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Hallo, ich suche für den Aufbaue einer Konstantstromsenke nach einem MOS der für Linearbetrieb geeignet ist. Mir ist da z.B. IRF3305 bekannt, der speziell dafür ausgelegt ist. Da ich den aber nicht bekomme würde ich gerne einen anderen aussuchen. Wie sucht man da denn am besten? Irgendwie ist es sehr mühsam bei Farnell für alle 1000 passenden Typen ins Datenblatt zu sehen. Und ist es überhaupt nötig? Im Moment nutze ich einen IRF540N, womit es prinzipiell auch funktioniert. Spricht da was dagegen? Worin unterscheiden sich die verschiedenen Typen, warum sind welche für Linearbetrieb gedacht und andere nicht? Für meinen Aufbau brauche ich möglichste einen mit Loch zum festschrauben an den Kühler, wie z.B. TO-220. Er sollte mindestens 50 V aushalten und 4 A. Mehr schadet nicht.
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> Er sollte mindestens 50 V aushalten und 4 A. Mehr schadet nicht. Ähem, 200 W ? Und wovon träumst du nachts ? Siehe http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm "MOSFETs im Linearbetrieb (also 'nicht ganz durchgeschaltet') verhalten sich ab einer bestimmten Ugs gerade umgekehrt (der wärmste FET bekommt noch mehr Strom...)" und das passiert ggf. auch auf einem grossen Chip, der HotSpot wird noch heisser und "legiert durch". Es passiert nicht bei den MOSFETs, die für Linearbetrieb im Datenblatt gekennzeichnet sind (IRF hat dazu eine AppNote, Nummer hab ich nicht notiert). Du wirst aber sowieso mehrere parallel schalten müssen, und da empfehlen sich laterale MOSFETs wie BUZ900-903 2SK176 2SJ56 2SK1058 2SJ162 weil sie eine niedrigere Uthgs haben, und entsprechend nicht so grosse Stromverteilungswiderstände benötigen. Oder du steuerst jeden MOSFET einzeln per OpAmp über seinen eigenen Shunt an.
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Naja, wenn ich die maximale Leistung aber auf 100 W begrenze sollte ich mit einem hinkommen. Soweit ich weiß bestehen Power MOS aus lauter einzelnen kleinen transistoren die parallel sind. Wenns so ist wie du schreibst, dass bei zu kleinen Vgs die heißeren den Strom übernehemen dann macht das Sinn mit dem örtlichen durchlegieren. Da muss ich wohl um es einfach zu halten wirklich bei einem bleiben die dafür den geeigneten aussuchen. Fragt sich nur wie ich ihn finde. AppNotes hab ich bisher noch nicht gefunden, aber ich such weiter.
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AutomotiveMOSFETsinLinearApplication-ThermalInstability.pdf | anzeigen
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Wenn man sehr großzügig über die einer selbsternannten Weltfirma unwürdige Bilderqualität hinwegsieht, gibts auch was von Siemens/Infineon dazu. Arno
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> auf 100 W begrenze sollte ich mit einem hinkommen.
Nein.
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Also wenn ich die Zusammenfassung aus dem irf Dokument recht verstehe ists ok das Bauteil im Linearbetrieb zu fahren, solange ich in der SOA bleibe. Vielen Danke auf jeden Fall für die Hinweise und Dokumente, da hab ich jetzt noch was zum studieren, das war genau das was ich gebraucht habe!
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Ja (zu ... und Chris).
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MaWin schrieb: > 2SK176 2SJ56 Hast Du die noch rumliegen? Nehme ich gern ab, brauche ich für die Reparatur einer Endstufe.
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> Hast Du die noch rumliegen?
Nö, aber die anderen genannten sind durchaus eine Ersatz.
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Beim Linearbetrieb mit parallelen FETs benoetigt man je eine Ansteuerung. Dies da die Dinger nicht selbst-parallelisierend sind. Im Gegenteil. Der waermste FET hat die tiefste noetige Gatespannung, und uebernimmt daher mehr Strom. Eine Mitkopplung - bis zur Zerstoerung Aller.
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So langsam glaube ich auch dass ich um mehrere parallele MOSFETs nicht herumkomme. Die hohe Leistung wäre zwar auch im Linearbetrieb möglich, nicht aber bei den hohen Spannungen. Fragt sich nur ob ich meine Konstantstromsenke dann nicht doch besser mit einem großen Bipolartransistor aufbauen sollte. Nur schade dass meine eigentlich gut funktionierende Schaltung dann hinfällig wäre :-(
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muss es zwingend linear sein? oder ginge soetwas auch PWM mit C Parallel im Shopperbetrieb auf R das würde die verlustleistung in den R verschieben und den ribble geringhalten, wenn es nur darum geht gleichspannungsarbeit abzubauen. für wechslespannung müstest du noch einen GR vorschalten. taugt natürlich nicht für Audio und HF
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In die Richtung hab ich auch schon überlegt, aber da ist dann halt immer ein Ripple und es geht darum Geräteausgänge zu testen. Wenn ich mir dann durch einen Ripple Schwierigkeiten einfange wärs auch nicht gut.
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Mittlerweile habe ich mir überlegt dass ich den MOS ja gegen einen Bipolartransistor ersetzen könnte. Ich habe eine Schaltung aufgebaut, die im Prinzip der aus dem Link unter "Grundschaltung ELV EL 2010" entspricht, nur eben mit Bipolar Dalington BDW83. Leider schwingt die Schaltung nur. Bisher habe ich noch kein Mittel dagegen gefunden. Ich kann mir gut vorstellen dass die Schwingneigung größer ist, weil der Ausgang des OP in einem viel kleineren Rahmen regeln muss als beim MOS, und weil der MOS eine Gate-Source Kapazität hat die das abdämpft. Hat jemand eine Idee wie ich das stabil bekomme?
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Hallo, Schwingneigung bedeutet ja eigentlich immer eine zu große Gesamtverstärkung. Also P runter.. Spannungteiler vor die Basis. Aber ob du damit deinen Darligton ruhig bekommst ?? Gegebenenfalls noch einen I bzw. und/oder einen D-Anteil mit dazu. Frequenz der Schwingung messen und irgendwo im Regelzweig einen Tiefpass einbauen. Ist allerdings die schlechteste Lösung da du damit deiner Regelstrecke noch eine Ordnung mehr verpasst. Es sei denn du hast HF-Schwingungen. Dann wirds Interessant. -> anderes Layout, gezielte Masseführung, kürzeste Verbindungen... Gruß Marcus
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Hallo, hast du das Projekt mit der elektronischen Last noch realisiert / fertig gestellt? Ich stehe nämlich vor den selben Poblemen wie du Sie beschrieben hast. Vllt. kannst du mir mit deinen Erfahrungen weiter helfen. MfG
Hallo! Ich wollte jetzt dafür nicht extra ein neues Thema aufmachen.. aber könntet ihr mir erklären, was die beiden Kondensatoren in der angefügten Schaltung bewirken bzw. Konsequenzen des Weglassens wären? Gruß
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Christian S schrieb: > Ich wollte jetzt dafür nicht extra ein neues Thema aufmachen.. Mache es dennoch
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