.991 mm ±0.76 ±0.13 38.89 mm D.B.C. 7.987 mm ±0.76 DP20M-14 118.5mm ElectroCraft DirectPower™, DirectPower
in „[V] 2 Elektromotoren“ · Markt ·
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infineon-bsb056n10nn3-g-datasheet-en.pdf
-5 10-4 10 -3 10-2 10-1 100 V [V] t [s] DS p ID=f(VDS; T C25 °C; D=0; parameter: t p ZthJCf(p ); parameter: D=tp/T Final Data Sheet 6 Rev. 2.6, 2023-10-12 TM OptiMOS 3 Power-MOSFET, 100 V BSB056N10NN3 G Diagram 5: Typ. output characteristics Diagram 6: Typ. drain-source on resistance 80 12 4.5 V 5 V 6 V 10 V 60 8 ] 5.5 V ] [ 40 4.5 V [ 6 V I n S 7.5 V D 10 V R 4 20 4 V 0 0 0 1 2 3 0 10 20 30 40 50 V DSV] D [A] ID=f(VDS; Tj25 °C; parameter: V GS RDS(on)f(D );jT=25 °C; parameter: VGS Diagram
in „Bauteilsuche Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PSMN5R5-60YS.pdf
2017. All rights reserved Product data sheet Rev. 02 — 24 December 2009 7 of 15 Nexperia PSMN5R5-60YS N-channel LFPAK 60 V, 5.2 mΩ standard level FET 100 003aad812 10−1 03aa35 ID ID (A) (A) min typ max 80 10−2 60 10−3 40 10−4 Tj= 175 °C Tj= 25 °C 20 10−5 0 10−6 0 2 4 6 0 2 4 6 V GS (V) VGS (V) Fig 9. Transfer
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mig_v3_4.ucf
IOSTANDARD = SSTL18_II; NET "ddr2_dm[*]" IOSTANDARD = SSTL18_II_DCI; NET "sys_clk_p" IOSTANDARD = LVPECL_25; NET "sys_clk_n" IOSTANDARD = LVPECL_25; NET "clk200_p" IOSTANDARD = LVPECL_25; NET "clk200_n" IOSTANDARD = LVPECL_25; NET "sys_rst_n" IOSTANDARD = LVCMOS18; NET "phy_init_done" IOSTANDARD = LVCMOS18
in „DDR2 RAM Ansteuerung mit Virtex-5 ML507“ · FPGA, VHDL & Co. ·
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MAT14.pdf
SmallSignalOutputConductancevs.CollectorCurrent Rev.A | Page 5of 12 MAT14 10 200 160 ) ( z E H G 1 / T n 120 O ( V S 100kΩ N I I N T TA= 125°C L 80 R T U 0.1 O A T S 10kΩ 40 TA = 85°C TA= 25°C 1kΩ 0.01 0 0.01 0.1 1 10 100 0 0.001 0.01 0.1 1 0 4 4 COLLECTOR CURRENT (mA) 9 COLLECTOR CURRENT (mA) 9 0 0 Figure8
in „Transistorarray mit 3 differentiellen (NPN) Pärchen gesucht.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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X7R_Datenblatt.PDF
J Q 0.33 N N N N J J M P Q 0.47 N N N N M M M P Q 0.68 N N N M M Q Q Q 1.0 J J N N N M M Q Q Q 1.5 P Q Q 2.2 J P Q Q Q 3.3 4.7 P P Q Q Q 10 P Q Q 22 Q 47 100 WVDC 10 16 25 16 25 50 6.3 10 16 25 50 100 200 6.3 10
in „Vielschicht statt Elko + Keramik“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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XC6216.pdf
Input Voltage (Continued) XC6216B/D502 XC6216B/D502 VI=7.0V 10 10 9 9 ) 8 ) 8 u u ( 7 μ 7 S S : 6 : 6 n n ur 5 e 5 C u l 4 C 4 p l u 3 p 3 S Ta=-40℃ S 2 2 Ta=25℃ 1 1 Ta=85℃ 0 0 0 4 8 12 16 20 24 28 -40 -20 0 20 40 60 80 100 IInput Voltage:IN(V)V) Ambient Temperature: Ta℃() XC6216B/DC02 XC6216B/DC02 10 VIN=14.0V 10 9 9 8 A ) 8 μ 7 u S S 7 : 6 S n t 6 e 5 e 5 u r C 4 C 4 p l u 3 p 3 S Ta=-40℃ S 2 2 Ta=25℃ 1 Ta=85℃ 1 0 0 0 4 8 12 16 20 24 28 -40 -20 0 20 40 60 80 100 IInput VoltageI ( )(V) Ambient Temprature: ℃a)( (5) Output Voltage vs. Ambient
in „Suche Spannungsregler mit kleinem Ruhestrom <<2mA“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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XC6216.pdf
Input Voltage (Continued) XC6216B/D502 XC6216B/D502 VI=7.0V 10 10 9 9 ) 8 ) 8 u u ( 7 μ 7 S S : 6 : 6 n n ur 5 e 5 C u l 4 C 4 p l u 3 p 3 S Ta=-40℃ S 2 2 Ta=25℃ 1 1 Ta=85℃ 0 0 0 4 8 12 16 20 24 28 -40 -20 0 20 40 60 80 100 IInput Voltage:IN(V)V) Ambient Temperature: Ta℃() XC6216B/DC02 XC6216B/DC02 10 VIN=14.0V 10 9 9 8 A ) 8 μ 7 u S S 7 : 6 S n t 6 e 5 e 5 u r C 4 C 4 p l u 3 p 3 S Ta=-40℃ S 2 2 Ta=25℃ 1 Ta=85℃ 1 0 0 0 4 8 12 16 20 24 28 -40 -20 0 20 40 60 80 100 IInput VoltageI ( )(V) Ambient Temprature: ℃a)( (5) Output Voltage vs. Ambient
in „Suche Linearregler 5V für ca. 100uA minimal / 100mA max.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LT1638.pdf
Voltage Density vs Input Noise Current Density 0.1Hz to 10Hz Noise Voltage Frequency vs Frequency 70 4.5 V = ±2.5 z z S √ √ 4.0 ) V 60 A I ( ( 3.5 / T 50 I n S S 3.0 0 E E ( D 40 T 2.5 G G N T T R 2.0 O O 30 U V V C 1.5 I I 20 I O O O 1.0 N T T U 10 P 0.5 I I 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 10 100 1k 1 10
in „OPAMP Differenzverstärker - max. Einganggsspannung?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Amilo_Core_Erzeugung.pdf
/25V_0603 10u/25V_1206 10u/25V_1206 1u/25V_0805 4 3 Z2608 Z2613 0.22u/10V 0603 + X5R/X6S X5R/X6S PR66 PU8 X7R 4 G 4 G 4 G PC105 4 3 100K S S S 10u/25V_6.3*7 ON PU14 OS-SC CORE_GND 28 GND EN 27 59_EN 2 BOOT
in „Laptop geht nicht an: MOSFET 4C06N?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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behringer_eurolive_b112d_sm.pdf
R21 2k05 D5 9 6 1k5 2 WIRELESSOUT 10 + 7 4k7 - C34 C37 4V7 D R187 6 - C158 C63 D 4580 1 R89 470p 680p 2n2 LIMIT 2 1 2 2u2/25 IC4-A 4580 7 X9 +15VB WIRELESSA G G C39 C27 C8 C14 2 2 IC4-B 1k C25 C43 R42 2 2.0 2P 10u 2R24 2 R25 3 + R67 3n3 47p 2 100n 470p 470p 5 47/25 3n3 15n 2 1 10k + C33 CGND DGND R30 4n7 T22 1k1 13 6 n 8 0 CGND 3326 C159 R15 22k - 1 1 R 1 R86 6 k 1n 17k4 k k 0 0 C 1k 4 0 7 1 R43 IC13-D 14 R70 2 R147 1R79 1 4R75 LD9 DGND C 1 R
in „Behringer B112D Funktionsweise Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF_1404_S.pdf
n 5.0V n 5.0V r BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V u u C C c c u u 4.5V S100 o100 o 4.5V o - - i i r r D , ,D D I I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH ° 10 T J 25 C 10 T J 175 C 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS , Drain-to-Source
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ne25139.pdf
V,DI= 10 mA model parameters on page 1. D NE25139 TYPICAL COMMON SOURCE SCATTERING PARAMETERS (TA= 25°C) j50 +90˚ j100 +12˚ +60˚ j150 j10 +150˚ +30˚ j250 S22 S12 0 10 10 50 100 150 2501 GHz S11 –18˚ S21 4 GHz .5 .10 .15 .20 .25 0˚ S11 .1 GHz .1 GHz .1 GHz 4 GHz 1.0 D -j10 S22 -j250 -15˚ 1.5 -3˚ 4 GHz
in „GaAs NE25139 ersetzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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9501_CNC_MACHINE_WIRING_R2.pdf
Z-AXIS_A.SCH Prototype Production BOM Done? FileZ-AXIS_A.SCH Sheet1 of 6 Requires TGL-017 Font 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 LEFT GANTRY BASE COMPARTMENT 6.3V, 0.2A PART OF FRONT PANEL D3 T1 S1 47uF, 25V 1N4007 C8 R9 47uF, 25V D C4 D2 10K D 1N4007 SPINDLE POWER (INT FUSED) POWER ENTRY AND SWITCH Q1/3 J1 IRFZ44
in „EMI Probleme mit Endschaltern von Fräse“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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mc33063a.pdf
CC= 5 V 1.7 VCC = 5 V Pin 7 = CC c ) Pin 1, 7, 8 CCV Pin 5 = GND i ( 1.6 Pin 3, 5 = GND h S g T = 25°C i ) T A 25°C t t 1.5 A w s 100 tON p o t ( u V 1.4 u e , o t T T a 1.3 O f OFF S u F O E a 1.2 F n 10 V S N O 1.1 t 110 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1 0.01 0.1 1 10 IE, Emitter Current (A) CT
in „boost-converter“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Lenovo_schematic.pdf
PCIE4 PERP4 USB3RN2 F18 7 2 PCH_GPIO6 CC24 1 2 .1U_0402_10V6-K PCIE_PTX_DRX_N4 B29 USB3RP2 6 3 PCH_GPIO65 {40} PCIE_PTX_C_DRX_N4 CC25 1 2 .1U_0402_10V6-K PCIE_PTX_DRX_P4 A29 PETN4 B33 +3VS 5 4 PCH_GPIO7 {40
in „Pin Belegung bei dem Chip“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DELL_VOSTRO_3300__WIstron_Winery13_MB_DIS_.pdf
VAXG V VDDQ W7 G 3 4 3 4 - - AH19 VAXG 5 VDDQ W4 P P P P P G G AH18 VAXG . VDDQ U1 P P AH16 VAXG 1 VDDQ T7 R VDDQ T4 - VDDQ P1 +1.05V_VTT E VDDQ N7 VDDQ N4 W 3 VDDQ L1 J24 VTT1 F R VDDQ H1 J23 VTT1 I O D 1 1 H25 VTT1 D C1308
in „Bios programmieren mit Dual Bios Main.Bin und EC.Bin ?“ · Softwareentwicklung ·
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AFGHL75T65SQDC-D.PDF
operated under different conditions. www.onsemi.com 3 AFGHL75T65SQDC TYPICAL CHARACTERISTICS 300 300 T = 25°C 20 V 10 V T = 175°C 20 V A C A C ( 250 ( 250 N 15 V V = 8 V N 15 V 10 V E GE E R 200 R 200 U 12 V U 12 V C C V = 8 V R 150 R 150 GE T T C C L 100 L 100 L L C C C 50 C 50 I I 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3
in „PV Wechselrichter startet nicht mehr und verursacht Kurzschluss bzw. hohen Strom“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·