Hallo Zusammen, Ich möchte an den 3,3V Ausgang eines ESP32 über MOSFETs verstärken. Siehe auch hier: Beitrag "ULN2803A Alternative mit geringerer U_CE" In manchen Forenbeiträgen habe ich in Nebensätzen gelesen, dass man z.B. auch ein 74HCT04 verwenden kann um die 5V zu erreichen und dann MOSFETs wie den IRLB8721 direkt (ohne Widerstände) anschließen kann. Frequenz ist max. 1kHz, Strom 500mA je Kanal. Hat jemand Erfahrung damit? Oder gehen die 74HCT04 zu schnell kaputt? Echte MOSFET Treiber möchte ich nicht verwenden, da diese meist teurer als der FET selbst sind. Gruß Niklas
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Das geht. Ich würde eher MOSFETs suchen, die schon bei 2.5-2.8V sicher durchschalten.
Niklas T. schrieb: > Echte MOSFET Treiber möchte ich nicht verwenden, da diese meist teurer > als der FET selbst sind. Das ist aber ein eher albernes Argument. Sowas gilt nur für Leute, die ein Allerbilligst-Produkt zum einmaligen Verbrauch wie z.B. eine Flackerkerze aus Wachs oder ne dudelnde Geburtstagskarte konzipieren. Hab gead mal geschaut: TC4427: 10 Stück für $2.18 - ist das billig genug? Ja, ist es. Die TC4420 sind noch nen Tick billiger und die TC4429 zu je $0.24 nur unwesentlich teurer. W.S.
Niklas T. schrieb: > In manchen Forenbeiträgen habe ich in Nebensätzen gelesen, dass man z.B. > auch ein 74HCT04 verwenden kann um die 5V zu erreichen Wie überaus albern. Eben waren dir Einzel-MOSFET noch zu groß, weswegen du unbedingt integrierte Mehrkanal-Treiber suchtest. Und jetzt willst du Einzel-MOSFET und noch ein IC als Treiber verwenden? Es gibt jede Menge MOSFET, die mit 3.3V Ansteuerung deine 500mA ganz problemlos schalten können. Z.B. IRLML2502, wurde schon mehrfach genannt. 8 Stück davon in SOT-23 sind auch nicht größer als ein ULN2803. > und dann MOSFETs > wie den IRLB8721 direkt (ohne Widerstände) anschließen kann Man kann MOSFET-Gates immer schon ohne Serienwiderstand ansteuern. Und auch ohne extra Treiber direkt mit CMOS-Ausgängen. Ein eventuell verwendeter Widerstand dient nicht der Strombegrenzung, sondern ist eine ESD-Maßnahme.
Niklas T. schrieb: > Hat jemand Erfahrung damit? Ja, das geht problemlos. >Oder gehen die 74HCT04 zu schnell kaputt? Nein, die lächeln darüber. Beitrag "Re: Transistor, 1A, 4MHz Schaltfrequenz" Die Ausgänge des AVRs sind mit denen der 74er Serie vergleichbar.
Axel S. schrieb: > Ein eventuell > verwendeter Widerstand dient nicht der Strombegrenzung, sondern ist > eine ESD-Maßnahme. Ich würde immer noch einen Serienwiderstand als EMV Maßnahme und Pulldown zur Sicherheit im Reset-Fall vorsehen. schönen Gruß, Alex
Alex schrieb: > Axel S. schrieb: >> Ein eventuell >> verwendeter Widerstand dient nicht der Strombegrenzung, sondern ist >> eine ESD-Maßnahme. > > Ich würde immer noch einen Serienwiderstand als EMV Maßnahme Oops. EMV, nicht ESD. Meinte ich auch. Kann man machen, muß man nicht. Ein CMOS-Ausgang hat so um die 30Ω Ausgangswiderstand. Der begrenzt die Flankensteilheit in Verbindung mit der Gate-Kapazität ganz allein. > und Pulldown zur Sicherheit im Reset-Fall vorsehen. Kann man machen. Kommt drauf an, womit man die MOSFET ansteuert. Wenn das µC-Ausgänge sind, die floaten können - dann ja. Normale Logikausgänge von Gattern, Flipflops oder Schieberegistern brauchen diesen Angstwiderstand nicht.
Niklas T. schrieb: > Hat jemand Erfahrung damit? Oder gehen die 74HCT04 zu schnell kaputt? Ja, geht ohne Weiteres. Ich würde allerdings eventuell 100Ω zwischen IC und Gate legen um die Versorgungsspannung zu entlasten. Ohne diese fließen recht hohe Spitzenströme (um 50mA) die sich bei vielen gleichzeitig geschalteten MOSFET aufaddieren.
Axel S. schrieb: > Eben waren dir Einzel-MOSFET noch zu groß, weswegen > du unbedingt integrierte Mehrkanal-Treiber suchtest. Das war wahrscheinlich ein Missverständnis. Zu groß waren sie mir nicht. Es ging mir um die Einfachkeit des Aufbaus und zu lernen, was es für ICs gibt. Ich hab z.B. etwas aus 10 Transistoren zusammengelötet, um später zu sehen, dass es dafür ein IC gibt. Soetwas wollte ich vermeiden. W.S. schrieb: > Niklas T. schrieb: >> Echte MOSFET Treiber möchte ich nicht verwenden, da diese meist teurer >> als der FET selbst sind. > > Das ist aber ein eher albernes Argument. Ja, das stimmt. Wenn aber ein Ausgang eines 74xx reicht, dann wäre es dennoch unnötig einen MOSFET-Treiber zu installieren. Ansonsten danke für die positiven Rückmeldungen.
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Stefan ⛄ F. schrieb: > Ja, geht ohne Weiteres. > > Ich würde allerdings eventuell 100Ω zwischen IC und Gate legen um die > Versorgungsspannung zu entlasten. Ist eine Möglichkeit. Ein Kondensator am IC könnte vielleicht auch helfen?
Niklas T. schrieb: > Ist eine Möglichkeit. Ein Kondensator am IC könnte vielleicht auch > helfen? Ja
Stefan ⛄ F. schrieb: > Ja, geht ohne Weiteres. Mich irritieren die Ausgangsdaten, letzte Tabelle auf Seite 3: VOH High-Level Output Voltage, wieso Strom mit negativem Vorzeichen? Die Pegel: Wenn der bei 4mA schon 700mV Abfall hat, wie soll er dann die G-S-Kapazität des FET zügig aufladen? IOH = -20μA 4.4 V / IOH = -4mA 3.80 V Wird das wirklich ein FET-Treiber oder eher eine grenzwertige Bastelei?
Manfred schrieb: > wieso Strom mit negativem Vorzeichen? Weil er in beide Richtungen fließen kann. Aus dem Chip heraus oder in den Chip hinein. > wenn der bei 4mA schon 700mV Abfall hat, wie soll er dann die > G-S-Kapazität des FET zügig aufladen? Zügig ist relativ. Neben einem dedizierten MOSFET Treiber sieht Chip jedenfalls schwach aus. Dafür ist er ja auch nicht gemacht worden. Immerhin kann er deutlich mehr Strom liefern, als ein Raspi oder ESP. In der Praxis sind die Chips oft sehr viel stärker, als das Datenblatt verspricht. Nur garantiert das keiner.
> Die Pegel: Wenn der bei 4mA schon 700mV Abfall hat, wie soll er dann die > G-S-Kapazität des FET zügig aufladen? Ich würde hier eher etwas aus der 74-ACT-Reihe empfehlen: bei +/- 24 mA sind es da ca 400 mV Abfall.
Falk B. schrieb: > Die Ausgänge des AVRs sind mit denen der 74er Serie vergleichbar. Die Ausgänge normaler 74HC Gatter - keine Bustreiber - sind schwächer als die von AVRs oder dem ESP32, um den es hier geht. Die Ausgänge vom ESP32 bieten immerhin 40mA.
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Manfred (Gast) schrieb: >Die Pegel: Wenn der bei 4mA schon 700mV Abfall hat, wie soll er dann die >G-S-Kapazität des FET zügig aufladen? >IOH = -20μA 4.4 V / IOH = -4mA 3.80 V Das sind die garantierten Werte. IdR. sind die deutlisch besser. >Wird das wirklich ein FET-Treiber oder eher eine grenzwertige Bastelei? Ob das grenzwertig wird, hängt klar von Deinen Anforderungen ab. Wenn Du nur 1kHz schalten willst, dann sind auch die Schaltflanken weniger kritisch als bei 100kHz. Man muß z.B. auch nicht gerade den dicksten Mosfet nehmen, nur um 500mA schalten zu wollen. Ein IRLB8721 erscheint da schon etwas überdimensioniert. Je weniger Gatekapazität der hat, um so schneller geht es beim Umschalten mit so einem HCT04.
Manfred schrieb: > Wird das wirklich ein FET-Treiber oder eher eine grenzwertige Bastelei? HC(T) ist die schwächste aller Logikfamilien. Stärkere Ausgangstreiber hast du mit AHC(T), LV-AT, oder AVC(T). Und bei CMOS-Logik kannst du einfach mehrere Ausgänge parallel schalten.
Das wirkt vom Ansatz ein wenig verquer. Ein TO220-Monster einzusetzen, um 500mA zu schalten, ist mit Kanonen auf Spatzen geschossen. Erst recht, wenn man davon, wie im anderen Thread genannt, 15 Stück einsetzen will. Wobei ebendieses TO220-Monster überhaupt erst das Problem mit der Ansteuerung verursacht, während der oben genannte IRLML2502 nicht nur viel Platz spart, sondern sich auch problemlos direkt durch den ESP32 ansteuern lässt.
Ich dachte, ich hätte mal geschrieben, dass ich SMD-Bauteile vermeiden möchte. Offensichtlich habe ich das vergessen :/ Ich habe nicht das Equipment, um damit arbeiten zu können. Daher kann ich auch keinen IRLML2502 verwenden.
Für das SOT23 Gehäuse des IRLML brauchts nur eine Pinzette und sowas gibts sehr günstig.
>Ich dachte, ich hätte mal geschrieben, dass ich SMD-Bauteile vermeiden >möchte. Offensichtlich habe ich das vergessen :/ Ich habe nicht das >Equipment, um damit arbeiten zu können. Daher kann ich auch keinen >IRLML2502 verwenden. Du brauchst kein Equipment, um solch grobe SMD-Teile löten zu können. Ich löte bis jetzt alles mit einer normalen 3mm breiten Lötspitze mindestens bis 0603 runter, solange noch zw. den Teilen genug Platz ist.
Ich könnte mal den empfohlenen FET testen. Vermutlich ist aber schon mein Lötzinn mit 1mm zu dick. Und wie ich das sinnvoll auf eine Lochrasterplatine mit 2,54mm Raster bekommen soll ist mir auch noch ein Rätsel. Wahrscheinlich sollte ich mir bei diesem Modell auch noch eine ESD Unterlage besorgen. Wenn der Elektronikhänder um die Ecke den FET hat, werde ich es trotzdem mal testen. Im schlimmsten Fall sind ein paar Cent kaputt. Andernfalls hab ich wieder was gelernt.
>Ich könnte mal den empfohlenen FET testen. Vermutlich ist aber schon >mein Lötzinn mit 1mm zu dick. Und wie ich das sinnvoll auf eine >Lochrasterplatine mit 2,54mm Raster bekommen soll ist mir auch noch ein >Rätsel. Wahrscheinlich sollte ich mir bei diesem Modell auch noch eine >ESD Unterlage besorgen. Du stellst Dich wieder an. 1mm Lötzinn ist gut genug, und ESD-Matte brauchst Du hier genauso wenig wie bei einem Mosfet in TO220. Die Dinger sind nicht automatisch empfindlicher, bloß weil die kleiner sind ...
Das geht mit 1mm Zinn und auf Lochraster passt es auch wenn man es etwas schräg einlötet.
Beitrag "Re: Probleme 7-Segment-Anzeige an ATTiny2313" Beitrag "SMD ( 0603 SOT-23 Mini MELF ) ; Tipps zum Löten auf Lochraster 1,27 mm"
Niklas T. schrieb: > Ich dachte, ich hätte mal geschrieben, > dass ich SMD-Bauteile vermeiden möchte. Der Witz ist eben, dass die kleinen FETs weniger Kapazität am Gate haben und damit problemärmer anzusteuern sind - deshalb werden sie Dir empfohlen. Mw E. schrieb: > Für das SOT23 Gehäuse des IRLML brauchts nur eine Pinzette Der braucht auf der Lochrasterplatte nicht weniger Platz als ein TO-220. Als TO-220 mal den IRF3708 genauer angucken, dessen Gate-Ladung ist zwar rund dreimal so hoch wie beim IRLML2502 - bei 'nur' 1kHz sollte der aber passen.
Angehängte Dateien:
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SO_auf_LR.jpg
72 KB
Niklas T. schrieb: > Und wie ich das sinnvoll auf eine Lochrasterplatine > mit 2,54mm Raster bekommen soll
Danke Manfred für das Bild. Das sieht machbar aus:)
Niklas T. schrieb: > Ich könnte mal den empfohlenen FET testen. Vermutlich ist aber schon > mein Lötzinn mit 1mm zu dick. Und wie ich das sinnvoll auf eine > Lochrasterplatine mit 2,54mm Raster bekommen soll ist mir auch noch ein > Rätsel. Löte die Bauteile einfach zwischen die Kupfer-Pads und sei sparsam mit dem Lötzinn. So ein FET hat nur 3 Pins.
Axel S. schrieb: > Oops. EMV, nicht ESD. Meinte ich auch. Kann man machen, muß man nicht. > Ein CMOS-Ausgang hat so um die 30Ω Ausgangswiderstand. Der begrenzt die > Flankensteilheit in Verbindung mit der Gate-Kapazität ganz allein. Ich schätze mal, du hast das Problem nicht erkannt. Also: wenn dein µC einen kräftigen Ausgangstreiber an seinem Pin hat, dann kann dieser auch kräftig ziehen. Soweit klar, gelle? Aber was passiert dabei an den anderen Pins des µC? Je nach Richtung des Ziehens gibt es einen Peak auf der GND-Leitung, der sich störend auf jeden ADC im Chip oder auf andere chipinterne Peripherie auswirkt - oder es gibt einen Peak (nach unten) auf der VCC, der im schlimmsten Fall den Brownout-Detektor ansprechen läßt. Sicherlich kann man das alles durch gutes Layout und ebenso gutes Abblocken der Versorgung kleinkriegen, aber so richtig weg kriegt man es nicht. Nun ist es an dir, zu überlegen, ob dein Chip in seinen sonstigen Betätigungen damit zurechtkommt oder sich hie und da gestört fühlt. Das ist das Problem, dem man durch einen Widerstand in der Gateleitung begegnet. Je fetter der FET ist, desto kritischer ist das. Abgesehen davon kann man mit schwachen Treibern auch nur langsam schalten. Da mußt du eben auch sehen, was dir ausreicht. W.S.
Beitrag #6360607 wurde vom Autor gelöscht.
Niklas T. schrieb: > Daher kann ich auch keinen IRLML2502 verwenden. Dann lerne es, sot23 geht sogar auf Lochraster, und es gibt schicke Adapterplatinen um aus sot23 ein TO92 zu machen. https://www.ebay.de/itm/SMD-Adapterplatinen-Breakout-SOT23-3-SOT23-6-SOT323-SOT353-DIP-Stiftleiste/283526501381 Niklas T. schrieb: > Wenn der Elektronikhänder um die Ecke den FET hat Sicher nicht, das ist eine Dönerbude.
Beitrag #6360649 wurde von einem Moderator gelöscht.
Niklas T. schrieb: > Ich dachte, ich hätte mal geschrieben, dass ich SMD-Bauteile vermeiden > möchte. Offensichtlich habe ich das vergessen Nein, du hast etwas ganz anderes vergessen bzw. nicht wirklich im Blick: 1. Es gibt heutzutage eine Riesenmenge an wirklich guten modernen Bauteilen, die man früher eben nicht hatte - und diese Bauteile gibt es aus verschiedenen Gründen eben fast nur noch in SMD. Wenn du das ausschlägst, dann beschränkt sich deine Betätigung auf historische Technik und du hast damit den Anschluß an die Moderne verloren. Siehe hier deine Frage nach einem Gatetreiber für FET's. Sowas gibt es seit langem als fertige und zweckmäßige Chips, man muß sie nur zur Kenntnis nehmen und deren Sinn verstehen. Wozu also einen 74HCT04 auf die LP packen, anstatt ein für die Aufgabe vorgesehenes Bauteil zu nehmen? 2. Das schiere Verwenden von solchen modernen Bauteilen ist in der Elektronik nur die halbe Sache. Die andere Hälfte besteht aus moderner Schaltungstechnik UND einem der Sache angepaßten Layout einer Leiterplatte. Das Basteln mit Steckbrett oder Lochrasterplatte geht für einfache Dinge ja, aber wenn es wirklich ernst wird, dann ist eine richtige LP fällig. Man sieht das ja an dieser Diskussion hier, wo einfach nicht darüber nachgedacht wurde, was ein potenter Pintreiber im µC auf GND oder VCC anrichtet, wenn die Leitungen zum µC nur aus irgendwelchen langen Drähten auf der Lochrasterplatte bestehen. Man hat es bei Schaltzeiten im Nanosekundenbereich eben nicht mehr mit langsamer NF-Technik zu tun. 3. Altbauteile sind an manchen Stellen drastisch schlechter als wertgleiche SMD Bauteile. Ich hatte das meinen Kollegen vor Jahren schon mal demonstriert anhand eines 100 nF Abblock-Kondensators in bedrahtet versus SMD. Sich partout auf bedrahtetes Zeugs zu versteifen ist erwiesenermaßen eine prächtige Quelle für das Auseinanderfallen von Absicht und Realisierung, weil der als gut gedachte Abblock-Kondensator tatsächlich wie eine Reihenschaltung aus 100nF+100Ohm+1µH wirkt. Fazit: Du hast die Wahl, entweder bei Bedrahtetem zu bleiben und das, was du dir vorgenommen hast, einfach nicht sauber realisieren zu können - oder deinen Widerwillen gegen SMD und eine richtig gestaltete Leiterplatte aufzugeben. W.S.
W.S. schrieb: > Ich hatte das meinen Kollegen vor Jahren schon > mal demonstriert anhand eines 100 nF Abblock-Kondensators in bedrahtet > versus SMD. Wobei auch solche Bauteile prima als SMD unten auf Lötpunktraster passen. Beispielsweise im Technologie-Mix direkt zwischen die Pins einen althergebrachten DIP-Gehäuses, wenn dessen Pinout schlau genug konzipiert wurde.
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Niklas T. schrieb: > Frequenz > ist max. 1kHz, Strom 500mA je Kanal. Am wichtigsten ist die umzuladende Spannung. Bei nur 24V ist das kein Problem, da reicht der 74HCT04 dicke. Bei einem Schaltregler für 400V sieht das aber ganz anders aus. Du mußt die Kapazität zwischen Gate und Drain mit dieser Spannung umladen.
Ein HCT erwartet TTL-Pegel am Eingang.
Marek N. schrieb: > Ein HCT erwartet TTL-Pegel am Eingang. Ja und? Genau deswegen hat er den ja gewählt.
Stefan ⛄ F. schrieb: >> Ein HCT erwartet TTL-Pegel am Eingang. > > Ja und? Genau deswegen hat er den ja gewählt. Eben. Ein Pegelwandler und Treiber in einem, dazu noch 6 Stück im SO14 Gehäuse ;-)
Marek N. schrieb: > Ein HCT erwartet TTL-Pegel am Eingang. Der HC T weicht davon ab, guckst Du Datenblatt Beitrag "Re: 74HCT04 als Treiber für MOSFET mit geringer Gate-Kapazität" Das vom Forum automatisch verlinkte Nexperia Datenblatt führt leicht in die Irre, weil dort der HC und HCT gemeinsam beschrieben sind.
Das T in HCT steht für TTL und genau das braucht der TO auch, wegen der 3,3V Pegel seiner Quelle.
by the way. Wenn man noch einige RS232 Schnittstellentreiber rumliegen hat, könnte man die zweckentfremden, für einige 10 kHz sollte das doch gehen und gleich mal eine etwas höhere Spannung für Gate parat.
So, werde jetzt passende FETs bestellen. Es sollte auch der IRLML6346 funktionieren, oder? Der hält 30V aus. Dann wäre ich auch für 24V Projekte gerüstet. Was für einen Gate-Source Angstwiderstand würdet ihr empfehlen (den Microcontroller kann man abziehen, und dann würden die Eingänge in der Luft hängen). Sind 100k ok?
Niklas T. schrieb: > Was für einen Gate-Source Angstwiderstand würdet ihr empfehlen (den > Microcontroller kann man abziehen, und dann würden die Eingänge in der > Luft hängen). Sind 100k ok? Wenn du einen Treiber hast, nützt dir eine Gate-Source Widerstand gar nichts. Bestenfalls der Treiber braucht am Eingang einen Pull Up/down Widerstand. 100k sind OK, wenn gleich ich eher zu 10k tendieren würde.
Falk B. schrieb: > Wenn du einen Treiber hast, nützt dir eine Gate-Source Widerstand gar > nichts. Stimmt:) Nach dem ich aber alles gelesen habe, möchte ich es ohne Treiber machen. Und einen passenden FET direkt am MC anschließen, daher ein Gate-Source Widerstand als ESD-Schutz.
Niklas T. schrieb: > Stimmt:) Nach dem ich aber alles gelesen habe, möchte ich es ohne > Treiber machen. Und einen passenden FET direkt am MC anschließen, daher > ein Gate-Source Widerstand als ESD-Schutz. Und nix verstanden. Ein Widerstand zwischen Gate und Source schützt nicht vor ESD und verbessert auch nicht die EMV. Er verhindert nur ein undefiniertes Einschalten des MOSFETs, wenn der Mikrocontroller nicht angeschlossen oder im Reset ist.
Falk B. schrieb: > Niklas T. schrieb: >> Stimmt:) Nach dem ich aber alles gelesen habe, möchte ich es ohne >> Treiber machen. Und einen passenden FET direkt am MC anschließen, daher >> ein Gate-Source Widerstand als ESD-Schutz. > > Und nix verstanden. Ein Widerstand zwischen Gate und Source schützt > nicht vor ESD und verbessert auch nicht die EMV. Nun sei mal nicht so hart mit ihm. Er zeigt ja immerhin Lernbereitschaft. Leider ist das keineswegs mehr selbstverständlich. > Er verhindert nur ein > undefiniertes Einschalten des MOSFETs, wenn der Mikrocontroller nicht > angeschlossen oder im Reset ist. Ich denke, das hat er schon verstanden: Niklas T. schrieb: > (den Microcontroller kann man abziehen, und dann würden die > Eingänge in der Luft hängen) Und ein bißchen ESD Schutz bietet ein Ableitwiderstand am Gate durchaus, auch wenn er dafür mit 100K etwas zu groß wäre. @Niklas: nimm eher 10K als Ableitwiderstände zwischen Gate und Source. 100K ist etwas viel. Krumme Werte gehen natürlich auch. Reihenwiderstände vor dem Gate kannst du vorsehen, die schaden zumindest nicht. Da deine MOSFET mit 270pF eine recht kleine Eingangskapazität haben, kannst du da ruhig 100Ω nehmen. Je länger die Leitungen zu deinen LED sind, desto wichtiger wird der Widerstand. Die MOSFET sind eine vernünftige Wahl. R_ds_on ist bei U_gs=2.5V spezifiziert. Deine 500mA würden bei den dann maximal 80mΩ zu einer Verlustleistung von 20mW führen. Das ist auf jeden Fall vollkommen problemlos. Betrieb mit 24V bei maximal 30V Sperrfähigkeit könnte knapp werden. Leitungen haben Induktivität. Da können beim Abschalten schon mal ein paar Volt Überspannung entstehen.
Danke Axel für deine Verteidigung:) Habe jetzt SMD Widerstände und FETs bestellt. Axel S. schrieb: > Je länger die Leitungen zu deinen > LED sind, desto wichtiger wird der Widerstand. Das würde ich gerne noch genauer verstehen: Geht es darum, dass die Leitungen eine gewisse Kapazität / Induktivität haben, und ein zu schelles Umschalten des Transistors (d.h. ohne Vorwiderstand) zu Spannungspeaks führen kann?
Alex schrieb: > Ich würde immer noch einen Serienwiderstand als EMV Maßnahme und > Pulldown zur Sicherheit im Reset-Fall vorsehen. Ja, den sog. Angstwiderstand. Auf einer PCB würde ich jedenfalls Platz dafür vorsehen, falls man Schwingungen hat.
Niklas T. schrieb: > Axel S. schrieb: >> Je länger die Leitungen zu deinen >> LED sind, desto wichtiger wird der Widerstand. > > Das würde ich gerne noch genauer verstehen: Geht es darum, dass die > Leitungen eine gewisse Kapazität / Induktivität haben, und ein zu > schelles Umschalten des Transistors (d.h. ohne Vorwiderstand) zu > Spannungspeaks führen kann? Es geht weniger um Spannungspeaks - die entstehen ohnehin nur beim Abschalten - als vielmehr um Abstrahlung. Selbst wenn du nur mit 1kHz dimmst, ist das ja ein Rechtecksignal. Und das enthält Oberwellen. Je steiler die Schaltflanken sind, desto mehr. Das Kabel wirkt wie eine Antenne, die diese Oberwellen abstrahlt. Der Längswiderstand und die Eingangskapazität des MOSFET bilden einen Tiefpaß. Die Flanken werden verschliffen. Der Anteil der Oberwellen wird reduziert.
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